成都計(jì)算機(jī)溫度傳感器廠家

來源: 發(fā)布時間:2023-11-10

    本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實(shí)施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過程為:步驟s:在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,該金屬層可為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實(shí)施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。步驟s:在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖,在金屬鉑層外側(cè)兩端淀積一層第二金屬層,該第二金屬層可為金屬鋁層,從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接。好的溫度傳感器供應(yīng),深圳美信美科技就是牛。成都計(jì)算機(jī)溫度傳感器廠家

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    顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應(yīng)的溫度值。通常。形成測溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)。誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。并在鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時,需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)。廣州中規(guī)模溫度傳感器哪個靠譜溫度傳感器實(shí)力供應(yīng)商有哪些?深圳美信美科技。

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    在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實(shí)施例中,在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;在所述多晶硅上淀積第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實(shí)施例中,所述制備方法還包括:在所述金屬層上形成鈍化層,并在所述鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。本發(fā)明還公開了一種溫度傳感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜,所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測溫單元,所述測溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器,由于其基底中氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產(chǎn)品制備的時間,且節(jié)約了成本。由于基底隔熱效果較好。

    并在鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時,需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過程為:步驟s:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖和圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。步驟s:在多晶硅層上淀積第三金屬層,第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)。溫度傳感器哪家靠譜?深圳美信美科技有限公司。

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    n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層,第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間,該多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)連接,金屬結(jié)構(gòu)具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個多晶硅條時。需要m-個金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅條與一個p型多晶硅條串聯(lián)形成一個塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個測溫單元,因此。m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中,第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu),利用兩不同類型的半導(dǎo)體兩端的溫度不同時,會在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動勢,不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動勢不同。將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時,在回路中有電流產(chǎn)生。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。找不到好的溫度傳感器供應(yīng)?來找深圳美信美科技。沈陽通用溫度傳感器參數(shù)

深圳市美信美科技有限公司,只做原裝進(jìn)口溫度傳感器。成都計(jì)算機(jī)溫度傳感器廠家

    再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火,由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移,硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變,之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元,測溫單元用于感測環(huán)境溫度,從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅,即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開,基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產(chǎn)品制備的時間,且節(jié)約了成本。在其中一個實(shí)施例中,所述溝槽的寬度范圍為μm~μm,所述溝槽的深度范圍為μm~μm,所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm~μm。在其中一個實(shí)施例中,所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火,所述熱退火的溫度為℃。在其中一個實(shí)施例中,在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個實(shí)施例中,在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。成都計(jì)算機(jī)溫度傳感器廠家

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