佛山紅外 溫度傳感器參數(shù)

來源: 發(fā)布時間:2023-10-14

    公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。測溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個實施例中,所述測溫單元包括:金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于所述金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中,所述測溫單元包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。附圖說明圖為一實施例中溫度傳感器制備方法的方法流程圖;圖a~c為一實施例中溫度傳感器制備方法各步驟對應(yīng)生成的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖為一實施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖為與圖對應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。擔(dān)心買不到原裝的溫度傳感器?找深圳市美信美科技。佛山紅外 溫度傳感器參數(shù)

佛山紅外 溫度傳感器參數(shù),溫度傳感器

    使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。還涉及一種溫度傳感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出,在本方案中,測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),包括:金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層,該金屬層為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。金屬鉑層外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層。該第二金屬層可為金屬鋁層,用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子。上海雙列直插型溫度傳感器溫度測量傳感器種類繁多并且有一個共同點:它們都通過感測物理特性的某些變化來測量溫度。

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    一種溫度傳感器制備方法,包括:在硅片形成若干溝槽;熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在所述空腔上方連接起來,將所述空腔封閉;氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜;在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器制備方法,先通過刻蝕在硅片上形成若干溝槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。再在高溫環(huán)境下進行退火,由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移,硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變,之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元,測溫單元用于感測環(huán)境溫度,從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅。

    即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開,基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產(chǎn)品制備的時間,且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中,所述溝槽的寬度范圍為μm~μm,所述溝槽的深度范圍為μm~μm,所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm~μm。在其中一個實施例中,所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火,所述熱退火的溫度為℃。在其中一個實施例中,在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個實施例中,在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中。深圳美信美溫度傳感器品質(zhì)棒棒的。

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    產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。步驟s:熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方連接起來,將所述空腔封閉。對開設(shè)有溝槽的硅片進行適當(dāng)?shù)臒崽幚恚?dāng)硅片被加熱到一定溫度時,硅原子的振動能較大,導(dǎo)致原子的移動能加強,硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設(shè)有溝槽。且溝槽側(cè)壁的間距較小,當(dāng)硅原子遷移運動達到一定程度時,硅原子會進入溝槽內(nèi),硅片內(nèi)部的溝槽會發(fā)生形變,溝槽上部被硅封閉,若干溝槽中間部位相互連通,形成一空腔(如圖b所示)。即空腔處于硅片的中間,空腔的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu),上下硅結(jié)構(gòu)被空腔隔離開。在一實施例中,熱退火的溫度可為℃。改變溝槽的間距,可以得到不同形態(tài)的空腔,且間距越大,所需的退火溫度就越高,但是退火的持續(xù)時間不超過min。在本實施例中,溝槽陣列中溝槽之間的間距大于內(nèi)部溝槽的間距,如此可以避免在空腔邊緣處形成缺口。同時,熱退火需要在一隔離環(huán)境中進行。溫度傳感器被人們稱為溫度探頭或探針等,相對其它傳感器,它的應(yīng)用范圍更為廣。天津圓形溫度傳感器工藝

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    空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通過刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此時硅的厚度減小,繼續(xù)通過上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環(huán)工藝逐漸減小空腔上方硅的厚度,直至后一次熱氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此實現(xiàn)上層氧化硅薄膜與下層硅通過空腔隔離。此時,溫度傳感器的基作完成。在一實施例中,在得到上述氧化硅薄膜后還可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,由于氧化硅內(nèi)部存在較大的應(yīng)力,氧化硅薄膜容易斷裂。在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,可以平衡氧化硅內(nèi)部應(yīng)力。使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s:在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測溫單元,測溫單元是溫度傳感器的工作單元。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。佛山紅外 溫度傳感器參數(shù)

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