規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD9103W

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代消費(fèi)設(shè)備中的多層變阻器（MLV），適用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛、無(wú)鹵素。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）為每條線路提供瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=1.2pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應(yīng)迅速，避免噪聲和干擾，高可靠且適用于便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WAS4735Q-16/TR 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 封裝：QFN1826-16L(1.8x2.6)。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD9103W

WS4603E：可調(diào)電流限制、電源分配開(kāi)關(guān) 

描述

   WS4603E是一款具有高側(cè)開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻P-MOSFET的開(kāi)關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過(guò)載電流和短路電流的涌入，從而保護(hù)電源。此外，WS4603E還集成了反向保護(hù)功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，可以消除開(kāi)關(guān)上的任何反向電流流動(dòng)。設(shè)備關(guān)閉時(shí)，輸出自動(dòng)放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無(wú)鉛且不含鹵素。

特性

1、輸入電壓范圍：2.5~5.5V

2、主開(kāi)關(guān)RON：80mΩ@VIN=5V

3、調(diào)整電流限制范圍：0.4~2A（典型值）

4、電流限制精度：±20%

5、自動(dòng)放電

6、反向阻斷（無(wú)“體二極管”）

7、過(guò)溫保護(hù)

應(yīng)用

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開(kāi)關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

    安美斯科技專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷(xiāo)，可以提供樣品供您測(cè)試。如有關(guān)于WS4603E的進(jìn)一步問(wèn)題或需求，請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD56151W04WNM2030-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-723。

    WPM3407是一款使用先進(jìn)溝槽技術(shù)制成的器件，其特點(diǎn)是在低門(mén)極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

特點(diǎn)：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，3407通過(guò)先進(jìn)的溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低RDS(ON)，這意味著在器件導(dǎo)通時(shí)，其電阻較小，從而減小了能量損失。低門(mén)極電荷：門(mén)極電荷是描述開(kāi)關(guān)器件從關(guān)閉到打開(kāi)或從打開(kāi)到關(guān)閉所需電荷量的參數(shù)。3407的低門(mén)極電荷可以更快地開(kāi)關(guān)，從而減少開(kāi)關(guān)損耗。無(wú)鉛：符合環(huán)保要求，適用于對(duì)無(wú)鉛產(chǎn)品有需求的場(chǎng)合。

應(yīng)用：

    筆記本電腦的電源管理：3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉(zhuǎn)換器，以提供穩(wěn)定的電源。

    便攜式設(shè)備：由于它的快速開(kāi)關(guān)和低能量損失，3407也適用于各種便攜式設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦等。

    電池供電系統(tǒng)：在電池供電的應(yīng)用中，減少能量損失和延長(zhǎng)電池壽命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低門(mén)極電荷特性使其成為電池供電系統(tǒng)的理想選擇。

    DC/DC轉(zhuǎn)換器：這是3407的主要應(yīng)用之一，用于將一種直流電壓轉(zhuǎn)換為另一種直流電壓。

    負(fù)載開(kāi)關(guān)：3407可以用于控制電路的通斷，實(shí)現(xiàn)負(fù)載開(kāi)關(guān)的功能。

    如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    WNM2030是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的開(kāi)啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

   WNM2030是專(zhuān)為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計(jì)的高性能MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，提供高密度和低功耗?？焖匍_(kāi)關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備，且無(wú)鉛設(shè)計(jì)滿(mǎn)足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5611N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

WNM2021：?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無(wú)鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESDA6V1W5-5/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOT-353。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD9103W

WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝：FBP1608-2L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD9103W

      WPM1483是一個(gè)單P溝道、-12V、-5A的功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1483為無(wú)鉛、無(wú)鹵素。

特性：

溝槽技術(shù)

超高密度單元設(shè)計(jì)

優(yōu)異的ON電阻，適用于更高的直流電流

極低的閾值電壓

小型SOT-23封裝

應(yīng)用：

繼電器、螺線管、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

電源開(kāi)關(guān)

負(fù)載開(kāi)關(guān)

充電應(yīng)用

    WPM1483是一款P溝道功率MOSFET，采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有低RDS(ON)和低柵極電荷，適用于高效、高可靠性電力管理應(yīng)用?？沙惺?5A直流電流，極低閾值電壓降低功耗。小型SOT-23封裝，無(wú)鉛無(wú)鹵素，環(huán)保且易于集成。適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)，驅(qū)動(dòng)繼電器、電機(jī)等應(yīng)用。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD9103W