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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-26

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí),小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí),半導(dǎo)體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)目增加,反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí),反向電流會(huì)突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復(fù),否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子。 因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子,它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵,因缺少一個(gè)電子,在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位。江蘇進(jìn)口Infineon英飛凌二極管廠家電話

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    白熾燈和節(jié)能燈在使用一段時(shí)間之后都會(huì)產(chǎn)生熱量,這個(gè)熱量正好是蟲(chóng)子喜歡的,就容易吸引蟲(chóng)子過(guò)來(lái)。這無(wú)疑會(huì)對(duì)燈表面帶來(lái)很多的污染物,而且,蟲(chóng)子的排泄物還會(huì)使得室內(nèi)變得很臟。但是,LED燈是冷光源,不會(huì)吸引蟲(chóng)子過(guò)來(lái)的,這樣,就不會(huì)產(chǎn)生蟲(chóng)子的排泄物。所以說(shuō),LED燈更加的“干凈”。[3]發(fā)光二極管相關(guān)參數(shù)編輯LED的光學(xué)參數(shù)中重要的幾個(gè)方面就是:光通量、發(fā)光效率、發(fā)光強(qiáng)度、光強(qiáng)分布、波長(zhǎng)。發(fā)光效率和光通量發(fā)光效率就是光通量與電功率之比,單位一般為lm/W。發(fā)光效率光源的節(jié)能特性,這是衡量現(xiàn)代光源性能的一個(gè)重要指標(biāo)。發(fā)光強(qiáng)度和光強(qiáng)分布LED發(fā)光強(qiáng)度是表征它在某個(gè)方向上的發(fā)光強(qiáng)弱,由于LED在不同的空間角度光強(qiáng)相差很多,隨之而來(lái)我們研究了LED的光強(qiáng)分布特性。這個(gè)參數(shù)實(shí)際意義很大,直接影響到LED顯示裝置的小觀察角度。比如體育場(chǎng)館的LED大型彩色顯示屏,如果選用的LED單管分布范圍很窄,那么面對(duì)顯示屏處于較大角度的觀眾將看到失真的圖像。而且交通標(biāo)志燈也要求較大范圍的人能識(shí)別。波長(zhǎng)對(duì)于LED的光譜特性我們主要看它的單色性是否優(yōu)良,而且要注意到紅、黃、藍(lán)、綠、白色LED等主要的顏色。因?yàn)樵谠S多場(chǎng)合下,比如交通信號(hào)燈對(duì)顏色就要求比較嚴(yán)格。 上海Infineon英飛凌二極管哪家好通過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小。

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    增加“二極管”Q2的一個(gè)好處是可以使Q2的正向電壓和Q1的電壓非常接近,因?yàn)榱鹘?jīng)這兩者的電流幾乎完全一樣。要想獲得與Q2匹配的佳電壓,應(yīng)使用與Q1同樣的電阻器。另一個(gè)好處是兩個(gè)電阻器具有相同的溫度系數(shù),使兩者可以更準(zhǔn)確地追蹤彼此的正向電壓。與Vbe變化相關(guān)的溫度誤差少,因?yàn)樗鼈儽舜讼嗷サ窒╒FB~Vout—VbeQ1+VbeQ2)。將Q1和Q2放在相鄰的位置非常重要,因?yàn)檫@樣兩者就處于相同的溫度下,如有可能,請(qǐng)使用雙晶體管封裝。圖3:電平移位器用Q2抵消Q1相關(guān)的變化。圖4的第3個(gè)示例顯示帶有一組電荷泵級(jí)的升壓轉(zhuǎn)化器,每級(jí)“n”向總輸出增加近似“V1”,得到結(jié)果“Vn+1”。圖4:電荷泵二極管壓降可以相互抵消。總輸出電壓的近似值為:在公式(1)中,可以看出Vn+1很大程度上由n的倍數(shù)決定,但受到二級(jí)管正向壓降相關(guān)的“誤差項(xiàng)”和電荷泵轉(zhuǎn)換電容紋波電壓的影響,會(huì)有所減少。假設(shè)所有二極管都是相同類型的,那么它們的正向電壓等于:VD1=VDa=VDb,得出公式(2):公式(2)中,右邊的“誤差項(xiàng)”使輸出電壓低于理想的n+1倍。要改進(jìn)這點(diǎn),VDa和VDb使用肖特基二極管,而VD1使用傳統(tǒng)二極管,正向電壓降等于:VDa=VDb=VD1/2,得出公式(3):從公式(3)可以看出。

