吉林哪里有Infineon英飛凌晶閘管

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-10

    1.選擇晶閘管的類型晶閘管有多種類型,應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求合理選用。若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調(diào)壓、逆變電源、開關(guān)電源保護(hù)電路等,可選用普通晶閘管。若用于交流開關(guān)、交流調(diào)壓、交流電動機(jī)線性調(diào)速、燈具線性調(diào)光及固態(tài)繼電器、固態(tài)接觸器等電路中,應(yīng)選用雙向晶閘管。若用于交流電動機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等,可選用門極關(guān)斷晶閘管。若用于鋸齒波器、長時(shí)間延時(shí)器、過電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等,可選用立創(chuàng)商城晶閘管。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導(dǎo)磁能儲存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路,可選用逆導(dǎo)晶閘管。若用于光電耦合器、光探測器、光報(bào)警器、光計(jì)數(shù)器、光電邏輯電路及自動生產(chǎn)線的運(yùn)行監(jiān)控電路,可選用光控晶閘管。 逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間幾微秒,工作頻率達(dá)幾十千赫,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。吉林哪里有Infineon英飛凌晶閘管

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    為頻率相同,極性相反的正、負(fù)脈沖,使得VSI與VS2輪流導(dǎo)通,在變壓器次級即可得到頻率與UG相同的交流電壓。(5)交流調(diào)壓雙向晶閘管可以用作交流調(diào)壓器。如圖4-54所示為交流凋壓電路,雙向晶閘管VS為交流調(diào)壓器件。RP、R和C組成充放電回路,C上電壓作為雙向品閘管Vs的觸發(fā)電壓。接通電源后,電源通過RP和R向c充電,當(dāng)C上電壓達(dá)到雙向二極管VD觸發(fā)電壓時(shí),VS導(dǎo)通,直至電源電壓過零時(shí)關(guān)斷。調(diào)節(jié)電位器RP即可改變C的充電時(shí)間,也就改變了VS的導(dǎo)通角,達(dá)到交流調(diào)壓的目的。(6)調(diào)光電路晶體閘流管可以構(gòu)成調(diào)光電路。如圖4-55所示為采用單向晶閘管的臺燈調(diào)光電路,二極管VD1-VD4組成橋式整流器,將交流220V電壓整流為直流脈動電壓,以滿足單向晶閘管VS的工作要求。RP是燈光調(diào)節(jié)電位器,改變RP即可改變C的充電時(shí)間,從而改變晶閘管VS的導(dǎo)通角,使通過照明燈泡EL的電壓與電流發(fā)生變化,從而實(shí)現(xiàn)對臺燈亮度的調(diào)節(jié)。如圖4-56所示為采用雙向晶閘管的臺燈調(diào)光電路,雙向品閘管VS的觸發(fā)電壓取自電容器c。調(diào)節(jié)電位器RP改變C的充電時(shí)間,即可改變VS的導(dǎo)通角,實(shí)現(xiàn)對臺燈亮度的控制。采用雙向晶閘管可以簡化電路。 海南Infineon英飛凌晶閘管廠家直銷晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。

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    其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí),如果變壓器空載,輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流,導(dǎo)致回路中產(chǎn)生較大直流分量,嚴(yán)重時(shí)會燒掉保險(xiǎn)絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,可在模塊輸出端接一固定電阻,一般每相輸出電流不小于500mA(具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗(yàn)情況確定)。(2)小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,極易掀起折斷,接線時(shí)應(yīng)注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。(3)嚴(yán)禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。(4)模塊不能當(dāng)作隔離開關(guān)使用。為保證安全,模塊輸入端前面需加空氣開關(guān)。(5)測量模塊工作殼溫時(shí),測試點(diǎn)選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面。可將散熱器表面以下橫向打一深孔至散熱器中心,把熱電偶探頭插到孔底。要求該測試點(diǎn)的溫度應(yīng)≤80℃。晶閘管智能模塊晶閘管智能模塊模塊參數(shù)編輯a)工作頻率f為50Hz;b)模塊輸入交流電壓VIN(RMS)范圍:額定電壓為220VAC時(shí)為170~250VAC、額定電壓為380VAC時(shí)為300~450VAC(輸入電壓低于或高于上述各規(guī)定值時(shí),應(yīng)專門定做);c)三相交流輸出電壓不對稱度<6%;d)控制電源電壓12VDC;e)控制信號:VCON為0~10VDC;f)控制信號電流ICON≤1mA;g)輸出電壓溫度系數(shù)<。

    在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。2、使用可控硅之前,應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),應(yīng)立即更換。3、嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。5、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。損壞原因判別/晶閘管編輯當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個(gè)光潔的小孔,有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同,而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。 晶閘管承受反向陽極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。

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    晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項(xiàng)編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負(fù)載在起動時(shí)一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±;紋波電壓≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關(guān)電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。 1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化。江蘇Infineon英飛凌晶閘管銷售廠家

其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。吉林哪里有Infineon英飛凌晶閘管

    ④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離;⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通,宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種:①電磁觸發(fā)方式,將低電位觸發(fā)信號經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發(fā)方式成本較低,技術(shù)比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題,同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式,將觸發(fā)脈沖信號轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖,直接觸發(fā)高位光控晶閘管。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管,且該種晶閘管的成本較高,不適宜采用;③間接光觸發(fā)方式,利用光纖通信的方法,將觸發(fā)電脈沖信號轉(zhuǎn)化為光脈沖信號,經(jīng)處理后耦合到光電接受回路,把光信號轉(zhuǎn)化為電信號。既可以克服電磁干擾,又可以采用普通晶閘管,降低了成本。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)當(dāng)需要耐壓很高的開關(guān)時(shí),單個(gè)晶閘管的耐壓有限,單個(gè)晶閘管無法滿足耐壓需求,這時(shí)就需要將多個(gè)晶閘管串聯(lián)起來使用,從而得到滿足條件的開關(guān)。在器件的應(yīng)用中,由于各個(gè)元件的靜態(tài)伏安特性和動態(tài)參數(shù)不同,因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。 吉林哪里有Infineon英飛凌晶閘管