凌越通信中繼設(shè)備方案行情
上海對(duì)講機(jī)公司批發(fā)凌越通信供
對(duì)講機(jī)常見故障問題與解決方法
對(duì)講機(jī)常見故障問題與解決方法,上海凌越實(shí)業(yè)有限公
2019中國(guó)無(wú)線電大會(huì)即將在北京舉辦
您是HAM里的哪一族?
如何有效的管理弱電工程施工進(jìn)度?
對(duì)講機(jī)的IP防護(hù)等級(jí)
2019年世界電信和信息社會(huì)日大會(huì)在京召開
中國(guó)決定自6月1日起對(duì)原產(chǎn)于美國(guó)的對(duì)講機(jī) 、對(duì)講機(jī)
提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開內(nèi)容更加透徹。除非另有定義,本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的,不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N溫度傳感器的制備方法,如圖1所示,其步驟包括:步驟s110:在硅片上形成若干溝槽。結(jié)合圖2a所示,獲取一硅晶片20,從硅片20上方垂直向下開設(shè)若干并列的溝槽21形成溝槽陣列。在一實(shí)施例中,先在硅片20上形成具有陣列圖案的光刻膠層,再以光刻膠作為掩膜版對(duì)硅片20進(jìn)行刻蝕形成若干溝槽21。在本實(shí)施例中,刻蝕可為常規(guī)的干法刻蝕,具體為深度離子刻蝕。干法刻蝕具有更高的刻蝕精度和更好的各向異性性能,其精度可達(dá)亞微米級(jí)別,通過干法刻蝕,可以得到形態(tài)較好的溝槽,尤其是溝槽尺寸較小時(shí)利用干法刻蝕效果更佳??赏ㄟ^調(diào)節(jié)掩膜板圖案和控制刻蝕參數(shù)得到不同形態(tài)的溝槽,其中,溝槽21的寬度可為~1μm,溝槽21的深度可為1~10μm,相鄰溝槽21之間的間隔可為~1μm。溝槽21的俯視形貌可以為圓形、方形或其他形狀。好的的進(jìn)口溫度傳感器哪家好?認(rèn)準(zhǔn)深圳市美信美科技。常州雙列直插型溫度傳感器哪個(gè)靠譜
在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;在所述多晶硅上淀積第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述制備方法還包括:在所述金屬層上形成鈍化層,并在所述鈍化層上對(duì)應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。本發(fā)明還公開了一種溫度傳感器,包括:基底,所述基底包括硅片和在所述硅片上形成的氧化硅薄膜,所述硅片與所述氧化硅薄膜之間形成有空腔;和測(cè)溫單元,所述測(cè)溫單元形成于所述空腔上方的氧化硅薄膜上,所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。上述溫度傳感器,由于其基底中氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無(wú)需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間,且節(jié)約了成本。由于基底隔熱效果較好。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。成都巨大規(guī)模溫度傳感器原理溫度傳感器深圳哪家較好的,認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美。
需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法,可以得到氧化硅薄膜,且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離,空腔下方的硅不會(huì)影響上方氧化硅薄膜的隔離效果,因此無(wú)需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉。簡(jiǎn)化了制備過程。節(jié)約制備時(shí)間,節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低,將測(cè)溫單元制備在氧化硅薄膜上,具有較好的測(cè)溫效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù),誠(chéng)信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。使溫度傳感器性能更加穩(wěn)定。還涉及一種溫度傳感器,包括:基底。
再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火,由于高溫環(huán)境下硅原子會(huì)發(fā)生遷移,硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生改變,之前的若干溝槽會(huì)相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀積測(cè)溫材料形成測(cè)溫單元,測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度,從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅,即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開,基底下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無(wú)需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間,且節(jié)約了成本。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述溝槽的寬度范圍為μm~1μm,所述溝槽的深度范圍為1μm~10μm,所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm~1μm。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火,所述熱退火的溫度為1000℃。在其中一個(gè)實(shí)施例中,在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個(gè)實(shí)施例中,在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。溫度傳感器廠家找美信美,服務(wù)可靠。
空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通過刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此時(shí)硅的厚度減小,繼續(xù)通過上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環(huán)工藝逐漸減小空腔上方硅的厚度,直至后一次熱氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此實(shí)現(xiàn)上層氧化硅薄膜與下層硅通過空腔隔離。此時(shí),溫度傳感器的基作完成。在一實(shí)施例中,在得到上述氧化硅薄膜后還可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,由于氧化硅內(nèi)部存在較大的應(yīng)力,氧化硅薄膜容易斷裂。在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,可以平衡氧化硅內(nèi)部應(yīng)力。使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s:在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元,所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測(cè)溫單元,測(cè)溫單元是溫度傳感器的工作單元。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。廣東溫度傳感器哪家較好,認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美科技有限公司。成都巨大規(guī)模溫度傳感器原理
深圳美信美科技有限公司是溫度傳感器實(shí)力供貨商。常州雙列直插型溫度傳感器哪個(gè)靠譜
顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。通常。形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù)。誠(chéng)信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。并在鈍化層上對(duì)應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對(duì)于直接暴露在空氣中時(shí)容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對(duì)金屬層進(jìn)行保護(hù)。同時(shí),需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測(cè)溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)。常州雙列直插型溫度傳感器哪個(gè)靠譜