規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET，專為高效能應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設(shè)計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運(yùn)行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機(jī)，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS72551E-5/TR 運(yùn)算放大器 封裝：SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF

    WNM2030是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計的高性能MOS場效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，提供高密度和低功耗?？焖匍_關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備，且無鉛設(shè)計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2805EWPM2015-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。

     SD5302F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的極低電容TVS（瞬態(tài)電壓抑制器）陣列。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD（靜電放電）引起的過應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

主要特性：

· 截止電壓：5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· 符合IEC61000-4-4（EFT）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 符合IEC61000-4-5（浪涌）標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=20V@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電等損害，確保信號完整性，承受力強(qiáng)。適合緊湊設(shè)備，環(huán)保。是高速數(shù)據(jù)接口的理想保護(hù)組件。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。

WS4603E：可調(diào)電流限制、電源分配開關(guān) 

描述

   WS4603E是一款具有高側(cè)開關(guān)和低導(dǎo)通電阻P-MOSFET的開關(guān)。其集成的電流限制功能可以限制大電容負(fù)載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護(hù)電源。此外，WS4603E還集成了反向保護(hù)功能，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時，可以消除開關(guān)上的任何反向電流流動。設(shè)備關(guān)閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關(guān)閉。熱關(guān)斷功能可以保護(hù)設(shè)備和負(fù)載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品無鉛且不含鹵素。

特性

1、輸入電壓范圍：2.5~5.5V

2、主開關(guān)RON：80mΩ@VIN=5V

3、調(diào)整電流限制范圍：0.4~2A（典型值）

4、電流限制精度：±20%

5、自動放電

6、反向阻斷（無“體二極管”）

7、過溫保護(hù)

應(yīng)用

· USB外設(shè)

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關(guān)

· 3.3V或5V電源分配

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于WS4603E的進(jìn)一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WNM3013-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-723。

WL2815低功耗CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）

產(chǎn)品描述：

     WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器，專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案，以實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)電流。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設(shè)計用于使用低成本陶瓷電容器，確保輸出電流的穩(wěn)定性，提高效率，從而延長這些便攜式設(shè)備的電池壽命。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

靜態(tài)電流：1.5μA（典型值）

輸入電壓：2.1V~5.5V

輸出電壓：1.1V~3.3V

輸出電流：@VOUT=3.3V時為300mA

輸出電流：@VOUT=2.0V時為200mA

輸出電流：@VOUT=1.5V時為150mA

壓差電壓：@100mA時為100mV

推薦電容器：1uF或更大

工作溫度：-40°C至+85°C

輸出短路保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

MP3/MP4播放器

手機(jī)

藍(lán)牙耳機(jī)

無線鼠標(biāo)

其他電子設(shè)備

    WL2815是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的低功耗CMOS穩(wěn)壓器，性能優(yōu)異，低靜態(tài)電流，高效能，延長電池壽命。優(yōu)化設(shè)計，使用低成本陶瓷電容器，在多種應(yīng)用中提供穩(wěn)定輸出。適用于MP3/MP4播放器、手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等。緊湊封裝，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麥克風(fēng)（硅麥） 封裝：SMD-4P,1.9x2.8mm。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2805E

ESD9X5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD） 封裝：FBP-02C。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF

ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD9B5VL可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 反向截止電壓：±5VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路

· 瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：20A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：3A（8/20μs）

· 電容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· 手機(jī)

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機(jī)、平板等便攜式設(shè)備，保護(hù)敏感電子組件。高保護(hù)能力、低泄漏和低箝位電壓，穩(wěn)定可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR190N65TF