代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5611N

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術

· 超高密度單元設計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換器

· 電路電源開關

· 負載開關充電

       WNM6001是一款采用先進槽型技術的N溝道MOSFET，專為高效能應用而設計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。無論是驅動繼電器、電磁閥還是電機，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5611N

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應用中使用，如便攜式設備和小型電路板。

應用領域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應用。在電路中，它能夠將交流信號轉換為直流信號，這對于許多電子設備來說都是至關重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD73002FESD9B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。

    WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內部采用MOSFET架構，無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應用：

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍牙設備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內置MOSFET簡化了電路設計，降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應不同電池和充電需求。充電結束和電源移除時，自動進入低電流和關機模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無鉛標準，適用于各種電子設備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子組件提供高水平的保護。它被設計用于替代多層變阻器（MLV），并廣泛應用于消費設備，如手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、LCD電視等。

特性：

· 極低電容：CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準，每條線提供±20kV（接觸和空氣放電）的瞬態(tài)保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準，可承受4A（8/20μs）的浪涌電流

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護，使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比，ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流，以及更低的箝位電壓，從而提供了更好的性能。此外，其固態(tài)硅技術確保了高效、可靠的電源保護。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口，ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設備提供堅實的ESD防護屏障。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E12-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。

WAS4729QB：低導通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關，具有負擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關，具有負擺幅音頻功能，其典型導通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內工作，并設計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用，因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實際應用中，無需額外的設備來將控制電平調整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關斷隔離度：-81dB@1KHz

串擾抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應用領域

手機、PDA、數(shù)碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關，專為移動設備設計，適合音頻和視頻信號路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5641D07-3/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN-3L(2x2)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56201D24

ESD56151W05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-323。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5611N

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關和低正向電壓降

· 反向阻斷

應用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設備保護

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5611N