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所述第六電容c6的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的高壓供電管腳hv，另一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的電源地管腳bgnd。具體地，所述第二電感l(wèi)2連接于所述合封整流橋的封裝結構1的電源地管腳bgnd與信號地管腳gnd之間。需要說明的是，本實施例增加所述電源地管腳bgnd實現整流橋的接地端與所述邏輯電路122的接地端分開，通過外置電感實現emi濾波，減小電磁干擾。同樣適用于實施例一及實施例三的電源模組，不限于本實施例。需要說明的是，所述整流橋的設置方式、所述功率開關管與所述邏輯電路的設置方式，以及各種器件的組合可根據需要進行設置，不以本實用新型列舉的幾種實施例為限。另外，由于應用的多樣性，本實用新型主要針對led驅動領域的三種使用整流橋的拓撲進行了示例，類似的結構同樣適用于充電器/適配器等ac-dc電源領域等，尤其是功率小于25w的中小功率段應用，本領域的技術人員很容易將其推廣到其他使用了整流橋的應用領域。本實用新型的拓撲涵蓋led驅動的高壓線性、高壓buck、flyback三個應用，并可以推廣到ac-dc充電器/適配器領域全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構成的。海南代理西門康SEMIKRON整流橋模塊服務電話

負極連接所述高壓續(xù)流二極管的負極；所述高壓續(xù)流二極管的正極通過基島或引線連接所述漏極管腳；所述邏輯電路的高壓端口連接所述高壓供電管腳。為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結構，一電容，負載及一采樣電阻；所述合封整流橋的封裝結構的火線管腳連接火線，零線管腳連接零線，信號地管腳接地；所述一電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的高壓供電管腳，另一端接地；所述負載連接于所述合封整流橋的封裝結構的高壓供電管腳與漏極管腳之間；所述一采樣電阻的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的采樣管腳，另一端接地。為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型還提供一種電源模組，所述電源模組至少包括：上述合封整流橋的封裝結構，第二電容，第三電容，一電感，負載及第二采樣電阻；所述合封整流橋的封裝結構的火線管腳連接火線，零線管腳連接零線，信號地管腳接地；所述第二電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的高壓供電管腳，另一端接地；所述第三電容的一端連接所述合封整流橋的封裝結構的高壓供電管腳。青海西門康SEMIKRON整流橋模塊整流橋，就是將橋式整流的四個二極管封裝在一起，只引出四個引腳。

    n型二極管的下層為n型摻雜區(qū)，上層為p型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁；第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管，p型二極管的下層為p型摻雜區(qū)，上層為n型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀，上層頂面鍍鋁。所述一整流二極管dz1的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上，正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第二整流二極管dz2的負極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上，正極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于信號地基島14上，負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述零線管腳n。所述第四整流二極管dz4的正極(金屬銀層)通過導電膠或錫膏粘接于所述信號地基島14上，負極(金屬鋁層)通過金屬引線連接所述火線管腳l。需要說明的是，所述整流二極管可以是由單一pn結構成的二極管，也可以是通過其他形式等效得到的二極管結構，包括但不限于mos管，在此不一一贅述。需要說明的是，本實用新型中所述的“連接至管腳”包括但不限于通過金屬引線直接連接管腳(金屬引線的一端設置在管腳上)，還包括通過金屬引線連接與管腳連接的導電部件。

    金屬引線的一端設置在與管腳連接的導電部件上)，能實現電連接即可，不限于本實施例。需要說明的是，所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實現，不限于本實施例，任意可實現整流橋連接關系的設置方式均可，在此不一一贅述。如圖1所示，在本實施例中，所述功率開關管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內。具體地，所述功率開關管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d，源極連接所述邏輯電路的采樣端口，柵極連接所述邏輯電路的控制信號輸出端(輸出邏輯控制信號)；所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口連接所述功率開關管的漏極，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd，漏極端口d連接所述漏極管腳drain，采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實施例中，所述控制芯片12的底面為襯底，通過導電膠或錫膏粘接于所述信號地基島14上，所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則，通過金屬引線連接所述信號地基島14，進而實現與所述信號地管腳gnd的連接；漏極端口d通過金屬引線連接所述漏極管腳drain；采樣端口cs通過金屬引線連接所述采樣管腳cs。 通過二極管的單向導通功能，把交流電轉換成單向的直流脈動電壓。

生產廠家都會提供該器件在自然冷卻情況下的結—環(huán)境的熱阻（Rja）和當元器件自帶一散熱器，通過散熱器進行器件冷卻的結--殼熱阻（Rjc）。2整流橋模塊的結構特點1、鋁基導熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯結支撐和導熱通道，并作為整個模塊的結構基礎。因此，它必須具有高導熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進行高溫焊接，又因它們之間熱線性膨脹系數鋁為16．7×10-6／℃，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較大，為此，除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外，并在焊接前對銅底板要進行一定弧度的預彎，這種存在s一定弧度的焊成品，能在模塊裝置到散熱器上時，使它們之間有充分的接觸，從而降低模塊的接觸熱阻，保證模塊的出力。2、DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它具有優(yōu)良的導熱性、絕緣性和易焊性，并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃)，因而可以與硅芯片直接焊接，從而簡化模塊焊接工藝和降低熱阻。整流橋作為一種功率元器件，非常廣。應用于各種電源設備。青海西門康SEMIKRON整流橋模塊

整流橋的整流作用是通過二極管的單向導通原理來完成工作的。海南代理西門康SEMIKRON整流橋模塊服務電話

    整流橋模塊的損壞原因及解決辦法：-整流橋模塊損壞，通常是由于電網電壓或內部短路引起。在排除內部短路情況下，我們可以更換整流橋模塊。而導致整流橋損壞的原因有以下5個原因1、散熱片不夠大，過載沖擊電流過大，熱量散發(fā)不出來。2、負載短路，絕緣不好，負荷電流過大引起；3、頻繁的啟停電源，若是感性負載屬于儲能元件！那么會產生反電動勢。將整流元件反向擊穿。在橋整流時只要一個壞了。則對稱橋臂必燒壞！4、個別元件使用時間較長，質量下降！5、輸入電壓過高。整流橋模塊壞了的解決辦法（1）找到引起整流橋模塊損壞的根本原因，并消除，防止換上新整流橋又發(fā)生損壞。（2）更換新整流橋模塊，對焊接的整流橋模塊需確保焊接可靠。確保與周邊元件的電氣安全間距，用螺釘聯接的要擰緊，防止接觸電阻大而發(fā)熱。與散熱器有傳導導熱的，要求涂好硅脂降低熱阻。（3）對并聯整流橋模塊要用同一型號、同一廠家的產品以避免電流不均勻而損壞。 海南代理西門康SEMIKRON整流橋模塊服務電話