北京西門康SEMIKRON可控硅哪家好

    一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2，經(jīng)放大，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對可控硅來說，觸發(fā)信號加到控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2），這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果E極性反接。 可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。北京西門康SEMIKRON可控硅哪家好

    在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸常見可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流?？煽毓柙頍o觸點(diǎn)開關(guān)可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其特點(diǎn)是無噪音,壽命長。可控硅原理產(chǎn)品特性編輯可控硅陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向。 海南代理西門康SEMIKRON可控硅工廠直銷大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等。

    因此負(fù)載獲得較少的電功率。這個(gè)典型的電功率無級調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它。可控硅主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。3、反向陰斷峰值電壓當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進(jìn)行控制具有：電壓調(diào)節(jié)速度快，精度高，可分時(shí)段實(shí)時(shí)調(diào)整，有穩(wěn)壓作用，采用電子元件，相對來說體積小、重量輕、成本低。但該調(diào)壓方式存在一致命缺陷，由于斬波，使電壓無法實(shí)現(xiàn)正弦波輸出，還會(huì)出現(xiàn)大量諧波，形成對電網(wǎng)系統(tǒng)諧波污染，危害極大，不能用在有電容補(bǔ)償電路中。。

    答；可控硅有兩種叫法，精細(xì)一點(diǎn)叫晶閘管。常用的電力半導(dǎo)體器件有；普通可控硅（SCR）、門極（GTO）關(guān)斷可控硅、電力可控硅（GTR）、電力MoS場效應(yīng)晶體管（MosFET）、絕緣柵雙極型晶體管、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等?？煽毓枘K；是根據(jù)不同的用途與技術(shù)要求，將單向可控進(jìn)行組合。兩只單向可控硅的串聯(lián)（一只的陽極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個(gè)可控硅模塊。常用于大功率三相橋式、單相橋式整流電路之中。兩只單相可控硅反向并聯(lián)（就是一只的陽極A與另一只的陰極K聯(lián)接，另一端點(diǎn)一只陰極k與一只陽極A相接）組成一只雙向可控硅模塊。常用于大功率三相或單相交流調(diào)壓電路中。例如軟啟動(dòng)器中改變電壓控制電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)的電路中。無論是什么結(jié)構(gòu)，它們的控制端都是由陰極K與門極G有二根線引出來控制的。下面簡述一下GT0門極可關(guān)斷可控硅的組成。見下面圖門極可關(guān)斷晶閘管簡稱可關(guān)斷晶閘管，用GTO表示。它是一種耐高電壓大電流全控器件。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結(jié)構(gòu)與普通可控硅ScR類似，它的三個(gè)極也是陽極A、陰極k、門極G。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號如上圖所示。其陽極伏安特性如下圖所示。當(dāng)陽極加有正電壓、陰極加有負(fù)電壓時(shí)。 雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。

    其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí)，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過零后的某一時(shí)刻t1（或某一相位角wt1），在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示。同理在正弦波交流電的負(fù)半周，對處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅（對兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言）在t2時(shí)刻（即相位角wt2）施加觸發(fā)脈沖，使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始，對正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通，獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間（或相位），即改變了導(dǎo)通角j（或控制角a）的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高，燈就越亮。從上述可控硅調(diào)光原理可知，調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了，除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài)。 雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。北京西門康SEMIKRON可控硅哪家好

它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備。北京西門康SEMIKRON可控硅哪家好

    C）的等效電路圖來分析。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能。■可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的最小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通。 北京西門康SEMIKRON可控硅哪家好