規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4783C

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關(guān)等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用，這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設(shè)計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應(yīng)用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)對電機等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 WPM3401-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4783C

  BL1551B是一款模擬開關(guān)，具體地說：它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)。這種開關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢：

高帶寬：BL1551B具有高達350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號切換，滿足許多高速應(yīng)用的需求。

低導(dǎo)通電阻：在5V工作電壓下，其導(dǎo)通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號在開關(guān)過程中的損失，保證信號的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達到-84dB，這意味著在開關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時，信號泄漏非常小，從而確保了良好的信號隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作，為設(shè)計者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類型為SC-70-6，這有助于實現(xiàn)緊湊的電路設(shè)計和高效的熱性能。在實際應(yīng)用中，BL1551B可廣泛應(yīng)用于移動電話、便攜式電子設(shè)備等領(lǐng)域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應(yīng)用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關(guān)，并提供樣品供您測試，如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM4803WNM3013-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-723。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關(guān)，專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻：在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度：在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護：HBM為±8000V，MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機

· MID（移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    WD3168：5V/300mA開關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器，它能夠從一個非穩(wěn)壓輸入電壓中產(chǎn)生一個穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下，它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當(dāng)負(fù)載電流在典型條件下低于4mA時，WD3168會進入跳模模式，此時其靜態(tài)電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產(chǎn)生輸出電壓，從而節(jié)省PCB空間。

    此外，其軟啟動功能在開機和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會限制涌入電流。WD3168內(nèi)置了電流限制保護功能，適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應(yīng)用。SOT-23-6L封裝，并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作。

   其主要特性包括：

1、 輸出電流為300mA

2、寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

3、固定輸出電壓為5.0V

4、雙倍電荷泵

5、較小外部元件：無需電感器

6、高頻操作：1.7MHz

7、自動軟啟動限制涌入電流

8、低紋波和EMI

9、過熱和過流保護

10、無負(fù)載條件下典型靜態(tài)電流為170uA（跳模模式）

   其應(yīng)用領(lǐng)域包括：

1、3V至5V的升壓轉(zhuǎn)換

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供電

3、從較低軌道提供的本地5V供電

4、電池備份系統(tǒng)

5、手持便攜式設(shè)備

    WD3168是一種效率高、可靠的電源IC，適用于各種需要5V穩(wěn)定輸出的應(yīng)用場景。如需更詳細(xì)的信息或產(chǎn)品規(guī)格書請聯(lián)系我們。 ESD5Z5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-523。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備，緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-563。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73051N

WNM3003-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4783C

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關(guān)，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設(shè)計，如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關(guān)都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。

特性：

D+/D-上的特殊電路設(shè)計，使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設(shè)備是關(guān)閉還是開啟。

SEL/OE引腳具有過壓保護，允許電壓高于VCC，高達7.0V存在于引腳上，而不會損壞或中斷部件的操作，無論工作電壓如何。

還具有智能電路，用于至小化VCC泄漏電流，即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說，在實際應(yīng)用中，無需額外設(shè)備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應(yīng)用：

· 手機

· MID（移動設(shè)備）

· 路由器

· 其他電子設(shè)備

    WAS7227Q是專為高速USB2.0設(shè)計的穩(wěn)定、高效CMOS開關(guān)，適用于手持和消費電子產(chǎn)品，確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性，環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請查數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4783C

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