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WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產品，符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WS72042M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2153A

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數據線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據IEC61000-4-2標準，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

· 根據IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據IEC61000-4-5標準，提供10A（8/20μs）的浪涌保護

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術

應用：

· 手機

· 計算機和外設：為計算機主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應力而設計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強，廣泛應用于手機、計算機和便攜式設備，確保設備穩(wěn)定運行和數據安全。如需詳細信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5681N07WNM3003-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性：

· 截止電壓：±3.3VMax

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.2pFtyp

· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· USB3.0和USB3.1

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備。緊湊、環(huán)保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時，VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術：確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應用：

· 計算機及其外設：如鍵盤、鼠標、顯示器等。

· 手機

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設計。其優(yōu)異的保護能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設備，ES9DN12BA都能提供強大的保護，確保設備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD73034D-10/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN2510-10。

    WPM3407是一款使用先進溝槽技術制成的器件，其特點是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉換應用。

特點：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在導通狀態(tài)下的電阻，3407通過先進的溝槽技術實現了低RDS(ON)，這意味著在器件導通時，其電阻較小，從而減小了能量損失。低門極電荷：門極電荷是描述開關器件從關閉到打開或從打開到關閉所需電荷量的參數。3407的低門極電荷可以更快地開關，從而減少開關損耗。無鉛：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛產品有需求的場合。

應用：

    筆記本電腦的電源管理：3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉換器，以提供穩(wěn)定的電源。

    便攜式設備：由于它的快速開關和低能量損失，3407也適用于各種便攜式設備，如智能手機、平板電腦等。

    電池供電系統：在電池供電的應用中，減少能量損失和延長電池壽命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低門極電荷特性使其成為電池供電系統的理想選擇。

    DC/DC轉換器：這是3407的主要應用之一，用于將一種直流電壓轉換為另一種直流電壓。

    負載開關：3407可以用于控制電路的通斷，實現負載開關的功能。

    如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD9N12BA-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WH2516D

WAS4729QB-10/TR 模擬開關/多路復用器 封裝：QFN-10(1.8x1.4)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2153A

ESD5301N：低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過度應力影響。

      包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

 1、截止電壓：5V

 2、根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±20kV（接觸和空氣放電）

 3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

 4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

 5、低電容：CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流：IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術

應用領域：

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產品和筆記本電腦

安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2153A