廣州雙極型集成電路公司

    所述方法包括：提供兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，多個液體冷卻管，每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板，連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊，和多個散熱器，每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯(lián)；以及將所述印刷電路裝配件彼此相對地布置，使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯，并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。附圖說明參考下列附圖，根據(jù)一個或多個不同實(shí)施例詳細(xì)描述了本公開。附圖出于說明的目的提供，并且描繪典型或示例的實(shí)施例。圖1是系統(tǒng)的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實(shí)施不同實(shí)施例。圖2a和圖2b示出了根據(jù)一個實(shí)施例的雙列直插式存儲模塊(dimm)組件。圖3示出了圖2a和圖2b的雙列直插式存儲模塊組件的一側(cè)的視圖。圖4a示出了根據(jù)一個實(shí)施例的兩個相同的印刷電路裝配件。圖4b示出了圖4a的兩個印刷電路裝配件，所述兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起。美信美科技是公認(rèn)的好的供貨商。廣州雙極型集成電路公司

    v)施加至字線wl，對存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件實(shí)施讀取操作。非零偏置電壓v將使得讀取電流ir通過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。通過工作mtj器件的讀取電流ir具有取決于工作mtj器件的電阻狀態(tài)的值。例如，工作mtj器件處于低電阻狀態(tài)(例如，存儲邏輯“”)時的讀取電流ir將大于工作mtj器件處于高電阻狀態(tài)(例如，存儲邏輯“”)的讀取電流ir。在一些實(shí)施例中，位線解碼器可以包括多路復(fù)用器，多路復(fù)用器被配置為確定存儲器陣列的期望輸出。多路復(fù)用器被配置為將來自存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件的讀取電流ir選擇性地提供給感測放大器。感測放大器被配置為比較ir與由電流源產(chǎn)生的參考電流iref，以確定存儲在存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。圖a示出了對應(yīng)于圖的存儲器陣列的集成芯片的一些實(shí)施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)。介電結(jié)構(gòu)圍繞存儲單元a,和存儲單元b,，存儲單元b,鄰近于存儲單元a,橫向定位。介電結(jié)構(gòu)還圍繞多個導(dǎo)電互連層a至c。在一些實(shí)施例中，介電結(jié)構(gòu)可以包括多個堆疊的ild層。在各個實(shí)施例中，多個堆疊的ild層可以包括氧化硅、氟摻雜的氧化硅、碳摻雜的氧化硅等的一種或多種。在各個實(shí)施例中。長春圓形集成電路工藝1958年美國德克薩斯儀器公司發(fā)明全球首塊集成電路，這標(biāo)志著世界從此進(jìn)入到了集成電路的時代。

    該調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)mtj器件。存儲器電路包括存儲器陣列，存儲器陣列具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,(例如，mram單元)。多個存儲單元a。至c,分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和通過調(diào)節(jié)提供給工作mtj器件的電流而選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。例如，調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以都連接至工作mtj器件的固定層。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wlx之間(x＝,,)。并且調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wly(y＝,,)之間。例如，在存儲單元a,中，調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間，而調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實(shí)施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實(shí)施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實(shí)施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在操作期間。

    內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，使得沒有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。圖c示出了示出從工作mtj器件讀取數(shù)據(jù)狀態(tài)的讀取操作的示意圖的一些實(shí)施例。如示意圖所示，通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，對存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件實(shí)施讀取操作。非零偏置電壓v將使得讀取電流ir通過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。通過工作mtj器件的讀取電流ir具有取決于工作mtj器件的電阻狀態(tài)的值。例如，工作mtj器件處于低電阻狀態(tài)(例如，存儲邏輯“”)時的讀取電流ir將大于工作mtj器件處于高電阻狀態(tài)(例如，存儲邏輯“”)的讀取電流ir。在一些實(shí)施例中，位線解碼器可以包括多路復(fù)用器，多路復(fù)用器被配置為確定存儲器陣列的期望輸出。多路復(fù)用器被配置為將來自存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件的讀取電流ir選擇性地提供給感測放大器，感測放大器被配置為比較ir與由電流源產(chǎn)生的參考電流iref，以確定存儲在存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。圖a示出了對應(yīng)于圖的存儲器陣列的集成芯片的一些實(shí)施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)。介電結(jié)構(gòu)圍繞存儲單元a,和存儲單元b,，存儲單元b,鄰近于存儲單元a,橫向定位。集成電路哪家靠譜？深圳美信美科技有限公司。

    下基板上的上層金屬層、下層金屬層以及上層金屬層上聯(lián)結(jié)pad、，下層金屬層上的聯(lián)結(jié)pad、、、6。上基板與下基板聯(lián)結(jié)用的沉金、。深圳市美信美科技有限公司于年月日成立。公司經(jīng)營范圍包括：一般經(jīng)營項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于：汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。下基板的上層金屬層、下層金屬層通孔沉金、，用于中間填充層的，上基板中間層、下基板中間層。圖示出依據(jù)本申請一實(shí)施例的雙芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)，包括上基板、元件、元件及下基板，上基板上的上層金屬層、下層金屬層6以及下層金屬層6上的聯(lián)結(jié)pad、、、，下基板上的上層金屬層、下層金屬層以及上層金屬層上的pad、、、6，下層金屬層上的聯(lián)結(jié)pad、、、、、聯(lián)結(jié)pad。上基板與下基板聯(lián)結(jié)用的沉金、。下基板的上層金屬層、下層金屬層通孔沉金、6、、，用于中間填充層的，上基板中間層、下基板中間層。以上所述實(shí)施例用以說明本申請的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實(shí)施例對本申請進(jìn)行了詳細(xì)的說明。極大規(guī)模集成電路：邏輯門10,001~1M個或 晶體管100,001~10M個。佛山射頻集成電路排名

集成電路可以把模擬和數(shù)字電路集成在一個單芯片上，以做出如模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器和數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器等器件。廣州雙極型集成電路公司

    在一些實(shí)施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實(shí)施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實(shí)施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在操作期間。字線解碼器被配置為選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條字線wl至wl，并且位線解碼器被配置成選擇性地將信號施加至連接至存儲器陣列的一條或多條位線bl至bl。通過選擇性地將信號施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條位線bl至bl，可以在相互排斥的情況下選擇性地訪問多個工作mtj器件中的不同工作mtj器件。例如，圖a至圖b示出了圖的存儲器電路的寫入操作的一些實(shí)施例的示意圖和。示意圖和所示的寫入操作是實(shí)施寫入操作的方法的非限制性實(shí)例。在其它實(shí)施例中，可以可選地使用實(shí)施寫入操作的其它方法。圖a至圖b中示出的寫入操作在步驟(圖a所示)期間將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲器陣列的一行中的一個或多個存儲單元，并且在隨后的步驟(圖b所示)期間將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲器陣列的該行中的一個或多個存儲單元，以使用兩步工藝將數(shù)據(jù)寫入至存儲器陣列的整個行。應(yīng)該理解，為了將數(shù)據(jù)寫入mtj器件。廣州雙極型集成電路公司