2CP1554硅二極管Ir≤≤,≤,2CP1555硅二極管Ir≤≤,≤,[1]整流二極管高頻整流二極管的特性與參數(shù)編輯開關電源中的整流二極管必須具有正向壓降低、快速恢復的特點，還應具有足夠大的輸出功率，可以采用以下三種類型的整流二極管：快速恢復整流二極管;超快速恢復整流二極管;肖特基整流二極管?？焖倩謴秃统旎謴驼鞫O管具有適中的和較高的正向電壓降，其范圍是從～。這兩種整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。因此，它們特別適合于在小功率的、輸出電壓在12V左右的輔助電源電路中使用。由于現(xiàn)代的開關電源工作頻率都在20kHz以上，比起一般的整流二極管，快速恢復整流二極管和超快速恢復整流二極管的反向恢復時間莎Ⅱ減小到了毫微秒級，因此，提高了電源的效率。據(jù)經驗，在選擇快速恢復整流二極管時，其反向恢復時間至少應該是開關晶體管的上升時間的1/3。這兩種整流二極管還減少了開關電壓尖峰，而這種尖峰直接影響輸出直流電壓的紋波。另外，雖然某些稱為軟恢復型整流二極管的噪聲較小，但是它們的反向恢復時間較長，反向電流也較大，因而使得開關損耗增大，并不能滿足開關電源的工作要求。 二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負極，又叫陰極。云南進口西門康SEMIKRON二極管哪里有賣的
二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。3、擊穿外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。二極管是一種具有單向導電的二端器件，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管現(xiàn)已很少見到，比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向導電特性，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生早的半導體器件之一，其應用也非常廣。二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類型）正向管壓降，鍺管正向管壓降為，發(fā)光二極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同。主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為，黃色發(fā)光二極管的壓降為—，綠色發(fā)光二極管的壓降為—，正常發(fā)光時的額定電流約為20mA。二極管的電壓與電流不是線性關系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應的電阻。[1]二極管原理二極管的原理編輯二極管工作原理。 福建哪里有西門康SEMIKRON二極管廠家供應和普通二極管相似，發(fā)光二極管也是由一個PN結構成。
晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。中文名二級管外文名diode目錄1二極管簡介2二極管特性3二極管的原理4反向擊穿5應用6類型7發(fā)光二極管二極管原理二極管簡介編輯二極管內部構造二極管的英文是diode。二極管的正.負二個端子,(如圖)一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。二極管是由半導體組成的器件。半導體無論哪個方向都能流動電流。二極管原理二極管特性編輯二極管（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過。許多的使用是應用其整流的功能。而變容二極管（VaricapDiode）則用來當作電子式的可調電容器。大部分二極管所具備的電流方向性，通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。
區(qū)域302和壁分離短距離d，其推薦地小于10nm，例如小于7nm。每個結構30進一步包括在溝槽中比區(qū)域302更低地延伸的電傳導區(qū)域306。在圖1所示的示例中，區(qū)域306從區(qū)域302延伸。換言之，區(qū)域302和306是單件。區(qū)域306例如位于比區(qū)域302更遠離溝槽壁。區(qū)域302例如通過覆蓋溝槽22的壁和底部的電介質層308與襯底10分離。層308的厚度例如大于約100nm，推薦地在從250nm到1000nm的范圍內。結構30a包括與結構30相同的元件。然而，重要的是在二極管的外側上不存在上文提到的短距離d。作為示例，層308于是在二極管的外側上在區(qū)域302與溝槽壁之間繼續(xù)。層308可以連接覆蓋二極管的上的襯底的絕緣層44。作為示例，區(qū)域302和306由摻雜的多晶硅制成，并且層304和308由氧化硅制成。如下文在二極管10的特定情況下所討論，由此獲得的區(qū)域302和306在施加電勢時能夠對與層304和308接觸的襯底部分施加不同的靜電影響。特別地，區(qū)域302距離襯底越近，與層304接觸的襯底部分上的靜電影響越強。然后可以在與每個層304接觸的襯底部分中形成晶體管t1，所考慮的區(qū)域302形成晶體管柵極。作為示例，晶體管t1具有n溝道。每個晶體管包括p型摻雜的溝道區(qū)域202(p)。作為示例。 由外殼、印刷電路板、發(fā)光二極管芯片陣列、控制電路和金屬引腳組成。
二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。 在印刷電路板的另一面上固定有驅動電路。四川西門康SEMIKRON二極管推薦貨源
快恢復二極管是一種能快速從通態(tài)轉變到關態(tài)的特殊晶體器件。云南進口西門康SEMIKRON二極管哪里有賣的
正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數(shù)值時。 云南進口西門康SEMIKRON二極管哪里有賣的