廣州巨大規(guī)模集成電路

    圖2a和圖2b示出了根據(jù)一個實施例的雙列直插式存儲模塊組件200。圖2a是雙列直插式存儲模塊組件200在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲模塊組件200的分解圖在圖2b中示出。雙列直插式存儲模塊組件200包括印刷電路板202，印刷電路板202上安裝有一個或多個集成電路(一般地以204示出)。印刷電路板202一般是雙側(cè)的，集成電路204安裝在印刷電路板202的兩側(cè)上。熱接口材料206a、206b的層熱耦聯(lián)至集成電路204。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料，例如，使用諸如導熱膏及類似物。在所描繪的實施例中，具有一對側(cè)板208a、208b的能夠移除的散熱器與熱接口材料206a、206b的層物理接觸，并且因此所述散熱器熱耦聯(lián)至所述熱接口材料206a、206b。側(cè)板208a、208b可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側(cè)板208a、208b，例如，使用諸如不銹鋼或類似物來形成側(cè)板。為了降造成本，側(cè)板208a、208b可以是相同的。能夠移除的一個或多個彈性夾210a、210b、210c、210d可以定位在側(cè)板208a、208b周圍，以將側(cè)板壓靠在熱接口材料206a、206b上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖3示出了圖2的雙列直插式存儲模塊組件200的一側(cè)的視圖。集成電路它是微型電子器件或部件，在電路中用字母“IC”表示。廣州巨大規(guī)模集成電路

    圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實施例的截面圖。如截面圖所示，調(diào)節(jié)mtj器件具有尺寸(例如。寬度w)，并且調(diào)節(jié)mtj器件具有與尺寸不同的尺寸(例如，寬度w)。調(diào)節(jié)mtj器件的尺寸賦予調(diào)節(jié)mtj器件更大的切換電流，這可以允許更大的電流。在一些實施例中，工作mtj器件具有與尺寸和尺寸不同的第三尺寸(例如，第三寬度w)。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。圖a示出了具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,的存儲器電路的示意圖。多個存儲單元a,至c,分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接在字線wlx(x＝,,)和偏置電壓線bvly(y＝,,)之間的調(diào)節(jié)mtj器件。工作mtj器件連接在偏置電壓線bvly(y＝,,)和位線blz(z＝,,)之間。多個存儲單元a,至c,連接至控制電路。控制電路包括被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條位線blz的位線解碼器、被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條字線wlx的字線解碼器以及被配置為選擇性地將信號施加至一條或多條偏置電壓線bvly的偏置電路。在一些實施例中。南京雙列直插型集成電路器件集成電路產(chǎn)業(yè)還甚至延伸至設(shè)備、材料市場。

    印刷電路板一般是雙側(cè)的，集成電路安裝在兩側(cè)上。熱接口材料6的層熱耦聯(lián)至集成電路。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而，可以使用其他的熱接口材料。在所描繪的實施例中，由通過內(nèi)部鉸鏈連接的一對側(cè)板組成的、能夠移除的散熱器與熱接口材料6的層物理接觸。并且因此熱耦聯(lián)至熱接口材料6。側(cè)板可以由鋁制成。然而，可以使用其他材料來形成側(cè)板。能夠移除的一個或多個彈性夾可定位在側(cè)板周圍，以將側(cè)板壓靠在熱接口材料6上，以確保合適的熱耦聯(lián)。圖示出了根據(jù)一個實施例的流程。盡管流程的步驟以特定順序示出，這些步驟的部分或全部可以以其他順序執(zhí)行、并行地執(zhí)行或兩者的組合。一些步驟可以被省略。參考圖，在處，提供兩個印刷電路裝配件。每個印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板；平行地安裝在系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座；和多個冷卻管6。每個所述冷卻管安裝在系統(tǒng)板上、平行且鄰接于所述印刷電路板插座中對應(yīng)的一個印刷電路板插座，所述冷卻管6中的每個冷卻管6具有在冷卻管6與系統(tǒng)板相對的一側(cè)上粘附至冷卻管6的熱接口材料層。在處，流程包括提供多個集成電路模塊。例如，集成電路模塊可以包括一個或多個雙列直插式存儲模塊組件。每個集成電路模塊包括：印刷電路板。

    與集成電路204熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層206；以及與第二熱接口材料層206熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器208，所述散熱器208具有越過印刷電路板202的與連接側(cè)304相對的側(cè)延伸的頂表面302。在906處，將兩個印刷電路裝配件相對地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件400中的每個印刷電路裝配件上的散熱器208的頂表面302與另一個印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)。在908處，流程900包括將每個冷卻管406的端部耦聯(lián)至分流管606a，以及將每個冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至第二分流管606b。在910處，流程900包括將泵110、熱交換器112和儲液器114與分流管606a和第二分流管606b流體流通地耦聯(lián)。流程900包括操作泵110以將液體傳送通過各冷卻管406。如本文所使用的，術(shù)語“或”可以解釋為包含性或排除性的意義兩者。此外，以單數(shù)形式對資源、操作或結(jié)構(gòu)的描述不應(yīng)解讀為排除復數(shù)形式。其中，諸如“能夠”、“可以”、“可能”、或“可”的條件語句，除非另有明確說明，或在所使用的上下文中另有理解，一般旨在傳達某些實施例包含特定特征、元素和/或步驟，而其他實施例不包含這些特定特征、元素和/或步驟。除非另有特別說明。而根據(jù)處理信號的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路、和兼具模擬與數(shù)字的混合信號集成電路。

    以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,和第三存儲單元a。內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來自調(diào)節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i的兩倍的電流流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。電流i的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。存儲單元a。內(nèi)的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響，因為非零偏置電壓v(例如。v)和第四非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，因此沒有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。類似地。中國集成電路是世界上少有的具有設(shè)計、制造、封測、裝備和材料五大板塊齊整的產(chǎn)業(yè)。上海通用集成電路工藝

當今半導體工業(yè)大多數(shù)應(yīng)用的是基于硅的集成電路；廣州巨大規(guī)模集成電路

    該調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)mtj器件。存儲器電路包括存儲器陣列，存儲器陣列具有以行和列布置的多個存儲單元a,至c,(例如，mram單元)。多個存儲單元a。至c,分別包括被配置為存儲數(shù)據(jù)的工作mtj器件和通過調(diào)節(jié)提供給工作mtj器件的電流而選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。在一些實施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置包括連接至工作mtj器件的同一層的調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件。例如，調(diào)節(jié)mtj器件和調(diào)節(jié)mtj器件可以都連接至工作mtj器件的固定層。在一些實施例中，調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wlx之間(x＝,,)。并且調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wly(y＝,,)之間。例如，在存儲單元a,中，調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間，而調(diào)節(jié)mtj器件連接在工作mtj器件和字線wl之間。調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件分別包括mtj，mtj具有通過介電遂穿阻擋層與自由層分隔開的固定層。在一些實施例中，固定層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)、鎳(ni)、釕(ru)、銥(ir)、鉑(pt)等。在一些實施例中，介電遂穿阻擋層可以包括氧化鎂(mgo)、氧化鋁(alo)等。在一些實施例中，自由層可以包括鈷(co)、鐵(fe)、硼(b)等。在操作期間。廣州巨大規(guī)模集成電路