上海蒸發(fā)溫度傳感器

    p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同，在本方案中，n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型，多晶硅條平行設(shè)置，具有相同的間距。步驟s135：在多晶硅層上淀積第三金屬層，第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見(jiàn)圖5和圖6，在多晶硅層50上淀積第三金屬層60，第三金屬層60包括金屬結(jié)構(gòu)61和第二金屬結(jié)構(gòu)62。金屬結(jié)構(gòu)61位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條，具體為位于相鄰多晶硅條端部位置，所有n型多晶硅條51和p型多晶硅條52通過(guò)該金屬結(jié)構(gòu)61形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此，當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí)，需要m-1個(gè)金屬結(jié)構(gòu)61使多晶硅條串聯(lián)起來(lái)。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu)，在本方案中，是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測(cè)溫單元，因此，m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)62淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端，以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中，第三金屬層60為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，利用半導(dǎo)體兩端的溫度不同時(shí)。溫度傳感器好的供應(yīng)商，認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美。上海蒸發(fā)溫度傳感器

    可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測(cè)實(shí)際環(huán)境溫度，當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生變化時(shí)，冷端和熱端的溫差發(fā)生變化，因此冷端的電勢(shì)會(huì)發(fā)生變化，與顯示儀表連接后，顯示儀表會(huì)顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢(shì)所對(duì)應(yīng)的熱端溫度，即當(dāng)前環(huán)境溫度。通常，形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟s：在金屬層上形成鈍化層，并在鈍化層上對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁層，對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層，其上還形成一層鈍化層，可對(duì)金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。同時(shí)，需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開(kāi)設(shè)通孔，通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中，是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開(kāi)設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法，可以得到氧化硅薄膜，且氧化硅薄膜與硅通過(guò)空腔隔離，空腔下方的硅不會(huì)影響上方氧化硅薄膜的隔離效果，因此無(wú)需通過(guò)深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉，簡(jiǎn)化了制備過(guò)程。節(jié)約制備時(shí)間，節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低，將測(cè)溫單元制備在氧化硅薄膜上，具有較好的測(cè)溫效果。天津無(wú)線溫度傳感器哪家好溫度傳感器廠家就找深圳美信美。

    即氧化硅薄膜和硅通過(guò)空腔隔開(kāi)，基底下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無(wú)需通過(guò)刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間，且節(jié)約了成本。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～μm，所述溝槽的深度范圍為μm～μm，所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm～μm。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火，所述熱退火的溫度為℃。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元具體為：在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中。

    上述溫度傳感器制備方法，可以得到氧化硅薄膜，且氧化硅薄膜與硅通過(guò)空腔隔離，空腔下方的硅不會(huì)影響上方氧化硅薄膜的隔離效果，因此無(wú)需通過(guò)深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉，簡(jiǎn)化了制備過(guò)程，節(jié)約制備時(shí)間，節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低，將測(cè)溫單元制備在氧化硅薄膜上，具有較好的測(cè)溫效果，使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。本發(fā)明還涉及一種溫度傳感器，包括：基底，基底包括硅片和在硅片上形成的氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔；和測(cè)溫單元，測(cè)溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上，所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。如圖2c所示，基底包括硅片20和氧化硅薄膜23，硅片20和氧化硅薄膜之間形成有空腔22。測(cè)溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過(guò)該測(cè)溫單元感知溫度后形成電信號(hào)并輸出，在本方案中，測(cè)溫單元形成于氧化硅薄膜23上且位于空腔上方。在一實(shí)施例中，測(cè)溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu)，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側(cè)兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖3和圖4所示，氧化硅薄膜23上淀積有一層金屬層30，該金屬層30為金屬鉑層，即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。由于大多數(shù)傳感器的選擇在溫度范圍和精度上有重疊，因此傳感器的選擇將取決于如何將其集成到一個(gè)系統(tǒng)中。

    顯示儀表會(huì)顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢(shì)所對(duì)應(yīng)的熱端溫度，即當(dāng)前環(huán)境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)，對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層，其上還需形成有一層鈍化層，可對(duì)金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)。同時(shí)，需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開(kāi)設(shè)有通孔，通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中，是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開(kāi)設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器，測(cè)溫單元設(shè)于氧化硅薄膜上，氧化硅薄膜具有較低的導(dǎo)熱率，因此不會(huì)影響測(cè)溫單元的測(cè)溫效果。且氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔，空腔下方的硅不會(huì)影響空腔上方的氧化硅的隔離效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售；國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。電阻式溫度測(cè)量裝置也是電性的。天津無(wú)線溫度傳感器哪家好

買溫度傳感器，認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美科技有限公司。上海蒸發(fā)溫度傳感器

    再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火，由于高溫環(huán)境下硅原子會(huì)發(fā)生遷移，硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生改變，之前的若干溝槽會(huì)相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測(cè)溫材料形成測(cè)溫單元，測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度，從而得到溫度傳感器。通過(guò)本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅，即氧化硅薄膜和硅通過(guò)空腔隔開(kāi)，基底下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果，因此無(wú)需通過(guò)刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉，從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間，且節(jié)約了成本。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述溝槽的寬度范圍為μm～μm，所述溝槽的深度范圍為μm～μm，所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm～μm。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火，所述熱退火的溫度為℃。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個(gè)實(shí)施例中，在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元具體為：在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。上海蒸發(fā)溫度傳感器