武漢排氣溫度傳感器報價

來源: 發(fā)布時間:2023-11-16

    一種溫度傳感器制備方法,包括:在硅片形成若干溝槽;熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在所述空腔上方連接起來,將所述空腔封閉;氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜;在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。上述溫度傳感器制備方法,先通過刻蝕在硅片上形成若干溝槽。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。再在高溫環(huán)境下進行退火,由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移,硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會發(fā)生改變,之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元,測溫單元用于感測環(huán)境溫度,從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅。長期穩(wěn)定的溫度傳感器渠道,就找深圳市美信美科技有限公司。武漢排氣溫度傳感器報價

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    圖為另一實施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖為與圖對應的溫度傳感器俯視圖。具體實施方式為了便于理解本發(fā)明,下面將參照相關(guān)附圖對本發(fā)明進行更的描述。附圖中給出了本發(fā)明的優(yōu)先實施例。但是,本發(fā)明可以以許多不同的形式來實現(xiàn),并不限于本文所描述的實施例。相反地。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容更加透徹。除非另有定義,本文所使用的所有的技術(shù)和科學術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。本申請?zhí)峁┮环N溫度傳感器的制備方法,如圖所示,其步驟包括:步驟s:在硅片上形成若干溝槽。結(jié)合圖a所示,獲取一硅晶片。無錫熱電偶溫度傳感器選哪家好的的溫度傳感器供應,信任深圳市美信美科技有限公司。

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    產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。步驟s:熱退火使所述若干溝槽變形后相互連通形成一空腔,且所述硅片在空腔上方連接起來,將所述空腔封閉。對開設(shè)有溝槽的硅片進行適當?shù)臒崽幚恚敼杵患訜岬揭欢囟葧r,硅原子的振動能較大,導致原子的移動能加強,硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設(shè)有溝槽。且溝槽側(cè)壁的間距較小,當硅原子遷移運動達到一定程度時,硅原子會進入溝槽內(nèi),硅片內(nèi)部的溝槽會發(fā)生形變,溝槽上部被硅封閉,若干溝槽中間部位相互連通,形成一空腔(如圖b所示)。即空腔處于硅片的中間,空腔的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu),上下硅結(jié)構(gòu)被空腔隔離開。在一實施例中,熱退火的溫度可為℃。改變溝槽的間距,可以得到不同形態(tài)的空腔,且間距越大,所需的退火溫度就越高,但是退火的持續(xù)時間不超過min。在本實施例中,溝槽陣列中溝槽之間的間距大于內(nèi)部溝槽的間距,如此可以避免在空腔邊緣處形成缺口。同時,熱退火需要在一隔離環(huán)境中進行。

    測溫單元為一熱電偶傳感結(jié)構(gòu),包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層。第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),n型多晶硅和p型多晶硅通過金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出溫度傳感器的輸出端子。如圖和圖所示,氧化硅薄膜上形成有一層多晶硅層。該多晶硅層包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務(wù),誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務(wù)。n型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅴ族元素形成導電類型為n型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻;p型多晶硅可為在多晶硅內(nèi)部摻雜ⅲ族元素形成導電類型為p型的多晶硅,且其內(nèi)部摻雜均勻。好的渠道商深圳市美信美科技有限公司,只做原裝進口溫度傳感器。

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    且所述硅片在空腔上方連接起來,將所述空腔封閉。對開設(shè)有溝槽的硅片進行適當?shù)臒崽幚?,當硅片被加熱到一定溫度時,硅原子的振動能較大,導致原子的移動能加強,硅原子會發(fā)生遷移。由于硅片上開設(shè)有溝槽,且溝槽側(cè)壁的間距較小,當硅原子遷移運動達到一定程度時,硅原子會進入溝槽內(nèi),硅片內(nèi)部的溝槽會發(fā)生形變,溝槽上部被硅封閉,若干溝槽中間部位相互連通,形成一空腔(如圖b所示)。即空腔處于硅片的中間,空腔的上部和下部均具有硅結(jié)構(gòu),上下硅結(jié)構(gòu)被空腔隔離開。在一實施例中,熱退火的溫度可為℃。改變溝槽的間距,可以得到不同形態(tài)的空腔,且間距越大,所需的退火溫度就越高,但是退火的持續(xù)時間不超過min。在本實施例中,溝槽陣列中溝槽之間的間距大于內(nèi)部溝槽的間距,如此可以避免在空腔邊緣處形成缺口。同時,熱退火需要在一隔離環(huán)境中進行,如真空環(huán)境或者惰性氣體環(huán)境,保證在熱退火過程中硅不會與環(huán)境中的物質(zhì)發(fā)生化學反應。在本實施例中。熱退火在氫氣環(huán)境中進行。步驟s:氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。廣東深圳有哪家靠譜的溫度傳感器供應商嗎?深圳市美信美科技有限公司。數(shù)字溫度傳感器精度哪家好

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    提供這些實施例的目的是使對本發(fā)明的公開內(nèi)容更加透徹。除非另有定義,本文所使用的所有的技術(shù)和科學術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個或多個相關(guān)的所列項目的任意的和所有的組合。本申請?zhí)峁┮环N溫度傳感器的制備方法,如圖1所示,其步驟包括:步驟s110:在硅片上形成若干溝槽。結(jié)合圖2a所示,獲取一硅晶片20,從硅片20上方垂直向下開設(shè)若干并列的溝槽21形成溝槽陣列。在一實施例中,先在硅片20上形成具有陣列圖案的光刻膠層,再以光刻膠作為掩膜版對硅片20進行刻蝕形成若干溝槽21。在本實施例中,刻蝕可為常規(guī)的干法刻蝕,具體為深度離子刻蝕。干法刻蝕具有更高的刻蝕精度和更好的各向異性性能,其精度可達亞微米級別,通過干法刻蝕,可以得到形態(tài)較好的溝槽,尤其是溝槽尺寸較小時利用干法刻蝕效果更佳??赏ㄟ^調(diào)節(jié)掩膜板圖案和控制刻蝕參數(shù)得到不同形態(tài)的溝槽,其中,溝槽21的寬度可為~1μm,溝槽21的深度可為1~10μm,相鄰溝槽21之間的間隔可為~1μm。溝槽21的俯視形貌可以為圓形、方形或其他形狀。武漢排氣溫度傳感器報價