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來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-08-05

    所以在自然冷卻散熱的情況下,整流橋的大部分損耗是通過該引腳把熱量傳遞給PCB板,然后由PCB板擴(kuò)充其換熱面積而散發(fā)到周圍的環(huán)境中去。具體的分析計(jì)算如下:1、整流橋表面熱阻如圖2所示,可以得到整流橋的正向散熱面距熱源的距離為,背向散熱面距熱源的距離為,因此忽約其熱量在這四個(gè)表面的散發(fā),可以得到整流橋正面和背面的傳熱熱阻為:一個(gè)二極管的熱阻為:由于在同一時(shí)間,整流橋內(nèi)的四個(gè)二極管只有兩個(gè)在同時(shí)進(jìn)行工作,因此整流橋正面與背面的傳熱熱阻應(yīng)分別為兩個(gè)二極管熱阻的并聯(lián),即:由于整流橋表面到周圍空氣間的散熱為自然對流換熱,則整流橋殼體表面的自然冷卻熱阻為:由上所述,可以得到整流橋通過殼體表面(正面和背面)的結(jié)溫與環(huán)境的熱阻分別為:則整流橋通過殼體表面途徑對環(huán)境進(jìn)行傳熱的總熱阻為:2、整流橋引腳熱阻假設(shè)整流橋焊接在PCB板上,其引腳的長度為(從二極管的基銅板到PCB板上的焊盤),則整流橋一個(gè)引腳的熱阻為:在整流橋內(nèi)部,四個(gè)二極管是分成兩組且每組共用一個(gè)引腳銅板,因此整流橋通過引腳散熱的熱阻為這兩個(gè)引腳的并聯(lián)熱阻:一方面由于PCB板的熱容比較大,另一方面冷卻風(fēng)與PCB板的接觸面積較大,其換熱條件較好。 整流橋堆一般用在全波整流電路中,它又分為全橋與半橋。吉林進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷

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    本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,特別是涉及一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組。背景技術(shù):目前照明領(lǐng)域led驅(qū)動照明正在大規(guī)模代替節(jié)能燈的應(yīng)用,由于用量十分巨大,對于成本的要求比較高。隨著系統(tǒng)成本的一再降低,主流的拓?fù)浼軜?gòu)基本已經(jīng)定型,很難再從外圈節(jié)省某個(gè)元器件,同時(shí)芯片工藝的提升對于高壓模擬電路來說成本節(jié)省有限,基本也壓縮到了。目前的主流的小功率交流led驅(qū)動電源方案一般由整流橋、芯片(含功率mos器件)、高壓續(xù)流二極管、電感、輸入輸出電容等元件組成,系統(tǒng)中至少有三個(gè)不同封裝的芯片,導(dǎo)致芯片的封裝成本高,基本上占到了芯片成本的一半左右,因此,如何節(jié)省封裝成本,已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本實(shí)用新型的目的在于提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中芯片封裝成本高的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)至少包括:塑封體,設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號地管腳、漏極管腳、采樣管腳。 廣東西門康SEMIKRON整流橋模塊廠家電話在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi),同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作。

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    所述火線管腳l、所述零線管腳n、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain與臨近管腳之間的間距一般設(shè)置為大于2mm,不能低于,包括但不限于~2mm,2mm~3mm,進(jìn)而滿足高壓的安全間距要求。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,所述信號地管腳gnd的寬度大于,進(jìn)一步設(shè)置為~1mm,以加強(qiáng)散熱,達(dá)到封裝熱阻的作用。在本實(shí)施例中,如圖1所示,所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側(cè),所述零線管腳n、所述信號地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側(cè)。需要說明的是,各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定,不以本實(shí)施例為限。如圖1所示,所述整流橋的一交流輸入端通過基島或引線連接所述火線管腳,第二交流輸入端通過基島或引線連接所述零線管腳,一輸出端通過基島或引線連接所述高壓供電管腳,第二輸出端通過基島或引線連接所述信號地管腳。具體地,作為本實(shí)用新型的一種實(shí)現(xiàn)方式,所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過基島或引線連接至對應(yīng)管腳。在本實(shí)施例中,所述整流橋采用兩個(gè)n型二極管及兩個(gè)p型二極管實(shí)現(xiàn),其中,一整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管。

1、鋁基導(dǎo)熱底板:其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時(shí),使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力。2、DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時(shí),DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,使模塊具有有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。3、電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂。特點(diǎn)是方便小巧。不占地方。

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    所述變壓器的第二線圈一端經(jīng)由所述二極管d及所述第五電容c5連接所述第二線圈的另一端。如圖6所示,所述二極管d的正極連接所述變壓器的第二線圈,負(fù)極連接所述第五電容c5。如圖6所示,所述負(fù)載連接于所述第五電容c5的兩端。具體地,在本實(shí)施例中,所述負(fù)載為led燈串,所述led燈串的正極連接所述二極管d的負(fù)極,負(fù)極連接所述第五電容c5與所述變壓器的連接節(jié)點(diǎn)。如圖6所示,所述第三采樣電阻rcs3的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs,另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為隔離場合的小功率led驅(qū)動電源應(yīng)用,適用于兩繞組flyback(3w~25w)。實(shí)施例四本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu),與實(shí)施例一~三的不同之處在于,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1還包括電源地管腳bgnd,所述整流橋的第二輸出端不連接所述信號地管腳gnd,而連接所述電源地管腳bgnd,相應(yīng)地,所述整流橋的設(shè)置方式也做適應(yīng)性修改,在此不一一贅述。如圖7所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組與實(shí)施例二的不同之處在于,所述電源模組中的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1采用本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,還包括第六電容c6及第二電感l(wèi)2。 整流二極管的一次導(dǎo)通過程,可視為一個(gè)“選**沖”,其脈沖重復(fù)頻率就等于交流電網(wǎng)的頻率(50Hz)。山西進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊代理商

整流橋是將數(shù)個(gè)整流二極管封在一起組成的橋式整流器件,主要作用是把交流電轉(zhuǎn)換為直流電,也就是整流。吉林進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷

    大多數(shù)的整流全橋上均標(biāo)注有“+”、“一”、“~”符號(其中“+”為整流后輸出電壓的正極,“一”為輸出電壓的負(fù)極,兩個(gè)“~”為交流電壓輸入端),很容易確定出各電極。檢測時(shí),可通過分別測量“+”極與兩個(gè)“~”極、“一”極與兩個(gè)“~”之間各整流二極管的正、反向電阻值(與普通二極管的測量方法相同)是否正常,即可判斷該全橋是否損壞。若測得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大,則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。高壓硅堆的檢測高壓硅堆內(nèi)部是由多只高壓整流二極管(硅粒)串聯(lián)組成,檢測時(shí),可用萬用表的R×lok擋測量其正、反向電阻值。正常的高壓硅堆的正向電阻值大于200kfl,反向電阻值為無窮大。若測得其正、反向均有一定電阻值,則說明該高壓硅堆已被擊穿損壞。肖特基二極管的檢測二端肖特基二極管可以用萬用表Rl擋測量。正常時(shí),其正向電阻值(黑表筆接正極)為~,反向電阻值為無窮大。若測得正、反向電阻值均為無窮大或均接近O,則說明該二極管已開路或擊穿損壞。三端肖特基二極管應(yīng)先測出其公共端,判別出是共陰對管,還是共陽對管,然后再分別測量兩個(gè)二極管的正、廈向電阻值。整流橋堆全橋的極性判別方法極性的判別1)外觀判別法。 吉林進(jìn)口西門康SEMIKRON整流橋模塊工廠直銷