珠海扁平形溫度傳感器原理

    一種溫度傳感器制備方法，包括：在硅片形成若干溝槽；熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔，且所述硅片在所述空腔上方連接起來，將所述空腔封閉；氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜；在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器制備方法，先通過刻蝕在硅片上形成若干溝槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。再在高溫環(huán)境下進行退火，由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移，硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變，之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元，測溫單元用于感測環(huán)境溫度，從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器，其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅。溫度傳感器現(xiàn)貨供應(yīng)商-深圳市美信美科技有限公司。珠海扁平形溫度傳感器原理

    測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu)，包括：多晶硅層，包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條；和第三金屬層。第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，n型多晶硅和p型多晶硅通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示，氧化硅薄膜上形成有一層多晶硅層。該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù)，誠信合作的原則，以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系，為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻；p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅，且其內(nèi)部摻雜均勻。南京雙列直插型溫度傳感器精度哪家好進口的德州溫度傳感器，就找深圳美信美科技。

    公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。測溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：金屬層，所述金屬層為金屬鉑層，所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；和第二金屬層，位于所述金屬鉑層外側(cè)兩端，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中，所述測溫單元包括：多晶硅層，包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條；和第三金屬層，所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu)，所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián)，所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu)，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。附圖說明圖為一實施例中溫度傳感器制備方法的方法流程圖；圖a～c為一實施例中溫度傳感器制備方法各步驟對應(yīng)生成的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖為一實施例中溫度傳感器側(cè)視圖；圖為與圖對應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。

    如圖c所示，基底包括硅片和氧化硅薄膜，硅片和氧化硅薄膜之間形成有空腔。測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出，在本方案中，測溫單元形成于氧化硅薄膜上且位于空腔上方。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu)，包括：金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)；和第二金屬層，位于金屬鉑層外側(cè)兩端，用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示，氧化硅薄膜上淀積有一層金屬層，該金屬層為金屬鉑層，即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中，也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積，鉑熱電阻呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。金屬鉑層外側(cè)兩端淀積有一層第二金屬層。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該第二金屬層可為金屬鋁層。穩(wěn)定靠譜的溫度傳感器供應(yīng)，認準深圳美信美科技現(xiàn)貨商。

    可以將溫度傳感器兩輸出端子作為冷端且保持冷端溫度恒定，將串聯(lián)的多晶硅層作為熱端感測實際環(huán)境溫度，當環(huán)境溫度發(fā)生變化時，冷端和熱端的溫差發(fā)生變化，因此冷端的電勢會發(fā)生變化，與顯示儀表連接后，顯示儀表會顯示熱電偶受當前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應(yīng)的熱端溫度，即當前環(huán)境溫度。通常，形成測溫單元還包括鈍化步驟，即，步驟s：在金屬層上形成鈍化層，并在鈍化層上對應(yīng)溫度傳感器引出輸出端子處設(shè)有通孔。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結(jié)構(gòu)如金屬鋁層，對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層，其上還形成一層鈍化層，可對金屬結(jié)構(gòu)進行保護。同時，需要在對應(yīng)溫度傳感器引出端子處開設(shè)通孔，通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中，是在外側(cè)多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層，也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器制備方法，可以得到氧化硅薄膜，且氧化硅薄膜與硅通過空腔隔離，空腔下方的硅不會影響上方氧化硅薄膜的隔離效果，因此無需通過深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉，簡化了制備過程。節(jié)約制備時間，節(jié)省了制備成本。由于氧化硅薄膜導(dǎo)熱率低，將測溫單元制備在氧化硅薄膜上，具有較好的測溫效果。深圳市美信美科技有限公司，你的穩(wěn)定溫度傳感器供應(yīng)商。天津巨大規(guī)模溫度傳感器精度哪家好

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    使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s130：在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元，所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。在溫度傳感器基作完成后，需要做基底上形成測溫單元，測溫單元是溫度傳感器的工作單元，溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實施例中，測溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu)，其具體形成過程為：步驟s131：在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層，金屬層為金屬鉑層，金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖3所示，在氧化硅薄膜23上淀積一層金屬層30，該金屬層30可為金屬鉑層，即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實施例中，也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸，在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積，將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖4所示)。步驟s132：在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層，用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖3和圖4，在金屬鉑層30外側(cè)兩端淀積一層第二金屬層40，該第二金屬層40可為金屬鋁層，從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子，即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。珠海扁平形溫度傳感器原理