廣西進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管模塊代理商

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-07-30

    產(chǎn)生波形失真和噪聲??申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管(GTR),只是工作頻率比GTR低。目前,GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門(mén)極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽(yáng)極大可關(guān)斷電流IATM與門(mén)極大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說(shuō)明門(mén)極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔。 晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個(gè)PN結(jié),可以把它中間的NP分成兩部分。廣西進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管模塊代理商

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    它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開(kāi)關(guān)量輸入、故障及報(bào)警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設(shè)定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線(xiàn)電壓:≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作電源:?jiǎn)蜗?20V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號(hào):三相同步,AC380V,50HZ,電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號(hào):DC0∽10V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號(hào)大共模電壓≤10V,其他需定制(5)IF電流反饋信號(hào):DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號(hào)大共模電壓≤5V,其他需定制。⑹1F電流反饋信號(hào):DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號(hào)大共模電壓≤5V,其他需定制。⑺2F電流反饋信號(hào):DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號(hào)大共模電壓≤5V,其他需定制。⑻電位器給定接口:自帶電源,每個(gè)接口只能接一個(gè)R≥電位器。⑼儀表控制接口:常規(guī)0~10mA儀表控制信號(hào)輸入,內(nèi)阻抗≥500Ω。其他需定制。⑽開(kāi)關(guān)量輸入節(jié)點(diǎn):4路開(kāi)關(guān)量輸入,自帶電源,禁止同其他電源混接。⑾故障及報(bào)警繼電板輸出接點(diǎn):故障和及報(bào)警各一對(duì)常開(kāi)接點(diǎn)輸出,容量:AC220V/1A。⑿脈沖輸出:六路帶調(diào)制的觸發(fā)脈沖隔離輸出。 廣西進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管模塊代理商當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。

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    在恢復(fù)電流快速衰減時(shí),由于外電路電感的作用,會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零,到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間,就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過(guò)程結(jié)束后,由于載流子復(fù)合過(guò)程比較慢,晶閘管要恢復(fù)其對(duì)反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間,這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓,晶閘管會(huì)重新正向?qū)?,而不受門(mén)極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中,需對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反壓,使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力,電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和,即t=t+t除了開(kāi)通時(shí)間t、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外,本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括:斷態(tài)(反向)重復(fù)峰值電壓U(U):是在門(mén)極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí),允許重復(fù)加在器件上的正向(反向)峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I:國(guó)際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允許流過(guò)的大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標(biāo)稱(chēng)其額定電流的參數(shù)。

    晶閘管又被稱(chēng)做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅。關(guān)鍵字:晶閘管單結(jié)晶體管構(gòu)成晶閘管觸發(fā)電路用單結(jié)晶體管構(gòu)成的晶閘管觸發(fā)電路如圖1所示,觸發(fā)電路的有關(guān)電壓波形如圖2所示。與單結(jié)晶體管構(gòu)成弛張振蕩電路相比較,電路的振蕩部分相同,同步是關(guān)鍵字:?jiǎn)谓Y(jié)晶體觸發(fā)電路晶閘管LittelfuseSIDACtor®保護(hù)晶閘管可在高頻度浪涌環(huán)境中加強(qiáng)浪涌保護(hù)Littelfuse,Inc.,作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的企業(yè),今宣布推出兩個(gè)SIDACtor®保護(hù)晶閘管產(chǎn)品系列,專(zhuān)為保護(hù)高頻強(qiáng)度或異常環(huán)境中的設(shè)備免受?chē)?yán)重的瞬態(tài)過(guò)電壓而設(shè)計(jì)。Pxxx0MEL5kA系列和Pxxx0FNL3kA系列SIDACtor保護(hù)晶閘管能夠更加可靠地應(yīng)對(duì)多次高能量浪涌事件。很多未采用半導(dǎo)體的高功率防護(hù)產(chǎn)品在經(jīng)歷幾次浪涌事件后便會(huì)出現(xiàn)性能減退,采用半導(dǎo)體的Pxxx0MEL和Pxxx0FNL系列則與之不同,可發(fā)生多次浪涌關(guān)鍵字:Littelfuse晶閘管晶閘管在電力變換及控制中的應(yīng)用關(guān)鍵字:變頻技術(shù)晶閘管光敏開(kāi)關(guān)電路于規(guī)模自動(dòng)照明中的應(yīng)用光敏開(kāi)關(guān)電路于規(guī)模自動(dòng)照明中的應(yīng)用-一個(gè)非常簡(jiǎn)單的光敏開(kāi)關(guān)電路,可用于在規(guī)模自動(dòng)照明等應(yīng)用,一束光的作用下自動(dòng)打開(kāi)門(mén)。 其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。

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    輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?,但電流的有效值很?。ㄖ绷鲀x表一般顯示平均值,交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。?,但是輸出電流的有效值很大,半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比,會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此,模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角的65%以上工作,及控制電壓應(yīng)在5V以上。7、模塊規(guī)格的選取方法考慮到晶閘管產(chǎn)品一般都是非正弦電流,存在導(dǎo)通角的問(wèn)題并且負(fù)載電流有一定的波動(dòng)性和不穩(wěn)定因素,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,在選取模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U大?MU實(shí)際K:安全系數(shù),阻性負(fù)載K=,感性負(fù)載K=2;I負(fù)載:負(fù)載流過(guò)的大電流;U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓;U大:模塊能輸出的大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的,單相整流模塊為輸入電壓的,其余規(guī)格均為);I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱(chēng)的電流必須大于該值。模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短時(shí)過(guò)載能力,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在使用中必須配備散熱器和風(fēng)機(jī),建議采用帶有過(guò)熱保護(hù)功能的產(chǎn)品,有水冷散熱條件的優(yōu)先選擇水冷散熱。我們經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)算。 當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),晶閘管就會(huì)立即損壞。黑龍江Infineon英飛凌晶閘管模塊銷(xiāo)售

晶閘管工作條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流。廣西進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管模塊代理商

    測(cè)量任意兩腳間的電阻,當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。(此處指的模擬表,電子式萬(wàn)用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),又稱(chēng)光觸發(fā)晶閘管。國(guó)內(nèi)也稱(chēng)GK型光開(kāi)關(guān)管,是一種光敏器件。1.光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極:控制極G、陽(yáng)極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射,沒(méi)有必要再引出控制極,所以只有兩個(gè)電極(陽(yáng)極A和陰極K)。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構(gòu)成。從外形上看,光控晶閘管亦有受光窗口,還有兩條管腳和殼體,酷似光電二極管。2.光控晶閘管的工作原理當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓,陰極加上負(fù)向電壓時(shí),控晶閘管可以等效成的電路??赏扑愠鱿率剑篒a=Il/[1-(a1+a2)]式中,Il為光電二極管的光電流;Ia為光控晶閘管陽(yáng)極電流,即光控晶閘管的輸出電流;a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數(shù)。由上式可知,Ia與Il成正比,即當(dāng)光電二極管的光電流增大時(shí),光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大,同時(shí)Il的增大。 廣西進(jìn)口Infineon英飛凌晶閘管模塊代理商