東莞雙極型溫度傳感器原理

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-11-16

    p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。步驟s135:在多晶硅層上淀積第三金屬層,第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見(jiàn)圖5和圖6,在多晶硅層50上淀積第三金屬層60,第三金屬層60包括金屬結(jié)構(gòu)61和第二金屬結(jié)構(gòu)62。金屬結(jié)構(gòu)61位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條,具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條51和p型多晶硅條52通過(guò)該金屬結(jié)構(gòu)61形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí),需要m-1個(gè)金屬結(jié)構(gòu)61使多晶硅條串聯(lián)起來(lái)。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測(cè)溫單元,因此,m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)62淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中,第三金屬層60為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu),利用半導(dǎo)體兩端的溫度不同時(shí)。溫度傳感器好的供應(yīng)商,認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美。東莞雙極型溫度傳感器原理

東莞雙極型溫度傳感器原理,溫度傳感器

    一種溫度傳感器制備方法,包括:在硅片形成若干溝槽;熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在所述空腔上方連接起來(lái),將所述空腔封閉;氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜;在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元,所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。上述溫度傳感器制備方法,先通過(guò)刻蝕在硅片上形成若干溝槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火,由于高溫環(huán)境下硅原子會(huì)發(fā)生遷移,硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生改變,之前的若干溝槽會(huì)相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀積測(cè)溫材料形成測(cè)溫單元,測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度,從而得到溫度傳感器。通過(guò)本方案得到的溫度傳感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅。北京通用溫度傳感器排名深圳有哪家溫度傳感器現(xiàn)貨商?深圳美信美科技有限公司。

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    n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻;p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。在多晶硅層上淀積有第三金屬層,第三金屬層包括金屬結(jié)構(gòu)和第二金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)位于相鄰多晶硅條之間,該多晶硅條通過(guò)金屬結(jié)構(gòu)連接,金屬結(jié)構(gòu)具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)該金屬結(jié)構(gòu)形成一串聯(lián)結(jié)構(gòu),因此,當(dāng)具有m個(gè)多晶硅條時(shí),需要m-個(gè)金屬結(jié)構(gòu)使多晶硅條串聯(lián)起來(lái)。一個(gè)n型多晶硅條與一個(gè)p型多晶硅條串聯(lián)形成一個(gè)塞貝克(seebeck)結(jié)構(gòu),在本方案中,是多個(gè)塞貝克結(jié)構(gòu)串聯(lián)形成一個(gè)測(cè)溫單元,因此。m需為偶數(shù)。第二金屬結(jié)構(gòu)淀積于多晶硅層外側(cè)的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實(shí)施例中,第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結(jié)構(gòu),利用兩不同類型的半導(dǎo)體兩端的溫度不同時(shí),會(huì)在半導(dǎo)體內(nèi)部產(chǎn)生溫差電動(dòng)勢(shì),不同類型的半導(dǎo)體其溫差電動(dòng)勢(shì)不同。將兩種半導(dǎo)體兩端連接形成閉合回路時(shí),在回路中有電流產(chǎn)生。

    在氧化硅薄膜上面再淀積一層氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜,可以平衡氧化硅內(nèi)部應(yīng)力。使氧化硅薄膜結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定。步驟s:在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元,所述測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測(cè)溫單元,測(cè)溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過(guò)該測(cè)溫單元感知溫度后形成電信號(hào)并輸出。在一實(shí)施例中,測(cè)溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過(guò)程為:步驟s:在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,該金屬層可為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實(shí)施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。溫度傳感器現(xiàn)貨商深圳美信美科技有公司連續(xù)兩年獲得好的供應(yīng)商稱號(hào)。

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    產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù),誠(chéng)信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。步驟s:熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方連接起來(lái),將所述空腔封閉。對(duì)開(kāi)設(shè)有溝槽的硅片進(jìn)行適當(dāng)?shù)臒崽幚?,?dāng)硅片被加熱到一定溫度時(shí),硅原子的振動(dòng)能較大,導(dǎo)致原子的移動(dòng)能加強(qiáng),硅原子會(huì)發(fā)生遷移。由于硅片上開(kāi)設(shè)有溝槽。且溝槽側(cè)壁的間距較小,當(dāng)硅原子遷移運(yùn)動(dòng)達(dá)到一定程度時(shí),硅原子會(huì)進(jìn)入溝槽內(nèi),硅片內(nèi)部的溝槽會(huì)發(fā)生形變,溝槽上部被硅封閉,若干溝槽中間部位相互連通,形成一空腔(如圖b所示)。即空腔處于硅片的中間,空腔的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu),上下硅結(jié)構(gòu)被空腔隔離開(kāi)。在一實(shí)施例中,熱退火的溫度可為℃。改變溝槽的間距,可以得到不同形態(tài)的空腔,且間距越大,所需的退火溫度就越高,但是退火的持續(xù)時(shí)間不超過(guò)min。在本實(shí)施例中,溝槽陣列中溝槽之間的間距大于內(nèi)部溝槽的間距,如此可以避免在空腔邊緣處形成缺口。同時(shí),熱退火需要在一隔離環(huán)境中進(jìn)行。深圳美信美科技有限公司是溫度傳感器實(shí)力供貨商。石家莊通用溫度傳感器工藝

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    同時(shí),需要在對(duì)應(yīng)溫度傳感器引出端子處開(kāi)設(shè)通孔,通過(guò)通孔可引出輸出端子。在本實(shí)施例中,是在兩端的金屬鋁上方的鈍化層開(kāi)設(shè)通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。在一實(shí)施例中,測(cè)溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過(guò)程為:步驟s:在所述氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,所述多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。如圖和圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層多晶硅層,該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導(dǎo)電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導(dǎo)電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。n型多晶硅條和p型多晶硅條形狀相同,在本方案中,n型多晶硅條和p型多晶硅條為長(zhǎng)條型,多晶硅條平行設(shè)置,具有相同的間距。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際有名品牌集成電路。東莞雙極型溫度傳感器原理

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