代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WPM1488

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-16

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子組件提供高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代多層變阻器(MLV),并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)設(shè)備,如手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、LCD電視等。

特性:

· 極低電容:CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流:IR<1nAtyp

· 低箝位電壓:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),每條線提供±20kV(接觸和空氣放電)的瞬態(tài)保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),可承受4A(8/20μs)的浪涌電流

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護(hù),使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比,ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流,以及更低的箝位電壓,從而提供了更好的性能。此外,其固態(tài)硅技術(shù)確保了高效、可靠的電源保護(hù)。無(wú)論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口,ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設(shè)備提供堅(jiān)實(shí)的ESD防護(hù)屏障。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WPM3021-8/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOP-8。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WPM1488

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WPM3401:?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專(zhuān)為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5452EWS72551EA-5/TR 運(yùn)算放大器 封裝:SOT-23-5L。

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    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。

特性:

· 截止電壓:±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV(接觸放電)的ESD保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),提供10A(8/20μs)的浪涌保護(hù)

· 電容:典型值為17.5pF

· 低泄漏電流:典型值為1nA

· 低鉗位電壓:在脈沖電流為16A(TLP)時(shí),典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· 手機(jī)

· 計(jì)算機(jī)和外設(shè):為計(jì)算機(jī)主板、顯示器、鍵盤(pán)等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專(zhuān)為保護(hù)電子元件免受靜電、電氣瞬變等過(guò)應(yīng)力而設(shè)計(jì)的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護(hù)出色,封裝緊湊,環(huán)保特性強(qiáng),廣泛應(yīng)用于手機(jī)、計(jì)算機(jī)和便攜式設(shè)備,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細(xì)信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

WD3139:高效38V升壓型白色LED驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品描述

     WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動(dòng)器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動(dòng)高達(dá)10個(gè)串聯(lián)的白色LED,電流限制為1.2A,過(guò)壓保護(hù)為38V。可以將脈沖寬度調(diào)制(PWM)信號(hào)應(yīng)用于EN引腳以實(shí)現(xiàn)LED調(diào)光。該設(shè)備以1MHz的固定開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行,以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率,并允許使用小型外部組件。

   封裝與環(huán)保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性:

輸入電壓范圍:2.7~5.5V

開(kāi)路LED保護(hù):38V(典型值)

參考電壓:200mV(±5%)

開(kāi)關(guān)頻率:1MHz(典型值)

效率:高達(dá)92%

主開(kāi)關(guān)電流限制:1.2A(典型值)

PWM調(diào)光頻率:5KHz至200KHzPWM

調(diào)光占空比:0.5%~100%

應(yīng)用領(lǐng)域:

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

    WD3139是一款專(zhuān)為串聯(lián)白色LED設(shè)計(jì)的高效驅(qū)動(dòng)器。提供1.2A電流限制和38V過(guò)壓保護(hù),確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調(diào)光,1MHz開(kāi)關(guān)頻率提升轉(zhuǎn)換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機(jī)、平板等便攜設(shè)備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保,是理想選擇。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WAS4729QB-10/TR 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:QFN-10(1.8x1.4)。

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RB521C30:肖特基勢(shì)壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA


產(chǎn)品特性:

     100mA平均整流正向電流:RB521C30具有出色的電流處理能力,能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流,使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓:肖特基勢(shì)壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn),這意味著在正向偏置條件下,它需要的電壓較低,從而降低了功耗。

   低漏電流:RB521C30的漏電流非常低,這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝:這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝,使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用,如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域:

     RB521C30肖特基勢(shì)壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中,它能夠?qū)⒔涣餍盘?hào)轉(zhuǎn)換為直流信號(hào),這對(duì)于許多電子設(shè)備來(lái)說(shuō)都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性,它特別適用于需要高效能和低功耗的場(chǎng)合,如電池供電的設(shè)備或需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外,其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WPM3022-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD5451N

WL2836E09-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WPM1488

WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管

特性:

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無(wú)鉛和無(wú)鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素。

· 快速開(kāi)關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用:

· 電源管理

· 信號(hào)處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無(wú)鉛無(wú)鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管,具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類(lèi)型,它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)能力和低正向電壓降,而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn),提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WPM1488

深圳安美斯科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才,集企業(yè)奇思,創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡,一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開(kāi)創(chuàng)新天地,繪畫(huà)新藍(lán)圖,在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù),信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易,失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念,市場(chǎng)是企業(yè)的方向,質(zhì)量是企業(yè)的生命,在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下,全體上下,團(tuán)結(jié)一致,共同進(jìn)退,**協(xié)力把各方面工作做得更好,努力開(kāi)創(chuàng)工作的新局面,公司的新高度,未來(lái)深圳安美斯科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái),即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī),也不足以驕傲,過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn),才能繼續(xù)上路,讓我們一起點(diǎn)燃新的希望,放飛新的夢(mèng)想!