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    那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說，一個(gè)雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會(huì)有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導(dǎo)通。對(duì)雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極。它的任何一個(gè)主電極，對(duì)圖3(b)中的兩個(gè)晶閘管管子來講，對(duì)一個(gè)管子是陽極，對(duì)另一個(gè)管子就是陰極，反過來也一樣。因此，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓，它都能被觸發(fā)導(dǎo)通。如此，雙向晶閘管還有一個(gè)重要的特點(diǎn)，這就是：不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何，也就是不管所加的觸發(fā)信號(hào)電壓UG對(duì)T1是正向還是反向，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。雙向晶閘管的這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒有的?？焖倬чl管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因?yàn)槠骷膶?dǎo)通或關(guān)斷需要一定時(shí)間，同時(shí)陽極電壓上升速度太快時(shí)，會(huì)使元件誤導(dǎo)通；陽極電流上升速度太快時(shí)，會(huì)燒毀元件。人們?cè)谥圃旃に嚭徒Y(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施，做出了能適應(yīng)于高頻應(yīng)用的晶閘管。 晶閘管為半控型電力電子器件。湖南哪里有Infineon英飛凌晶閘管代理商

    晶閘管是具有高耐壓容量與大電流容量的器件。國(guó)內(nèi)外主要制作的大功率晶閘管都是應(yīng)用在高壓直流輸電中。所制造出的大功率晶閘管，大直徑可達(dá)6英寸，單閥片耐壓值高可達(dá)11KV，的通流能力高可達(dá)4500A。在該領(lǐng)域比較的有瑞士的ABB以及國(guó)內(nèi)的株洲南車時(shí)代。[1]為提高晶閘管的通流能力、開通速度、di/dt承受能力，國(guó)外在普通晶閘管的基礎(chǔ)上研制出了兩種新型的晶閘管：門極關(guān)斷晶閘管GTO以及集成門極換流晶閘管IGCT。這兩種器件都已經(jīng)在國(guó)外投入實(shí)際使用。其中GTO的單片耐壓可達(dá)，工況下通流能力可達(dá)4kA，而目前研制出的在電力系統(tǒng)中使用的IGCT的高耐壓可達(dá)10kV，通流能力可達(dá)。[1]針對(duì)脈沖功率電源中應(yīng)用的晶閘管，國(guó)內(nèi)還沒有廠家在這方面進(jìn)行研究，在國(guó)際上具有技術(shù)的是瑞士ABB公司。他們針對(duì)脈沖功率電源用大功率晶閘管進(jìn)行了十?dāng)?shù)年的研究。目前采用的較成熟的器件為GTO，其直徑為英寸，單片耐壓為，通常3個(gè)閥片串聯(lián)工作。可以承受的電流峰值為120kA/90us，電流上升率di/dt高可承受。門極可承受觸發(fā)電流大值為800A，觸發(fā)電流上升率di/dt大為400A/us。其新研制出的IGCT擁有更好的性能，其直徑為英寸，單閥片耐壓值也是。大通流能力已經(jīng)可以達(dá)到180kA30us。 河北哪里有Infineon英飛凌晶閘管服務(wù)電話晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。

    晶閘管晶體閘流管簡(jiǎn)稱為品閘管，也叫做可控硅，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。因?yàn)樗梢韵耖l門一樣控制電流，所以稱之為“晶體閘流管”。晶體閘流管是常用的功率型半導(dǎo)體控制器件之一，具有的用途。如圖4-42所爾為部分常見晶體閘流管。晶體閘流管種類和規(guī)格很多，適用于各種不同的場(chǎng)合。根據(jù)控制特性的不同，晶體閘流管可分為單向晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、正向阻斷晶閘管、反向阻斷晶閘管、光控晶閘管等。根據(jù)電流容量的不同，晶體閘流管可分為小功率管、功率管和大功率管。根據(jù)關(guān)斷速度的不同，晶體閘流管可分為普通晶閘管和高頻晶閘管（工作頻率>lOkHz）。根據(jù)封裝和外觀形式的不同，晶體閘流管可分為塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式、大功率螺栓式和平板式等。雙向晶閘管是在單向晶閘管的基礎(chǔ)之上開發(fā)出來的，是一種交流型功率控制器件。雙向品閘管不僅能夠取代兩個(gè)反向并聯(lián)的單向晶閘管，而且只需要一個(gè)觸發(fā)電路，使用很方便。可關(guān)斷晶閘管也稱為門控晶閘管，是在普通晶閘管基礎(chǔ)上發(fā)展起來的功率型控制器件。怎樣識(shí)別晶閘管晶體閘流管的文字符號(hào)為“VS”，圖形符號(hào)如圖4-43所示。國(guó)產(chǎn)晶體閘流管的型號(hào)見表4-3。

    ④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式，將低電位觸發(fā)信號(hào)經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發(fā)方式成本較低，技術(shù)比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題，同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式，將觸發(fā)脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖，直接觸發(fā)高位光控晶閘管。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高，不適宜采用；③間接光觸發(fā)方式，利用光纖通信的方法，將觸發(fā)電脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)化為光脈沖信號(hào)，經(jīng)處理后耦合到光電接受回路，把光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。既可以克服電磁干擾，又可以采用普通晶閘管，降低了成本。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)當(dāng)需要耐壓很高的開關(guān)時(shí)，單個(gè)晶閘管的耐壓有限，單個(gè)晶閘管無法滿足耐壓需求，這時(shí)就需要將多個(gè)晶閘管串聯(lián)起來使用，從而得到滿足條件的開關(guān)。在器件的應(yīng)用中，由于各個(gè)元件的靜態(tài)伏安特性和動(dòng)態(tài)參數(shù)不同，因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。 塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

    用兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應(yīng)為較小阻值，如圖4-60所示。用兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應(yīng)為無窮大，如圖4-61所示。檢測(cè)雙向晶閘管導(dǎo)通特性時(shí)，萬用表仍置于“RX1Ω”擋，黑表筆接主電極T1，紅表筆接主電極T2，表針指示應(yīng)為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處，如圖4-62所示。含則說明該雙向晶閘管已損壞。(3)檢測(cè)可關(guān)斷晶閘管檢測(cè)時(shí)，將萬用表置于“RXlΩ”擋，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，表針指示應(yīng)為阻值無窮大。用一節(jié)，電池負(fù)極串聯(lián)一只100Ω左右的限流電阻接在可關(guān)斷晶閘管的陰極K上。當(dāng)用電池正極觸碰一下控制極G后，萬用表表針應(yīng)右偏指示品閘管導(dǎo)通，如圖4-63所示。然后調(diào)換電池極行，改為電池正極串聯(lián)一只100Ω左右的限流電阻接在可關(guān)斷晶閘管的限極K上，用電池負(fù)極觸碰一下控制極G后，用萬用表表針應(yīng)向左返回至阻值無窮大，指示晶閘管已關(guān)斷。否則說明可關(guān)斷晶閘管已損壞。 其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等。遼寧Infineon英飛凌晶閘管貨源充足

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    在恢復(fù)電流快速衰減時(shí)，由于外電路電感的作用，會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過程比較慢，晶閘管要恢復(fù)其對(duì)反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓，晶閘管會(huì)重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中，需對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開通時(shí)間t、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I：國(guó)際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù)。 湖南哪里有Infineon英飛凌晶閘管代理商