上海大規(guī)模集成電路封裝

    每個(gè)系統(tǒng)板具有在雙列直插式存儲(chǔ)模塊之間交錯(cuò)的冷卻管。當(dāng)這些系統(tǒng)板相對(duì)地放置在一起時(shí)，每個(gè)系統(tǒng)板上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊由在另一個(gè)系統(tǒng)板上的冷卻管冷卻。相比于之前的方法，這種方法允許更高密度的雙列直插式存儲(chǔ)模塊，同時(shí)仍然提供必要的冷卻。這種方法也是安靜的，并且由此可以靠近辦公室員工放置。這種方法也允許容易的維護(hù)，而沒有與液體浸入式冷卻系統(tǒng)相關(guān)的溢出。盡管參考雙列直插式存儲(chǔ)模塊描述了不同實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到的是，所公開的技術(shù)可以用于冷卻任何集成電路或類似的一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)和系統(tǒng)中的一個(gè)或多個(gè)元素/部件。圖1是系統(tǒng)100的關(guān)系圖，在該系統(tǒng)中可以實(shí)施不同實(shí)施例。系統(tǒng)100包括計(jì)算部件120，所述計(jì)算部件包括處理器104和存儲(chǔ)器106。存儲(chǔ)器106包括多個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。系統(tǒng)100還包括冷卻回路。所述冷卻回路包括泵110、熱交換器112和儲(chǔ)液器114。泵110將冷卻液體130提供給雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。由雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108產(chǎn)生的熱量被傳送給液體，加熱液體并且冷卻雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108。泵110將被加熱的液體132從雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件108移除。熱交換器112冷卻被加熱的液體132。儲(chǔ)液器114適應(yīng)液體體積的改變。深圳有哪家集成電路現(xiàn)貨商？深圳美信美科技有限公司。上海大規(guī)模集成電路封裝

    可以對(duì)磁固定膜、介電阻擋層和磁自由膜實(shí)施一個(gè)或多個(gè)圖案化工藝以限定多個(gè)mtj器件、和。在其它實(shí)施例中，可以在不同時(shí)間形成多個(gè)mtj器件、和。的截面圖所示，在多個(gè)mtj器件、和上方形成多個(gè)頂電極通孔。多個(gè)頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實(shí)施例中。可以在多個(gè)mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內(nèi)形成多個(gè)頂電極通孔。在各個(gè)實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)頂電極通孔可以包括導(dǎo)電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個(gè)mtj器件、和上方的第三ild層內(nèi)形成互連層b。在一些實(shí)施例中，互連層b包括限定存儲(chǔ)單元a,的位線bl和一條或多條字線wl至wl的多個(gè)互連結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，第三ild層可以包括通過一個(gè)或多個(gè)沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(zhì)(例如，氧化物、低k電介質(zhì)或k電介質(zhì))?？梢酝ㄟ^選擇性地蝕刻第三ild層以在第三ild層內(nèi)形成開口來形成互連層b。然后在開口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如。上海半導(dǎo)體集成電路芯片美信美科技是公認(rèn)的好的供貨商。

    圖a示出了具有以行和列布置的多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,分別包括配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器件和配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條字線wl至wl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。調(diào)節(jié)mtj器件連接在多條位線bl至bl的條和多條偏置電壓線bvl至bvl的條之間。工作mtj器件連接在多條偏置電壓線bvl至bvl的條和多條位線bl至bl的條之間。在操作期間，位線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條位線bl至bl，并且字線解碼器被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wl至wl和一條或多條偏置電壓線bvl至bvl。施加的信號(hào)使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲(chǔ)器陣列的整個(gè)列的電壓而產(chǎn)生。而將調(diào)節(jié)訪問裝置連接至位線bl使得調(diào)節(jié)mtj器件內(nèi)的電流基于提供給存儲(chǔ)器陣列的整個(gè)行的電壓而產(chǎn)生。將調(diào)節(jié)訪問裝置連接至在不同方向上延伸的位線和字線允許改進(jìn)存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)單元之間的隔離。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些額外實(shí)施例的截面圖。