    主要應(yīng)用于各種光控及遙控發(fā)射電路中。紅外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)、原理與普通發(fā)光二極管相近,只是使用的半導(dǎo)體材料不同。紅外發(fā)光二極管通常使用砷化鎵(GaAs)、砷鋁化鎵(GaAlAs)等材料,采用全透明或淺藍(lán)色、黑色的樹(shù)脂封裝。常用的紅外發(fā)光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。發(fā)光二極管紫外發(fā)光二極管基于半導(dǎo)體材料的紫外發(fā)光二極管(UVLED)具有節(jié)能、環(huán)保和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),在殺菌消毒、醫(yī)療和生化檢測(cè)等領(lǐng)域有重大的應(yīng)用價(jià)值。近年來(lái),半導(dǎo)體紫外光電材料和器件在全球引起越來(lái)越多的關(guān)注,成為研發(fā)熱點(diǎn)。2018年12月9一12日,由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主辦的第三屆“國(guó)際紫外材料與器件研討會(huì)”(IWUMD一2018)在云南昆明召開(kāi),來(lái)自十二個(gè)國(guó)家的270余位出席了會(huì)議。本次會(huì)議匯聚了國(guó)內(nèi)外在紫外發(fā)光二極管材料和器件相關(guān)領(lǐng)域的多位的研發(fā)成果報(bào)告。[4]目前,紫外發(fā)光二極管是氮化物技術(shù)發(fā)展和第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)發(fā)展的主要趨勢(shì),擁有廣闊的應(yīng)用前景。中國(guó)科技部為了加快第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源的發(fā)展,爭(zhēng)施了“第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)”重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專項(xiàng)(2016YFB0400800)。 當(dāng)無(wú)光照時(shí),光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。

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    南京工業(yè)大學(xué)與浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)合作報(bào)道了外量子效率為,為當(dāng)時(shí)的高紀(jì)錄,也是國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域的首篇論文。隨后,北京理工大學(xué)和南京理工大學(xué)相繼報(bào)道了基于量子點(diǎn)的鈣鈦礦LED。2016年,南京工業(yè)大學(xué)采用具有多量子阱結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦實(shí)現(xiàn)了外量子效率突破10%的近紅外鈣鈦礦LED,相關(guān)成果于2016年發(fā)表于《NaturePhotonics》。采用類似方法,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所將綠光鈣鈦礦LED的外量子效率提高到。2018年,南京工業(yè)大學(xué)將近紅外鈣鈦礦LED外量子效率提升至,性能媲美已產(chǎn)業(yè)化的有機(jī)和量子LED。同年,華僑大學(xué)”州將綠光鈣鈦礦LED的EQE提升至。這兩項(xiàng)國(guó)內(nèi)成果被《Nature》邀請(qǐng)的領(lǐng)域評(píng)述為“突破性成果”,“是鈣鈦礦材料在發(fā)光二極管中應(yīng)用的里程碑式跨越”,“使鈣鈦礦LED技術(shù)突破性能障礙,將推動(dòng)鈣鈦礦LED的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展”。總體來(lái)說(shuō),目前我國(guó)在鈣鈦礦LED研究方面處于地位,特別是在高亮度、高穩(wěn)定性鈣鈦礦發(fā)光器件方面,已經(jīng)取得具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。有世界影響力的創(chuàng)新成果。[2]盡管鈣鈦礦LED的研究已經(jīng)取得了很大的進(jìn)展,但其發(fā)展仍然面臨著諸多挑戰(zhàn)。首先,鈣鈦礦LED的穩(wěn)定性問(wèn)題需要解決。目前通過(guò)材料設(shè)計(jì)、器件結(jié)構(gòu)及界面優(yōu)化等方法已大提升了鈣鈦礦LED的穩(wěn)定性。 當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。上海Infineon英飛凌二極管哪家好

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。江蘇進(jìn)口Infineon英飛凌二極管廠家電話

    二極管,(英語(yǔ):Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò),許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(VaricapDiode)則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流(Rectifying)”功能。二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過(guò)(稱為順向偏壓),反向時(shí)阻斷(稱為逆向偏壓)。因此,二極管可以想成電子版的逆止閥。早期的真空電子二極管;它是一種能夠單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個(gè)PN結(jié)兩個(gè)引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的傳導(dǎo)性。一般來(lái)講,晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體燒結(jié)形成的p-n結(jié)界面。在其界面的兩側(cè)形成空間電荷層,構(gòu)成自建電場(chǎng)。當(dāng)外加電壓等于零時(shí),由于p-n結(jié)兩邊載流子的濃度差引起擴(kuò)散電流和由自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài),這也是常態(tài)下的二極管特性。早期的二極管包含“貓須晶體(“Cat‘sWhisker”Crystals)”以及真空管(英國(guó)稱為“熱游離閥(ThermionicValves)”)?,F(xiàn)今普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。 江蘇進(jìn)口Infineon英飛凌二極管廠家電話