如圖所示)。步驟s:在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖,在金屬鉑層外側(cè)兩端淀積一層第二金屬層,該第二金屬層可為金屬鋁層,從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。利用金屬鉑在溫度變化時自身電阻值也會隨著溫度改變的特性來測量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接,顯示儀表會顯示受溫度影響得到的鉑電阻對應(yīng)的溫度值。通常。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。形成測溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層,并在鈍化層上對應(yīng)所述溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電阻傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁和金屬鉑,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還形成一層鈍化層,可對金屬層進行保護。擔(dān)心買不到原裝的溫度傳感器?找深圳市美信美科技。沈陽熱電偶溫度傳感器封裝
顯示儀表會顯示熱電偶受當(dāng)前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應(yīng)的熱端溫度,即當(dāng)前環(huán)境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu),對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還需形成有一層鈍化層,可對金屬結(jié)構(gòu)進行保護。同時,需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)有通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器,測溫單元設(shè)于氧化硅薄膜上,氧化硅薄膜具有較低的導(dǎo)熱率,因此不會影響測溫單元的測溫效果。且氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下方的硅不會影響空腔上方的氧化硅的隔離效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域?;葜萦嬎銠C溫度傳感器工藝深圳市美信美科技有限公司,只做好的溫度傳感器現(xiàn)貨供應(yīng)商。
本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。通過熱氧化工藝氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜(如圖c所示)。在℃~℃的高溫環(huán)境中,通過外部供給氧氣或者水蒸氣使之與硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng),可以在空腔上方得到一層熱生長的氧化層。由于當(dāng)氧化層達到一定厚度時,氧化反應(yīng)幾乎停止,因此當(dāng)難以通過一次氧化工藝將空腔上方的硅全部氧化成氧化硅時,需要通過多次氧化步驟實現(xiàn)將空腔上方的硅全部氧化,具體為,進行次熱氧化生成一層氧化硅薄膜后,空腔上方為殘留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通過刻蝕工藝去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此時硅的厚度減小,繼續(xù)通過上述熱氧化、刻蝕和熱氧化的循環(huán)工藝逐漸減小空腔上方硅的厚度,直至后一次熱氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此實現(xiàn)上層氧化硅薄膜與下層硅通過空腔隔離。此時,溫度傳感器的基作完成。在一實施例中,在得到上述氧化硅薄膜后還可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,由于氧化硅內(nèi)部存在較大的應(yīng)力,氧化硅薄膜容易斷裂。
溝槽的寬度為溝槽側(cè)壁的大距離,如果溝槽為圓形,則溝槽的寬度為其直徑,如果溝槽為正方形,則溝槽的寬度為其對角的距離。步驟s120:熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方連接起來,將所述空腔封閉。對開設(shè)有溝槽21的硅片20進行適當(dāng)?shù)臒崽幚?,?dāng)硅片被加熱到一定溫度時,硅原子的振動能較大,導(dǎo)致原子的移動能加強,硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設(shè)有溝槽,且溝槽側(cè)壁的間距較小,當(dāng)硅原子遷移運動達到一定程度時,硅原子會進入溝槽21內(nèi),硅片內(nèi)部的溝槽21會發(fā)生形變,溝槽21上部被硅封閉,若干溝槽21中間部位相互連通,形成一空腔22(如圖2b所示)。即空腔22處于硅片的中間,空腔22的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu),上下硅結(jié)構(gòu)被空腔22隔離開。在一實施例中,熱退火的溫度可為1000℃。改變溝槽21的間距,可以得到不同形態(tài)的空腔,且間距越大,所需的退火溫度就越高,但是退火的持續(xù)時間不超過20min。在本實施例中,溝槽陣列中溝槽之間的間距大于內(nèi)部溝槽的間距,如此可以避免在空腔邊緣處形成缺口。同時,熱退火需要在一隔離環(huán)境中進行,如真空環(huán)境或者惰性氣體環(huán)境,保證在熱退火過程中硅不會與環(huán)境中的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。在本實施例中。深圳市美信美科技有限公司,只做靠譜的原裝進口溫度傳感器。
深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本發(fā)明涉及溫度傳感器領(lǐng)域,特別是涉及一種溫度傳感器制備方法及溫度傳感器。背景技術(shù):溫度傳感器包括測溫單元和承載該測溫單元的基底。溫度傳感器通常以導(dǎo)熱率低的材料做基底,如在二氧化硅上淀積測溫材料形成溫度傳感器。在工藝制程中,通過氧化硅片以在硅片表面生產(chǎn)一層二氧化硅,其中,二氧化硅的導(dǎo)熱率較低,但是硅的導(dǎo)熱率較高,為避免通過基底下部的硅導(dǎo)熱,通常還需通過深槽刻蝕的方式對氧化硅層背面的硅進行刻蝕,如通過氫氧化鉀的刻蝕液進行濕法刻蝕,也可用深反應(yīng)離子刻蝕(deepreactiveionetching)工藝進行干法刻蝕。無論是濕法刻蝕還是干法刻蝕,其工藝時間都會較長且成本較高。技術(shù)實現(xiàn)要素:基于此,有必要針對傳統(tǒng)技術(shù)中溫度傳感器以二氧化硅為基底時獲取基底的工藝時間較長且成本較高的問題,提出了一種新的溫度傳感器制備方法。溫度傳感器廠家找美信美,服務(wù)可靠。深圳通訊溫度傳感器價格
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n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層,第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間,該多晶硅條通過金屬結(jié)構(gòu)連接,金屬結(jié)構(gòu)具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個多晶硅條時。需要m-個金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅條與一個p型多晶硅條串聯(lián)形成一個塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個測溫單元,因此。m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實施例中,第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu),利用兩不同類型的半導(dǎo)體兩端的溫度不同時,會在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動勢,不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動勢不同。將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時,在回路中有電流產(chǎn)生。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。沈陽熱電偶溫度傳感器封裝