代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD56161D30

WL2815低功耗CMOSLDO（低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器）

產(chǎn)品描述：

     WL2815系列是一款低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器，專(zhuān)為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案，以實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設(shè)計(jì)用于使用低成本陶瓷電容器，確保輸出電流的穩(wěn)定性，提高效率，從而延長(zhǎng)這些便攜式設(shè)備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性：

靜態(tài)電流：1.5μA（典型值）

輸入電壓：2.1V~5.5V

輸出電壓：1.1V~3.3V

輸出電流：@VOUT=3.3V時(shí)為300mA

輸出電流：@VOUT=2.0V時(shí)為200mA

輸出電流：@VOUT=1.5V時(shí)為150mA

壓差電壓：@100mA時(shí)為100mV

推薦電容器：1uF或更大

工作溫度：-40°C至+85°C

輸出短路保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

MP3/MP4播放器

手機(jī)

藍(lán)牙耳機(jī)

無(wú)線(xiàn)鼠標(biāo)

其他電子設(shè)備

    WL2815是專(zhuān)為便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)的低功耗CMOS穩(wěn)壓器，性能優(yōu)異，低靜態(tài)電流，高效能，延長(zhǎng)電池壽命。優(yōu)化設(shè)計(jì)，使用低成本陶瓷電容器，在多種應(yīng)用中提供穩(wěn)定輸出。適用于MP3/MP4播放器、手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等。緊湊封裝，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD54191CZ-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DWN0603-2L。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD56161D30

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五線(xiàn)路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護(hù)水平。對(duì)于正瞬態(tài)，這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對(duì)于負(fù)瞬態(tài)，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過(guò)了IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規(guī)格，該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護(hù)。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為5伏特。

規(guī)格特性：

· 工作峰值反向電壓：5V

· 低漏電流：<1uA@3V

· 高ESD保護(hù)水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四級(jí)ESD保護(hù)

· IEC61000-4-4四級(jí)EFT保護(hù)

· 五種單獨(dú)的單向配置

機(jī)械特性：

· 無(wú)空洞、轉(zhuǎn)移模制、熱固性塑料外殼

· 耐腐蝕表面，易于焊接

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)和配件

· 個(gè)人數(shù)字助理（PDA）

· 筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器

· 便攜式儀器

· 數(shù)碼相機(jī)

· 外設(shè)MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五線(xiàn)路ESD保護(hù)器，保護(hù)電子組件免受靜電放電影響。具有強(qiáng)ESD保護(hù)和低漏電流，能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)，適用于手機(jī)、筆記本等便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56161D04WS4518D-6/TR 電池管理 封裝：WDFN-6-EP(2x2)。

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點(diǎn)。在500mA的負(fù)載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長(zhǎng)為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時(shí)為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時(shí)為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關(guān)斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時(shí)，采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以?xún)?nèi)。

應(yīng)用：

· LCD電視

· 機(jī)頂盒（STB）

· 計(jì)算機(jī)、圖形卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列CMOSLDO為現(xiàn)代電子設(shè)備提供穩(wěn)定電源，具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調(diào)技術(shù)滿(mǎn)足各種應(yīng)用需求，適用于LCD電視、機(jī)頂盒和計(jì)算機(jī)通信設(shè)備。緊湊封裝和環(huán)保設(shè)計(jì)使其易于集成。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無(wú)鉛且無(wú)鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，專(zhuān)為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時(shí)，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器，其中高效率的電源開(kāi)關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽(yáng)能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場(chǎng)中具有廣的適用性。總之，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5681N07-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：X1-DFN1006-2。

     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無(wú)鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開(kāi)關(guān)

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件，專(zhuān)為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì)，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí)，極低的閾值電壓保證了快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD9X5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD） 封裝：FBP-02C。中文資料WILLSEMI韋爾WS72358B

WUSB3801Q-12/TR USB芯片 封裝：QFN1616-12L(1.6x1.6)。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD56161D30

RB521C30：肖特基勢(shì)壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢(shì)壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn)，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢(shì)壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘?hào)轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)，這對(duì)于許多電子設(shè)備來(lái)說(shuō)都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場(chǎng)合，如電池供電的設(shè)備或需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD56161D30