常州半導體集成電路分類

    調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為通過控制提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的一個或多個工作mtj器件提供訪問。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件，一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層b與自由層b分隔開的固定層b。例如，在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括與相關的工作mtj器件連接的并聯(lián)連接的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實施例中。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑。pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在其它實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置可以包括一個或多個電阻器(例如，包括氮化鉭、鉭、氮化鈦、鈦、鎢等的薄膜電阻器)。例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR。德州的集成電路渠道，找什么深圳市美信美科技。常州半導體集成電路分類

    然后在開口內(nèi)沉積導電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學機械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示，可以在存儲單元a,上方形成存儲單元b,。存儲單元b?？梢园üぷ鱩tj器件和調(diào)節(jié)訪問裝置，調(diào)節(jié)訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調(diào)節(jié)mtj器件和。存儲單元b,可以根據(jù)與關于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件，但是應該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實施此處描述的一個或多個方面或?qū)嵤├际切枰?，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨的步驟和/或階段中實施。在步驟中，在襯底上方形成互連層?；ミB層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。徐州圓形集成電路好的渠道商深圳市美信美科技有限公司，只做原裝進口集成電路。

    調(diào)節(jié)mtj器件具有比調(diào)節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，字線連接至字線解碼器，并且位線和位線連接至位線解碼器。在一些實施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實施例中，集成芯片還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實施例中。工作mtj器件通過設置在襯底上方的介電結(jié)構與調(diào)節(jié)mtj器件橫向分隔開。在一些實施例中，集成芯片還包括布置在位于工作mtj器件正上方的存儲單元內(nèi)的工作mtj器件，工作mtj器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)。在一些實施例中，工作mtj器件通過不延伸穿過襯底的連續(xù)導電路徑連接在位線和字線之間。在其它實施例中，涉及集成電路。集成電路包括布置在襯底上方的介電結(jié)構內(nèi)的互連層，互連層通過介電結(jié)構與襯底分隔開；以及調(diào)節(jié)mtj器件，布置在互連層正上方并且被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)，工作mtj器件通過包括多個互連層并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導電路徑電連接在位線和字線之間。在一些實施例中，集成電路還包括調(diào)節(jié)訪問裝置，其具有連接在字線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，調(diào)節(jié)mtj器件具有通過介電阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中。

    圖至圖中公開的結(jié)構不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結(jié)構而單獨存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實施例中，ild層可以通過一個或多個附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內(nèi)形成導電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如?；瘜W機械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個實施例中，襯底可以是任何類型的半導體主體(例如。硅、sige、soi等)，諸如半導體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關的其它類型的半導體和/或外延層。在一些實施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實施例中，導電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。在各個實施例中，互連層a可以是互連線層、互連層、第三互連線層或更高金屬互連線層。的截面圖所示。集成電路具有規(guī)模生產(chǎn)能力，可靠性等特點。

    存取晶體管)用于在讀取和/或?qū)懭氩僮髌陂g選擇性地向相關的mtj器件提供電壓和/或電流。因為mram單元通常對寫入操作使用相對高的電壓和/或電流，所以驅(qū)動晶體管的尺寸可能相對較大。雖然可以使mram單元的mtj具有小的尺寸，但是相對大尺寸的驅(qū)動晶體管限制了存儲器陣列內(nèi)的小型ram單元可以縮小的程度。在一些實施例中，涉及集成芯片，該集成芯片包括具有多個存儲單元(例如，mram單元)的存儲器陣列，存儲單元不包括驅(qū)動晶體管(即，不使用驅(qū)動晶體管來對存儲單元提供電壓和/或電流)。而且，多個存儲單元分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置。該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問。調(diào)節(jié)訪問裝置具有連接至工作mtj器件的一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件。一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件被配置為通過控制(即。調(diào)節(jié))提供給工作mtj器件的電流來選擇性地對工作mtj器件提供訪問。通過使用調(diào)節(jié)訪問裝置來選擇性地對存儲器陣列內(nèi)的工作mtj器件提供訪問，可以減小存儲器陣列內(nèi)的存儲單元(例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR。集成電路實力供應商有哪些？深圳美信美科技。廣州雙列直插型集成電路報價

而根據(jù)處理信號的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路、和兼具模擬與數(shù)字的混合信號集成電路。常州半導體集成電路分類

    每個系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲模塊之間交錯的冷卻管。當這些系統(tǒng)板相對地放置在一起時，每個系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲模塊由在另一個系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲模塊，同時仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關的溢出。盡管參考雙列直插式存儲模塊描述了不同實施例，應當認識到的是，所公開的技術可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個或多個系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個或多個元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關系圖，在該系統(tǒng)中可以實施不同實施例。系統(tǒng)100包括計算部件120，所述計算部件包括處理器104和存儲器106。存儲器106包括多個雙列直插式存儲模塊組件108。系統(tǒng)100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲模塊組件108。由雙列直插式存儲模塊組件108產(chǎn)生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲液器114適應液體體積的改變。常州半導體集成電路分類