可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅模塊，它是1種大功率開關(guān)型半導體元器件，在線路中用字母符號為“V”、“VT”表達（舊標準中用字母“SCR”表達）?？煽毓枘K具備硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下運行，且其運行過程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān)、逆變及變頻等電子線路中?？煽毓枘K有很多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導通及控制方式分類可控硅模塊按其關(guān)斷、導通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅、逆導可控硅模塊、門極關(guān)斷可控硅模塊（GTO）、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種。（二）按引腳和極性分類可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。（三）按封裝形式分類可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類型。當中，金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形、平板形、圓殼形等很多種；塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種。（四）按電流容量分類可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種。通常，大功率可控硅多選用金屬殼封裝。 它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。北京西門康SEMIKRON可控硅廠家直銷
一、可控硅的結(jié)構(gòu)和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多。■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號見圖表-26?！鰪膱D表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?！隹煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅?？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。 北京西門康SEMIKRON可控硅廠家直銷可控硅導通后，當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關(guān)斷。
可控硅的主要參數(shù)有：1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導通，用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。可控硅分類編輯可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
電動機端電壓波形為正弦波，即全導通狀態(tài)；（圖示兩種狀態(tài)）當可控硅導通角α1《180°時，電動機端電壓波形如圖實線所示，即非全導通狀態(tài)，有效值減小；α1越小，導通狀態(tài)越少，則電壓有效值越小，所產(chǎn)生的磁場越小，則電機的轉(zhuǎn)速越低。但這時電動機電壓和電流波形不連續(xù)，波形差，故電動機的噪音大，甚至有明顯的抖動，并帶來干擾。這些現(xiàn)象一般是在微風或低風速時出現(xiàn)，屬正常。由以上的分析可知，采用可控硅調(diào)速其電機轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。3.各元器件作用及注意事項D15、R28、R29、E9、Z1、R30、C1組成降壓、整流、慮波穩(wěn)壓電路，獲得相對直流電壓12V，通過光電偶合器PC817給雙向可控硅BT131提供門極電壓；R25、C15組成RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)，解決可控硅導通與截止對電網(wǎng)的干擾，使其符合EMI測試標準；同時防止可控硅兩端電壓突變，造成無門極信號誤導通。TR1選用1A/400V雙向可控硅，TR1有方向性，T1、T2不可接反，否則電路不能正常工作。L2為扼流線圈，防止可控硅回路中電流突變，保護TR1，由于它是儲能元件，在TR1關(guān)斷和導通過程中，尖峰電壓接近50V，R24容易受沖擊損壞。 可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備。
1可控硅模塊是有PNPN四層半導體構(gòu)成的元件，有三個電極，陽極a，陰極K和控制機G所構(gòu)成的。21、可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細說明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調(diào)整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、等各類電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接，實現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功能，并可實現(xiàn)過流、過壓、過溫、缺相等保護功能。32、可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個可調(diào)的電壓或者電流信號，通過調(diào)整該信號的大小即可對可控硅模塊的輸出電壓大小進行平滑調(diào)節(jié)，實現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點或全部導通的過程。電壓或電流信號可取自各種控制儀表、計算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號采用0～5V，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式。43、滿足可控硅模塊工作的必要條件：（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±，紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求：標稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞，標稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞1A。5。 結(jié)構(gòu)重復性好，裝置的機械設(shè)計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優(yōu)點。進口西門康SEMIKRON可控硅服務(wù)電話
可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍。北京西門康SEMIKRON可控硅廠家直銷
答；可控硅有兩種叫法，精細一點叫晶閘管。常用的電力半導體器件有；普通可控硅（SCR）、門極（GTO）關(guān)斷可控硅、電力可控硅（GTR）、電力MoS場效應(yīng)晶體管（MosFET）、絕緣柵雙極型晶體管、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等?？煽毓枘K；是根據(jù)不同的用途與技術(shù)要求，將單向可控進行組合。兩只單向可控硅的串聯(lián)（一只的陽極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個可控硅模塊。常用于大功率三相橋式、單相橋式整流電路之中。兩只單相可控硅反向并聯(lián)（就是一只的陽極A與另一只的陰極K聯(lián)接，另一端點一只陰極k與一只陽極A相接）組成一只雙向可控硅模塊。常用于大功率三相或單相交流調(diào)壓電路中。例如軟啟動器中改變電壓控制電動機啟動的電路中。無論是什么結(jié)構(gòu)，它們的控制端都是由陰極K與門極G有二根線引出來控制的。下面簡述一下GT0門極可關(guān)斷可控硅的組成。見下面圖門極可關(guān)斷晶閘管簡稱可關(guān)斷晶閘管，用GTO表示。它是一種耐高電壓大電流全控器件。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結(jié)構(gòu)與普通可控硅ScR類似，它的三個極也是陽極A、陰極k、門極G。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號如上圖所示。其陽極伏安特性如下圖所示。當陽極加有正電壓、陰極加有負電壓時。 北京西門康SEMIKRON可控硅廠家直銷