    調(diào)節(jié)mtj器件的尺寸賦予調(diào)節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲(chǔ)器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，存儲(chǔ)器電路具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,的存儲(chǔ)器電路的示意圖。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,分別包括被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的工作mtj器件和被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接在字線wlx(x＝,,)和偏置電壓線bvly(y＝,。)之間的調(diào)節(jié)mtj器件。工作mtj器件連接在偏置電壓線bvly(y＝,,)和位線blz(z＝,,)之間。多個(gè)存儲(chǔ)單元a,至c,連接至控制電路?？刂齐娐钒ū慌渲脼檫x擇性地將信號(hào)施加至一條或多條位線blz的位線解碼器、被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條字線wlx的字線解碼器以及被配置為選擇性地將信號(hào)施加至一條或多條偏置電壓線bvly的偏置電路。在一些實(shí)施例中。字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號(hào)施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件?？孔V集成電路，深圳美信美科技只做原裝現(xiàn)貨。

    多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c可以包括銅、鋁、鎢、碳納米管等。存儲(chǔ)單元a,和存儲(chǔ)單元b,分別包括調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件。調(diào)節(jié)訪問裝置連接至限定多條字線wl至wl的互連層a。多條字線wl至wl中的兩個(gè)連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的一行內(nèi)的相應(yīng)存儲(chǔ)單元。例如，字線wl至wl可以連接至行中的存儲(chǔ)單元a,，并且字線wl至wl可以連接至行中的存儲(chǔ)單元b,。在一些實(shí)施例中，多條字線wl至wl可以與襯底分隔開非零距離d?；ミB層b布置在調(diào)節(jié)訪問裝置和工作mtj器件之間。工作mtj器件進(jìn)一步連接至限定位線bl的第三互連層c。位線bl連接至布置在存儲(chǔ)器陣列的一列內(nèi)的存儲(chǔ)單元內(nèi)的工作mtj器件。例如。位線bl連接至圖的存儲(chǔ)器陣列的列內(nèi)的工作mtj器件。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件通過包括多個(gè)導(dǎo)電互連層a至c并且不延伸穿過襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑連接在位線blz(z＝,)和字線wlx(x＝,)之間。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件不位于被配置為控制對(duì)工作mtj器件的訪問的存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中。調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括垂直布置在底電極通孔和頂電極通孔之間的mtj。在一些實(shí)施例中，頂電極通孔可以通過通孔(例如。深圳市美信美科技有限公司，你的穩(wěn)定集成電路供應(yīng)商。上海半導(dǎo)體集成電路芯片

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    滿足短聯(lián)結(jié)線路要求，滿足佳導(dǎo)熱要求。上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層通過聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)。上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有上下兩層金屬層，內(nèi)層金屬層通過聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有多層金屬層，除了上下兩層金屬層的內(nèi)層金屬層通過聯(lián)接pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱以外，上層基板內(nèi)部還有一層或者多層金屬層，并通過開孔沉金，以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)。下層基板可選的一定有一層金屬層，此金屬層上的聯(lián)結(jié)pad就是此集成電路的聯(lián)結(jié)pad，留待pcb應(yīng)用。下層基板可選的可以有多層金屬層，除了外層金屬層用作此集成電路的聯(lián)結(jié)pad外，下層基板還可以有多層金屬層，并通過開孔沉金互聯(lián)，以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)。可選的中間基板可選的具有上層基板和下層基板的所有特點(diǎn)，通過聯(lián)結(jié)pad與元件和其他基板聯(lián)結(jié)。本申請(qǐng)實(shí)施例中，集成電路封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部聯(lián)結(jié)線路短，導(dǎo)流能力強(qiáng)，導(dǎo)熱能力強(qiáng)，寄生電參數(shù)小，可以滿足市場(chǎng)上對(duì)集成電路更小型化，更高功率密度的要求。附圖說明為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案。上海大規(guī)模集成電路封裝