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來源: 發(fā)布時間:2024-01-19

    相晶閘管觸發(fā)板編輯鎖定討論本詞條缺少概述圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!三相晶閘管觸發(fā)板是以高級工業(yè)級單片機為組成的全數字控制、數字觸發(fā)板,并將電源變壓器、脈沖變壓器焊裝在控制板上。中文名三相晶閘管觸發(fā)板外文名Three-phasethyristortriggerboard適應適應不同性質負載電壓5V~380V目錄1三相晶閘管觸發(fā)板2種高性能PID方案?適用電路?正常使用條件?工作原理?技術參數3三相晶閘管觸發(fā)板應用技術三相晶閘管觸發(fā)板三相晶閘管觸發(fā)板編輯使用靈活,安裝簡便。電源用變壓器,性能穩(wěn)定可靠。三相同步方案,定制可適應交流5V~380V各種同步電壓。三相晶閘管觸發(fā)板種高性能PID方案編輯適應不同性質負載,控制精度高,動態(tài)特性好。全數字觸發(fā),脈沖不對稱度≤°,用脈沖變壓器觸發(fā),脈沖前沿陡度≤。功能、參數設定采用按鍵操作,故障、報警、界面采用LED數碼管顯示,操作方便,顯示直觀。本控制板的所有控制參數均為數字量,無溫度漂移變化,運行穩(wěn)定、工作可靠。強抗干擾能力,采用獨特措施,惡劣干擾環(huán)境正常運行。通用性強,適用范圍寬,控制板適應任何主電路,任何性質負載。手動、自動;穩(wěn)流、穩(wěn)壓。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。新疆Infineon英飛凌晶閘管廠家直銷

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    那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,它們之間正好是一正一反地并聯在一起。我們把這種聯接叫做反向并聯。因此,從電路功能上可以把它等效成圖3(c),也就是說,一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,管子才能導通。對雙向晶閘管來說,無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極,對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講,對一個管子是陽極,對另一個管子就是陰極,反過來也一樣。因此,雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓,它都能被觸發(fā)導通。如此,雙向晶閘管還有一個重要的特點,這就是:不管觸發(fā)信號的極性如何,也就是不管所加的觸發(fā)信號電壓UG對T1是正向還是反向,雙向晶閘管都能被觸發(fā)導通。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的??焖倬чl管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導通或關斷需要一定時間,同時陽極電壓上升速度太快時,會使元件誤導通;陽極電流上升速度太快時,會燒毀元件。人們在制造工藝和結構上采取了一些改進措施,做出了能適應于高頻應用的晶閘管。 江西代理Infineon英飛凌晶閘管貨源充足構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管。

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    用兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻,均應為較小阻值,如圖4-60所示。用兩表筆測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻,均應為無窮大,如圖4-61所示。檢測雙向晶閘管導通特性時,萬用表仍置于“RX1Ω”擋,黑表筆接主電極T1,紅表筆接主電極T2,表針指示應為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下,表針應向右偏轉并保持在十幾歐姆處,如圖4-62所示。含則說明該雙向晶閘管已損壞。(3)檢測可關斷晶閘管檢測時,將萬用表置于“RXlΩ”擋,黑表筆接陽極A,紅表筆接陰極K,表針指示應為阻值無窮大。用一節(jié),電池負極串聯一只100Ω左右的限流電阻接在可關斷晶閘管的陰極K上。當用電池正極觸碰一下控制極G后,萬用表表針應右偏指示品閘管導通,如圖4-63所示。然后調換電池極行,改為電池正極串聯一只100Ω左右的限流電阻接在可關斷晶閘管的限極K上,用電池負極觸碰一下控制極G后,用萬用表表針應向左返回至阻值無窮大,指示晶閘管已關斷。否則說明可關斷晶閘管已損壞。

    產生波形失真和噪聲??申P斷晶閘管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻率比GTR低。目前,GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力??申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態(tài),而GTO在導通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益,βoff,它等于陽極大可關斷電流IATM與門極大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔。 晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。

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    在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。2、使用可控硅之前,應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現有短路或斷路現象時,應立即更換。3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。 晶閘管對過電壓很敏感,當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發(fā)電路故障。湖南進口Infineon英飛凌晶閘管貨源充足

其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。新疆Infineon英飛凌晶閘管廠家直銷

    晶閘管模塊-晶閘管在電路中的主要用途來源:瀏覽量:載入中...發(fā)布時間:晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內,如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,vs仍不能接通。只有當U2處于正半周時,當觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時,晶閘管才接通?,F在,繪制其波形(圖4(c)和(d)),可以看到只有當觸發(fā)脈沖UG到達時,負載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當UG到達較早時,晶閘管導通時間較早;UG到達較晚時,晶閘管導通時間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達時間,可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術中,交流電的半周常被設定為180度,稱為電角。因此,在U2的每一個正半周期中,從零值到觸發(fā)脈沖到達時刻的電角稱為控制角α,每個正半周期中晶閘管導電的電角稱為導通角θ。顯然,α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內的通斷范圍。通過改變控制角度0或導通角theta,可通過改變負載上的脈沖直流電壓的平均ul來實現可控整流器。 新疆Infineon英飛凌晶閘管廠家直銷