中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

    RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無(wú)鉛器件

應(yīng)用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢(shì)壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時(shí)確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長(zhǎng)時(shí)間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護(hù)和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢(shì)壘二極管的一個(gè)關(guān)鍵特性，它允許在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場(chǎng)合中表現(xiàn)出色，如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無(wú)鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識(shí)的日益增強(qiáng)，無(wú)鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時(shí)，也符合了環(huán)保要求。

    總的來(lái)說(shuō)，RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無(wú)鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無(wú)論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計(jì)工程師，都能從中受益。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS3202E61-6/TR 過(guò)壓過(guò)電流保護(hù)IC 監(jiān)控和復(fù)位芯片 封裝：SOT-23-6L。中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

    WS4665是一個(gè)單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，提供可配置的上升時(shí)間以極小化涌流。該設(shè)備包含一個(gè)N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開(kāi)關(guān)由開(kāi)/關(guān)輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號(hào)接口。在WS4665中，增加了一個(gè)230Ω的片上負(fù)載電阻，用于在開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)進(jìn)行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導(dǎo)通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開(kāi)關(guān)上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時(shí)間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經(jīng)過(guò)JESD22測(cè)試2000VHBM和1000VCDM

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網(wǎng)本

· 平板電腦

· 消費(fèi)電子產(chǎn)品

· 機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)

· 電信系統(tǒng)

    WS4665適用于多種應(yīng)用場(chǎng)合，如超極本、筆記本電腦/上網(wǎng)本、平板電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品、機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)或與我們聯(lián)系。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56241D22WS72552S-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：SOP-8。

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產(chǎn)生的過(guò)應(yīng)力。ESD5311Z包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)，極低電容，出色保護(hù)，防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口，保護(hù)敏感組件。緊湊封裝，適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    WS4508E是一款針對(duì)單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu)，無(wú)需外部感測(cè)電阻和阻斷二極管。熱反饋機(jī)制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過(guò)一個(gè)外部電阻進(jìn)行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達(dá)600mA

· 過(guò)溫保護(hù)

· 欠壓鎖定保護(hù)

· 自動(dòng)再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動(dòng)限制浪涌電流

應(yīng)用：

· 無(wú)線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍(lán)牙設(shè)備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，降低了成本。其熱反饋機(jī)制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應(yīng)不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入低電流和關(guān)機(jī)模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WPM2019-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-523-3。

WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無(wú)鉛和無(wú)鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。

· 快速開(kāi)關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用：

· 電源管理

· 信號(hào)處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無(wú)鉛無(wú)鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管，具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)能力和低正向電壓降，而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn)，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5301N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WS72541

ESD56301D05-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長(zhǎng)為0.1V。WL2803E系列還提供了過(guò)熱保護(hù)（OTP）和限流功能，以確保在錯(cuò)誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。

    封裝與環(huán)保信息：WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，并符合無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓：2.5V~5.5V

輸出電壓：1.2V~3.3V

輸出電流：500mA

PSRR：65dB@1KHz

壓差電壓：130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲：100uV

靜態(tài)電流：150μA（典型值）

應(yīng)用領(lǐng)域

LCD電視

機(jī)頂盒（STB）

計(jì)算機(jī)和圖形卡

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

其他便攜式電子設(shè)備  

      WL2803E是一款高性能LDO，壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，輸出電壓準(zhǔn)確穩(wěn)定。具備過(guò)熱保護(hù)和限流功能，增強(qiáng)可靠性。您如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E