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來源: 發(fā)布時間:2024-04-21

WD1502F:28V,2A降壓型(Step-Down)直流/直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器

    WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關(guān)頻率工作,并采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)。在輕負(fù)載電流時,它會進(jìn)入脈沖跳變調(diào)制(PSM)操作,以在整個負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護(hù)、熱保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無鉛和無鹵素產(chǎn)品。

其主要特性包括:

· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓

· 典型的650kHz開關(guān)頻率

· 2A連續(xù)輸出電流

· 低至2μA的關(guān)機(jī)電流,60μA的靜態(tài)電流

· 內(nèi)部5mS軟啟動

· 峰值效率>94%

· 150mΩ內(nèi)部功率HSMOSFET開關(guān)

· 75mΩ內(nèi)部同步LSMOSFET開關(guān)

· 逐周期過流保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 12V、24V分布式電源總線供電

· 工業(yè)應(yīng)用

· 白色家電

· 消費(fèi)類應(yīng)用

     WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5311X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:WBFBP-02C-C。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5661D15

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     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì),確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時,極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD82202BESD56151W04-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-323。

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    ESD5431Z-2/TR:電子設(shè)備的瞬態(tài)電壓守護(hù)神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的雙向保護(hù)機(jī)制,確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應(yīng)力時,能夠迅速抑制電壓波動,保護(hù)敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護(hù)能力,根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它能承受高達(dá)±30kV的接觸放電,確保在極端情況下仍能有效保護(hù)電路,能夠承受高達(dá)40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設(shè)計(jì)使得集成更為便捷,同時無鉛和不含鹵素的標(biāo)準(zhǔn)也符合環(huán)保要求。

    無論是手機(jī)、計(jì)算機(jī)還是微處理器,它都能為這些設(shè)備提供堅(jiān)實(shí)的電壓保護(hù),確保它們在各種惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行。應(yīng)用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費(fèi)電子領(lǐng)域等。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。

WS4603E:可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān) 

描述

   WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導(dǎo)通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護(hù)電源。此外,WS4603E還集成了反向保護(hù)功能,當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時,可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。

特性

1、輸入電壓范圍:2.5~5.5V

2、主開關(guān)RON:80mΩ@VIN=5V

3、調(diào)整電流限制范圍:0.4~2A(典型值)

4、電流限制精度:±20%

5、自動放電

6、反向阻斷(無“體二極管”)

7、過溫保護(hù)

應(yīng)用

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于WS4603E的進(jìn)一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WNM3018-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-323。

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WL2803E:極低壓差、500mA、CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu),WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA,使其成為需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(hù)(OTP)和限流功能,以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性,并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

    封裝與環(huán)保信息:WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓:2.5V~5.5V

輸出電壓:1.2V~3.3V

輸出電流:500mA

PSRR:65dB@1KHz

壓差電壓:130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲:100uV

靜態(tài)電流:150μA(典型值)

應(yīng)用領(lǐng)域

LCD電視

機(jī)頂盒(STB)

計(jì)算機(jī)和圖形卡

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

其他便攜式電子設(shè)備  

      WL2803E是一款高性能LDO,壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,輸出電壓準(zhǔn)確穩(wěn)定。具備過熱保護(hù)和限流功能,增強(qiáng)可靠性。您如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS3202E61-6/TR 過壓過電流保護(hù)IC 監(jiān)控和復(fù)位芯片 封裝:SOT-23-6L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56201D20

WS3222D-8/TR 功率電子開關(guān) 封裝:WDFN-8-EP(2x2)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5661D15

    WNM2030是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計(jì)的高性能MOS場效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進(jìn)溝槽技術(shù),提供高密度和低功耗??焖匍_關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備,且無鉛設(shè)計(jì)滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5661D15