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    電路中電流增加很快，燈泡發(fā)光。隨著電流增大，二極管VD兩端電壓維持在0．6～0．7V之間不再增加。由此可見，在正向偏置情況下，二極管表現出不同電壓下具有不同的電阻值。為了準確描述這個物理現象，可以記錄每個電壓下對應的電流，從而描繪成曲線，可得到圖(b)所示的二極管正向電流、電壓關系特性在圖(b)所示正向特性中，當正向電壓較小時，正向電流幾乎為零(曲線OA段)，這時二極管并未真正導通，這一段所對應的電壓稱為二極管的死區(qū)電壓或閾值電壓，通常硅管約為0．5V，鍺管約為0．2V。當正向電壓大于死區(qū)電壓后，正向電流迅速增加，這時二極管才真正導通，由圖(b)可見，在A點以后曲線很陡，說明二極管兩端電壓幾乎恒定，硅管約為0．6～0．7V，鍺管約為0．2～0．3v。2．反向偏置與截止狀態(tài)二極管陽極接低電位，陰極接高電位，連接電路如圖(a)所示，這種連接稱為二極管的反向偏置。此時調節(jié)串聯在電路中的電阻大小發(fā)現，即使二極管兩端反向電壓較高時，電路中仍然幾乎沒有電流，燈泡不發(fā)光。當二極管兩端反向電壓到達足夠大時(對于各種二極管該電壓數值不同)，二極管會突然導通，并造成二極管的長久損壞。同樣可將反向偏置情況下的二極管電流與電壓關系描繪成曲線。 正向電壓降小，適于大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流。山東代理艾賽斯IXYS二極管模塊銷售廠家

    正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時。 廣西代理艾賽斯IXYS二極管模塊銷售二極管是雙端子電子元件，傳導電流主要在一個方向（非對稱電導）。

    二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為復雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術決定的。二極管使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"CatsWhisker"Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”)?，F今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。1、正向性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。當正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。2、反向性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。

    二極管將失去單方向導電特性，這種狀態(tài)稱為二極管的擊穿。二極管的主要參數用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。對初學者而言，必須了解以下幾個主要參數：1、額定正向工作電流是指二極管長期連續(xù)工作時允許通過的大正向電流值。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度(硅管為140左右，鍺管為90左右)時，就會使管芯過熱而損壞。所以，二極管使用中不要超過二極管額定正向工作電流值。例如，常用的IN4001-4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。2、高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規(guī)定了高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。3、反向電流反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25時反向電流若為250uA，溫度升高到35，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75時，它的反向電流已達8mA。 產品擴充到大功率的盤狀可控硅二極管,壓接式IGBT,固態(tài)繼電器,電源管理IC,RFMOSFET及其驅動。

    導通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏[4]。二極管正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。[4]當正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。[4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為，鍺管約為。硅二極管的正向導通壓降約為，鍺二極管的正向導通壓降約為。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。 二極管可以想成電子版的逆止閥。廣西代理艾賽斯IXYS二極管模塊銷售

IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達上市的世界半導體生產商。山東代理艾賽斯IXYS二極管模塊銷售廠家

    整流二極管一種將交流電能轉變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽w器件。通常它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。二極管重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。整流二極管是利用PN結的單向導電特性，把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大，多數采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示，另外，整流二極管的參數除前面介紹的幾個外，還有大整流電流，是指整流二極管長時間的工作所允許通過的大電流值。它是整流二極管的主要參數，是選項用整流二極管的主要依據。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著大量的電子，貴金屬中有極少量的自由電子。 山東代理艾賽斯IXYS二極管模塊銷售廠家