佛山扁平形溫度傳感器哪個耐用

來源: 發(fā)布時間:2023-10-15

    p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。步驟s135:在多晶硅層上淀積第三金屬層,第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖5和圖6,在多晶硅層50上淀積第三金屬層60,第三金屬層60包括金屬結(jié)構(gòu)61和第二金屬結(jié)構(gòu)62。金屬結(jié)構(gòu)61位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條,具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條51和p型多晶硅條52通過該金屬結(jié)構(gòu)61形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個多晶硅條時,需要m-1個金屬結(jié)構(gòu)61使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅條與一個p型多晶硅條串聯(lián)形成一個塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個測溫單元,因此,m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)62淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中,第三金屬層60為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu),利用半導(dǎo)體兩端的溫度不同時。溫度傳感器廠家就找深圳美信美。佛山扁平形溫度傳感器哪個耐用

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    基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。如圖c所示,基底包括硅片和氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出,在本方案中,測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實(shí)施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),包括:金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層,該金屬層為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實(shí)施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。金屬鉑層外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層。該第二金屬層可為金屬鋁層,用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。光纖溫度傳感器IC數(shù)字式溫度傳感器其采用PTAT結(jié)構(gòu),這種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有精確的,與溫度相關(guān)的良好輸出特性。

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    并在鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時,需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過程為:步驟s:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖和圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。步驟s:在多晶硅層上淀積第三金屬層,第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)。

    用于從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器,利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接,顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應(yīng)的溫度值。在一實(shí)施例中,因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成有一層鈍化層,可對金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時,需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)有通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層。第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),n型多晶硅和p型多晶硅通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上形成有一層多晶硅層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。當(dāng)需要更換某個傳感器時,只要測量與之串聯(lián)電阻的阻值,然后選用和它阻值接近的傳感器即可。

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    在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實(shí)施例中,在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;在所述多晶硅上淀積第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實(shí)施例中,所述制備方法還包括:在所述金屬層上形成鈍化層,并在所述鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。還公開了一種溫度傳感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜,所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,所述測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器,由于其基底中氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產(chǎn)品制備的時間,且節(jié)約了成本。由于基底隔熱效果較好。溫度傳感器廠家找美信美,服務(wù)可靠。上海通訊溫度傳感器哪個品牌好

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    第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),n型多晶硅和p型多晶硅通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖5和圖6所示,氧化硅薄膜23上形成有一層多晶硅層50,該多晶硅層50包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條51和p型多晶硅條52。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻;p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。在多晶硅層50上淀積有第三金屬層60,第三金屬層60包括金屬結(jié)構(gòu)61和第二金屬結(jié)構(gòu)62。金屬結(jié)構(gòu)61位于相鄰多晶硅條之間,該多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)61連接,金屬結(jié)構(gòu)61具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條51和p型多晶硅條52通過該金屬結(jié)構(gòu)61形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個多晶硅條時,需要m-1個金屬結(jié)構(gòu)61使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅條與一個p型多晶硅條串聯(lián)形成一個塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個測溫單元,因此。佛山扁平形溫度傳感器哪個耐用

標(biāo)簽: 溫度傳感器 集成電路