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調(diào)節(jié)訪問裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括垂直布置在底電極通孔和頂電極通孔之間的mtj。在一些實施例中,頂電極通孔可以通過通孔(例如,銅通孔)連接至上面的互連層。在一些實施例中,底電極通孔和頂電極通孔可以包括金屬,諸如氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、鈦(ti)、鉭(ta)等。在一些實施例中,互連層b從調(diào)節(jié)mtj器件正上方連續(xù)延伸至調(diào)節(jié)mtj器件正上方。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括由介電遂穿阻擋層分隔開的自由層和固定層。自由層具有被配置為響應于電信號(例如,電流)而改變的磁矩。固定層具有固定的磁取向,該磁取向被配置為用作參考磁方向和/或減少對自由層的磁沖擊。在一些實施例中,mtj中的一個或多個可以包括附加層。例如,在一些實施例中,mtj中的一個或多個可以包括位于底電極通孔和固定層之間的反鐵磁層。在其它實施例中,mtj中的一個或多個可以包括以各種方式布置的附加固定層(例如,附加固定層、附加固定層等)和/或附加自由層(例如,附加自由層、附加自由層等)以改進mtj的性能。圖b示出了對應于圖的存儲器陣列的集成芯片的一些可選實施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結構。德州的集成電路渠道,找什么深圳市美信美科技。長沙大規(guī)模集成電路選哪家
在互連層的連續(xù)上表面正上方形成多個底電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。在多個底電極通孔正上方形成多個mtj器件。多個mtj器件包括工作mtj器件和一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中,在多個mtj器件正上方形成多個頂電極通孔。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中,在多個頂電極通孔上方形成具有多個互連結構的互連層。多個互連結構限定位線和一條或多條字線。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。步驟至在襯底上方形成存儲單元。在一些實施例中,可以重復步驟至(如步驟所示)以在存儲單元上方形成存儲單元。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。雖然方法描述了包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置(包括mtj器件)的存儲單元(例如,mram單元)的方法存儲器電路,但是應該理解,在其它實施例中,調(diào)節(jié)裝置可以包括電阻器(例如,薄膜電阻器)。在這樣的實施例中,工作mtj器件可以通過組操作(在步驟中)形成,而包括電阻器的調(diào)節(jié)裝置可以通過組單獨的操作(在步驟和步驟之間發(fā)生)形成。例如,在工作mtj的形成(在步驟中)之后,可以通過一個或多個沉積和蝕刻工藝形成電阻器。因此,在一些實施例中。涉及不具有驅(qū)動晶體管(即。無錫模擬集成電路IC模擬集成電路有,例如傳感器、電源控制電路和運放,處理模擬信號。
然后在開口內(nèi)沉積導電材料(例如,銅和/或鋁),以及隨后的平坦化工藝(例如,化學機械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示,可以在存儲單元a,上方形成存儲單元b,。存儲單元b??梢园üぷ鱩tj器件和調(diào)節(jié)訪問裝置,調(diào)節(jié)訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調(diào)節(jié)mtj器件和。存儲單元b,可以根據(jù)與關于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實施例的流程圖,該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如,mram單元),該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件,但是應該理解,這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如,一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發(fā)生。此外,可能不是所有示出的步驟對于實施此處描述的一個或多個方面或?qū)嵤├际切枰?,并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨的步驟和/或階段中實施。在步驟中,在襯底上方形成互連層?;ミB層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。出了對應于步驟的一些實施例的截面圖。在步驟中。
內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而,電流i的兩倍小于切換電流isw,使得沒有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。圖c示出了示出從工作mtj器件讀取數(shù)據(jù)狀態(tài)的讀取操作的示意圖的一些實施例。如示意圖所示,通過將非零偏置電壓v(例如,v)施加至字線wl,對存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件實施讀取操作。非零偏置電壓v將使得讀取電流ir通過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。通過工作mtj器件的讀取電流ir具有取決于工作mtj器件的電阻狀態(tài)的值。例如,工作mtj器件處于低電阻狀態(tài)(例如,存儲邏輯“”)時的讀取電流ir將大于工作mtj器件處于高電阻狀態(tài)(例如,存儲邏輯“”)的讀取電流ir。在一些實施例中,位線解碼器可以包括多路復用器,多路復用器被配置為確定存儲器陣列的期望輸出。多路復用器被配置為將來自存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件的讀取電流ir選擇性地提供給感測放大器,感測放大器被配置為比較ir與由電流源產(chǎn)生的參考電流iref,以確定存儲在存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件中的數(shù)據(jù)狀態(tài)。圖a示出了對應于圖的存儲器陣列的集成芯片的一些實施例的截面圖。集成芯片包括布置在襯底上方的介電結構。介電結構圍繞存儲單元a,和存儲單元b,,存儲單元b,鄰近于存儲單元a,橫向定位。集成電路產(chǎn)業(yè)它不僅包含集成電路市場,也包括IP核市場、EDA市場、芯片代工市場、封測市場。
所述第二熱接口材料層與所述集成電路熱耦聯(lián),和能夠移除的散熱器,所述散熱器與所述第二熱接口材料層熱耦聯(lián),所述散熱器具有越過印刷電路板的與所述連接側相對的側延伸的頂表面;其中,所述兩個印刷電路裝配件被相對地放置在一起,使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的所述熱接口材料層接觸,并且與該熱接口材料層熱耦聯(lián)。在另一個方面中,本公開的實施方式提供一種用于冷卻集成電路的裝置,所述裝置包括:兩個印刷電路裝配件,每個所述印刷電路裝配件包括:系統(tǒng)板,所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座,多個液體冷卻管,每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板,連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊,和多個散熱器,每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯(lián);其中,所述印刷電路裝配件彼此相對地布置,使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯,并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。在又一個方面中,本公開的實施方式提供一種用于冷卻集成電路的方法。集成電路行業(yè)具有生產(chǎn)技術工序難度高、芯片品類眾多、技術迭代速度快、高投入與高風險并存等特點。重慶模擬集成電路工藝
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固定層a和自由層a的磁向之間的關系限定了mtj的電阻狀態(tài),并且從而使得多個存儲單元a,至b,能夠分別存儲數(shù)據(jù)狀態(tài),數(shù)據(jù)狀態(tài)具有基于存儲單元內(nèi)的工作mtj器件的電阻的值。例如,如果工作mtj器件a,具有低電阻狀態(tài),則存儲單元a,將存儲位值(例如,邏輯“”),或者如果工作mtj器件a,具有高電阻狀態(tài),則存儲單元a,將存儲位值。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營范圍包括:一般經(jīng)營項目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術開發(fā)與銷售;國內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務,誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產(chǎn)品服務。例如,邏輯“”)。調(diào)節(jié)訪問裝置分別具有通過其可以控制提供給相關的工作mtj器件的電流的電阻。例如,調(diào)節(jié)訪問裝置a,被配置為控制提供給工作mtj器件a,的電流,調(diào)節(jié)訪問裝置b,被配置為控制提供給工作mtj器件b,的電流等。長沙大規(guī)模集成電路選哪家