多晶碎硅片回收

碳化硅具有兩種晶型，β-型是立方體，α＝0.4350納米特硬。綠色至藍黑色。介電常數(shù)7。硬度9莫斯。A-是半導(dǎo)體。遷移率（300K），平方厘米/（VS），400電子和50空穴，譜帶間隙eV，303（0開）和2.996（300開）；有效質(zhì)量0.60電子和1.00空穴，電導(dǎo)性，耐高溫氧化性能。相對密度3.16。熔點2830℃。導(dǎo)熱系數(shù)（500℃）22.5、（1000℃）23.7瓦特（平方米·開）。熱膨脹系數(shù)：線性至100℃：5.2×10-6/℃，不溶于水、醇；溶于熔融堿金屬氫氧化物。通常碳化硅在切割加工過程中，由于機械力作用，導(dǎo)致碳化硅微粒的球形系數(shù)、粒徑和粒徑分布發(fā)生變化；另外，切割液使用過程中，多晶硅被切割的粉末和其它機械雜質(zhì)混于其中，形成混合性切割加工副產(chǎn)物。切割用碳化硅微粒要求很高的純度以及一定的球形系數(shù)，合適的粒徑分布。所以，硅片切割加工副產(chǎn)物不能直接回用于生產(chǎn)過程。碳化硅作為重要的材料，由于生產(chǎn)過程復(fù)雜，消耗大量的能源，價格高，所以，人們一直致力于從硅片切割加工副產(chǎn)物中提取高純度、符合硅片切割加工工藝要求的碳化硅微粉。使得太陽能的利用率較低。多晶碎硅片回收

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    FZ硅主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，在大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產(chǎn)品的芯片中普遍采用。當前FZ硅片直徑可控制在3~6英寸之間。外延硅片主要用于晶體管和集成電路領(lǐng)域，如邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在集成電路制造中有更好的適用性，并具有消除閂鎖效應(yīng)的能力。當前外延片的直徑在3~12英寸之間。實際生產(chǎn)中是從成本和性能兩方面考慮新用硅片的生產(chǎn)方法和規(guī)格的，當前仍是直拉法單晶硅材料應(yīng)用**為***。硅片利用介紹硅片再利用是一種從廢物中分離出來的有用物質(zhì)經(jīng)過物理或機械加工成為再利用的制品。如廢玻璃、廢金屬、硅片，廢電池片的回收再利用指以將再次生產(chǎn)的方式。硅片如何利用硅片如何利用流程具體介紹如下：切片：將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣都可以利用。退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮氣吹掃后，用紅外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)的材料，使硅片技術(shù)表面形成二氧化硅再次生產(chǎn)。倒角：將退火的硅片進行修整成圓弧形，防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅片廢水和硅渣。 多晶碎硅片回收