惠州NTC溫度傳感器原理

    會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì)，不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動(dòng)勢(shì)不同，將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時(shí)，在回路中有電流產(chǎn)生，半導(dǎo)體兩端的溫差不同時(shí)，所產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)不同。在本方案中，采用n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體構(gòu)成塞貝克結(jié)構(gòu)且多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)，可以增強(qiáng)溫度傳感器的靈敏度。在一實(shí)施例中，可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測(cè)實(shí)際環(huán)境溫度，當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變化時(shí)，冷端和熱端的溫差發(fā)生變化，因此冷端的電勢(shì)會(huì)發(fā)生變化，與顯示儀表連接后，顯示儀表會(huì)顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢(shì)所對(duì)應(yīng)的熱端溫度，即當(dāng)前環(huán)境溫度。通常，形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟s136：在金屬層上形成鈍化層，并在鈍化層上對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁層，對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層，其上還形成一層鈍化層，可對(duì)金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。同時(shí)，需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔，通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中，是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。好的溫度傳感器供應(yīng)，深圳美信美科技就是牛?；葜軳TC溫度傳感器原理

    利用金屬鉑在溫度變化時(shí)自身電阻值也會(huì)隨著溫度改變的特性來(lái)測(cè)量溫度，溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接，顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。通常，形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟s133：在金屬層上形成鈍化層，并在鈍化層上對(duì)應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑，對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層，其上還形成一層鈍化層，可對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時(shí)，需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔，通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中，是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中，測(cè)溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，其具體形成過(guò)程為：步驟s134：在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖5和圖6所示，在氧化硅薄膜23上淀積一層多晶硅層50，該多晶硅層50包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條51和p型多晶硅條52。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。廣東特大規(guī)模溫度傳感器報(bào)價(jià)深圳美信美科技有限公司是溫度傳感器實(shí)力供貨商。

    在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元具體為：在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層，所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條；在所述多晶硅上淀積第三金屬層，所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述制備方法還包括：在所述金屬層上形成鈍化層，并在所述鈍化層上對(duì)應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。本發(fā)明還公開了一種溫度傳感器，包括：基底，所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜，所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測(cè)溫單元，所述測(cè)溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。上述溫度傳感器，由于其基底中氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔，空腔下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無(wú)需通過(guò)刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間，且節(jié)約了成本。由于基底隔熱效果較好。

    第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，n型多晶硅和p型多晶硅通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖5和圖6所示，氧化硅薄膜23上形成有一層多晶硅層50，該多晶硅層50包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條51和p型多晶硅條52。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻；p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型，多晶硅條平行設(shè)置，具有相同的間距。在多晶硅層50上淀積有第三金屬層60，第三金屬層60包括金屬結(jié)構(gòu)61和第二金屬結(jié)構(gòu)62。金屬結(jié)構(gòu)61位于相鄰多晶硅條之間，該多晶硅條通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)61連接，金屬結(jié)構(gòu)61具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條51和p型多晶硅條52通過(guò)該金屬結(jié)構(gòu)61形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí)，需要m-1個(gè)金屬結(jié)構(gòu)61使多晶硅條串聯(lián)起來(lái)。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu)，在本方案中，是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測(cè)溫單元，因此。溫度測(cè)量應(yīng)用非常廣，不僅生產(chǎn)工藝需要溫度控制，有些電子產(chǎn)品還需對(duì)它們自身的溫度進(jìn)行測(cè)量。

    p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型，多晶硅條平行設(shè)置，具有相同的間距。步驟s135：在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖5和圖6，在多晶硅層50上淀積第三金屬層60，第三金屬層60包括金屬結(jié)構(gòu)61和第二金屬結(jié)構(gòu)62。金屬結(jié)構(gòu)61位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條，具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條51和p型多晶硅條52通過(guò)該金屬結(jié)構(gòu)61形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí)，需要m-1個(gè)金屬結(jié)構(gòu)61使多晶硅條串聯(lián)起來(lái)。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu)，在本方案中，是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測(cè)溫單元，因此，m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)62淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端，以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中，第三金屬層60為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，利用半導(dǎo)體兩端的溫度不同時(shí)。穩(wěn)定的溫度傳感器供應(yīng)，就找深圳市美信美科技有限公司。廣東排氣溫度傳感器封裝

溫度傳感器是溫度測(cè)量?jī)x表的重心部分，品種繁多?；葜軳TC溫度傳感器原理

數(shù)字溫度傳感器漸成主流：溫度的變化影響著我們的環(huán)境、家居產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備、汽車、甚至電腦、硬盤等等，如今越來(lái)越多的智能產(chǎn)品都與溫度息息相關(guān)，而且對(duì)溫度參數(shù)的監(jiān)測(cè)和控制有著極高要求。在工業(yè)服務(wù)器領(lǐng)域，長(zhǎng)時(shí)間不間斷工作，服務(wù)器內(nèi)部溫度會(huì)快速上升，溫升過(guò)高會(huì)影響CPU計(jì)算性能；固態(tài)硬盤（SSD）中的溫度控制可以直接對(duì)固態(tài)硬盤的速度和數(shù)據(jù)保存造成影響；正因?yàn)橹悄芑奶嵘财仁箿囟葌鞲衅鞑粩嘌葑兩?jí)，國(guó)際化進(jìn)程中，溫度傳感器正從模擬式向數(shù)字式、由集成化向智能化、網(wǎng)絡(luò)化的方向發(fā)展，繼續(xù)向著小型化、集成化、低功耗方向發(fā)展，被工程師公認(rèn)的熱度較高的數(shù)字溫度傳感器IC逐漸成為選型的主流?；葜軳TC溫度傳感器原理

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