天津?qū)I(yè)控制溫度傳感器技術(shù)

來源: 發(fā)布時間:2023-10-18

    凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。測溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個實施例中,所述測溫單元包括:金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于所述金屬鉑層外側(cè)兩端。用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中,所述測溫單元包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。附圖說明圖為一實施例中溫度傳感器制備方法的方法流程圖;圖a~c為一實施例中溫度傳感器制備方法各步驟對應(yīng)生成的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖為一實施例中溫度傳感器側(cè)視圖。IC型溫度傳感器(溫度集成電路)是一種數(shù)字溫度傳感器。天津?qū)I(yè)控制溫度傳感器技術(shù)

天津?qū)I(yè)控制溫度傳感器技術(shù),溫度傳感器

    顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應(yīng)的溫度值。通常。形成測溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)。誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。并在鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時,需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實施例中,測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)。深圳超大規(guī)模溫度傳感器企業(yè)溫度傳感器廠家找美信美,服務(wù)可靠。

天津?qū)I(yè)控制溫度傳感器技術(shù),溫度傳感器

    測溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個實施例中,所述測溫單元包括:金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于所述金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中,所述測溫單元包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。附圖說明圖1為一實施例中溫度傳感器制備方法的方法流程圖;圖2a~2c為一實施例中溫度傳感器制備方法各步驟對應(yīng)生成的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖3為一實施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖4為與圖3對應(yīng)的溫度傳感器俯視圖;圖5為另一實施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖6為與圖5對應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實施方式為了便于理解本發(fā)明,下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進(jìn)行更的描述。附圖中給出了本發(fā)明的優(yōu)先實施例。但是,本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn),并不限于本文所描述的實施例。相反地。

    需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離,空腔下方的硅不會影響上方氧化硅薄膜的隔離效果,因此無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉,簡化了制備過程。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。節(jié)約制備時間,節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低,將測溫單元制備在氧化硅薄膜上,具有較好的測溫效果,使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。本發(fā)明還涉及一種溫度傳感器,包括:基底,基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜,硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。好的渠道商深圳市美信美科技有限公司,只做原裝進(jìn)口溫度傳感器。

天津?qū)I(yè)控制溫度傳感器技術(shù),溫度傳感器

    深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本發(fā)明涉及溫度傳感器領(lǐng)域,特別是涉及一種溫度傳感器制備方法及溫度傳感器。背景技術(shù):溫度傳感器包括測溫單元和承載該測溫單元的基底。溫度傳感器通常以導(dǎo)熱率低的材料做基底,如在二氧化硅上淀積測溫材料形成溫度傳感器。在工藝制程中,通過氧化硅片以在硅片表面生產(chǎn)一層二氧化硅,其中,二氧化硅的導(dǎo)熱率較低,但是硅的導(dǎo)熱率較高,為避免通過基底下部的硅導(dǎo)熱,通常還需通過深槽刻蝕的方式對氧化硅層背面的硅進(jìn)行刻蝕,如通過氫氧化鉀的刻蝕液進(jìn)行濕法刻蝕,也可用深反應(yīng)離子刻蝕(deepreactiveionetching)工藝進(jìn)行干法刻蝕。無論是濕法刻蝕還是干法刻蝕,其工藝時間都會較長且成本較高。技術(shù)實現(xiàn)要素:基于此,有必要針對傳統(tǒng)技術(shù)中溫度傳感器以二氧化硅為基底時獲取基底的工藝時間較長且成本較高的問題,提出了一種新的溫度傳感器制備方法。溫度測量應(yīng)用非常廣,不僅生產(chǎn)工藝需要溫度控制,有些電子產(chǎn)品還需對它們自身的溫度進(jìn)行測量。長春智誠溫度傳感器哪個耐用

電阻式溫度測量裝置也是電性的。天津?qū)I(yè)控制溫度傳感器技術(shù)

    本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過程為:步驟s:在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,該金屬層可為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。步驟s:在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖,在金屬鉑層外側(cè)兩端淀積一層第二金屬層,該第二金屬層可為金屬鋁層,從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接。天津?qū)I(yè)控制溫度傳感器技術(shù)

標(biāo)簽: 集成電路 溫度傳感器