江西哪里有西門康SEMIKRON可控硅

    ■首先，我們可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。這樣就可畫出圖表-27（C）的等效電路圖來(lái)分析。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。 按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。江西哪里有西門康SEMIKRON可控硅

    可控硅簡(jiǎn)介可控硅（SiliconControlledRectifier）簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)使用?？煽毓杼匦?、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽(yáng)極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。 陜西代理西門康SEMIKRON可控硅聯(lián)系方式反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行，無(wú)火花、無(wú)噪音；效率高，成本低等等。

    可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡(jiǎn)稱，谷稱可控硅模塊，它是1種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體元器件，在線路中用字母符號(hào)為“V”、“VT”表達(dá)（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表達(dá)）?？煽毓枘K具備硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下運(yùn)行，且其運(yùn)行過程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子線路中?？煽毓枘K有很多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類可控硅模塊按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅模塊、門極關(guān)斷可控硅模塊（GTO）、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種。（二）按引腳和極性分類可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。（三）按封裝形式分類可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類型。當(dāng)中，金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形、平板形、圓殼形等很多種；塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種。（四）按電流容量分類可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種。通常，大功率可控硅多選用金屬殼封裝。

可控硅模塊作為電路中非常重要的一個(gè)基礎(chǔ)元件，它也有好壞之分，其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運(yùn)行質(zhì)量的好壞，所以，在選購(gòu)可控硅模塊前學(xué)會(huì)如何判斷可控硅的好壞是非常重要的，選擇好的可控硅模塊，可以保證運(yùn)行的質(zhì)量和性能。其實(shí)，判斷可控硅模塊是否完好也并不難，需要從四個(gè)方面來(lái)進(jìn)行檢查和判斷：首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)是否完好；其次就是在陰極與陽(yáng)極之間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通；緊接著就是當(dāng)控制極開路時(shí)，陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通；第四就是給控制極加上正向電流，給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí)，可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通，把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。

    普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路、逆變、電機(jī)調(diào)速、電機(jī)勵(lì)磁、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)及自動(dòng)控制等方面?，F(xiàn)在我畫一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。現(xiàn)在，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來(lái)得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。 可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等場(chǎng)合。河南哪里有西門康SEMIKRON可控硅代理商

在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽(yáng)極的電流平均值。江西哪里有西門康SEMIKRON可控硅

可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件，有三個(gè)電極，陽(yáng)極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的?？煽毓枘K的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護(hù)功能。江西哪里有西門康SEMIKRON可控硅