深圳巨大規(guī)模溫度傳感器報(bào)價(jià)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-10-14

    之前的若干溝槽會(huì)相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述制備方法還包括:在所述金屬層上形成鈍化層,并在所述鈍化層上對(duì)應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。還公開了一種溫度傳感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜。所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測(cè)溫單元,所述測(cè)溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。上述溫度傳感器,由于其基底中氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無(wú)需通過(guò)刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間,且節(jié)約了成本。由于基底隔熱效果較好。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。對(duì)于汽車,溫度傳感器的作用是測(cè)量發(fā)動(dòng)機(jī)的進(jìn)氣,冷卻水,燃油等的溫度。深圳巨大規(guī)模溫度傳感器報(bào)價(jià)

深圳巨大規(guī)模溫度傳感器報(bào)價(jià),溫度傳感器

    需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜與硅通過(guò)空腔隔離,空腔下方的硅不會(huì)影響上方氧化硅薄膜的隔離效果,因此無(wú)需通過(guò)深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉。簡(jiǎn)化了制備過(guò)程。節(jié)約制備時(shí)間,節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低,將測(cè)溫單元制備在氧化硅薄膜上,具有較好的測(cè)溫效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù),誠(chéng)信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。還涉及一種溫度傳感器,包括:基底。重慶雙極型溫度傳感器廠家深圳美信美溫度傳感器測(cè)試好。

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    測(cè)溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)溫單元包括:金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于所述金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)溫單元包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。附圖說(shuō)明圖1為一實(shí)施例中溫度傳感器制備方法的方法流程圖;圖2a~2c為一實(shí)施例中溫度傳感器制備方法各步驟對(duì)應(yīng)生成的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖3為一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖4為與圖3對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖;圖5為另一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖6為與圖5對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實(shí)施方式為了便于理解本發(fā)明,下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更的描述。附圖中給出了本發(fā)明的優(yōu)先實(shí)施例。但是,本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn),并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地。

    溝槽的寬度為溝槽側(cè)壁的大距離,如果溝槽為圓形,則溝槽的寬度為其直徑,如果溝槽為正方形,則溝槽的寬度為其對(duì)角的距離。步驟s120:熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方連接起來(lái),將所述空腔封閉。對(duì)開設(shè)有溝槽21的硅片20進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒崽幚?,?dāng)硅片被加熱到一定溫度時(shí),硅原子的振動(dòng)能較大,導(dǎo)致原子的移動(dòng)能加強(qiáng),硅原子會(huì)發(fā)生遷移。由于硅片上開設(shè)有溝槽,且溝槽側(cè)壁的間距較小,當(dāng)硅原子遷移運(yùn)動(dòng)達(dá)到一定程度時(shí),硅原子會(huì)進(jìn)入溝槽21內(nèi),硅片內(nèi)部的溝槽21會(huì)發(fā)生形變,溝槽21上部被硅封閉,若干溝槽21中間部位相互連通,形成一空腔22(如圖2b所示)。即空腔22處于硅片的中間,空腔22的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu),上下硅結(jié)構(gòu)被空腔22隔離開。在一實(shí)施例中,熱退火的溫度可為1000℃。改變溝槽21的間距,可以得到不同形態(tài)的空腔,且間距越大,所需的退火溫度就越高,但是退火的持續(xù)時(shí)間不超過(guò)20min。在本實(shí)施例中,溝槽陣列中溝槽之間的間距大于內(nèi)部溝槽的間距,如此可以避免在空腔邊緣處形成缺口。同時(shí),熱退火需要在一隔離環(huán)境中進(jìn)行,如真空環(huán)境或者惰性氣體環(huán)境,保證在熱退火過(guò)程中硅不會(huì)與環(huán)境中的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在本實(shí)施例中。原裝溫度傳感器,找深圳美信美科技。

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    圖為與圖對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖;圖為另一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖為與圖對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實(shí)施方式為了便于理解,下面將參照相關(guān)附圖對(duì)進(jìn)行更的描述。附圖中給出了的實(shí)施例。但是,可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn),并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地。提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)的公開內(nèi)容更加透徹。除非另有定義。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù),誠(chéng)信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在的說(shuō)明書中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的,不是旨在于限制。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。數(shù)字式溫度傳感器其采用PTAT結(jié)構(gòu),這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有精確的,與溫度相關(guān)的良好輸出特性。長(zhǎng)沙紅外 溫度傳感器精度

室外盤管溫度傳感器安裝在室外機(jī)散熱器上,用金屬管包裝,用來(lái)檢測(cè)室外管道溫度。深圳巨大規(guī)模溫度傳感器報(bào)價(jià)

    即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過(guò)鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器,利用金屬鉑在溫度變化時(shí)自身電阻值也會(huì)隨著溫度改變的特性來(lái)測(cè)量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接,顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。在一實(shí)施例中,因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還形成有一層鈍化層,可對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時(shí),需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)有通孔,通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測(cè)溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層。第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),n型多晶硅和p型多晶硅通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上形成有一層多晶硅層。該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。深圳巨大規(guī)模溫度傳感器報(bào)價(jià)

標(biāo)簽: 集成電路 溫度傳感器