徐州超大規(guī)模集成電路技術(shù)

    然后在開口內(nèi)沉積導(dǎo)電材料(例如，銅和/或鋁)，以及隨后的平坦化工藝(例如，化學(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層b。的截面圖所示，可以在存儲單元a,上方形成存儲單元b,。存儲單元b?？梢园üぷ鱩tj器件和調(diào)節(jié)訪問裝置，調(diào)節(jié)訪問裝置具有形成在第三互連層c和第四互連層d之間的調(diào)節(jié)mtj器件和。存儲單元b,可以根據(jù)與關(guān)于圖至圖描述的那些類似的步驟形成。出了形成具有存儲器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的流程圖，該存儲器電路包括具有調(diào)節(jié)訪問裝置的存儲單元(例如，mram單元)，該調(diào)節(jié)訪問裝置被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問。雖然方法示出和描述為一系列步驟或事件，但是應(yīng)該理解，這些步驟或事件的示出的順序不被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序發(fā)生和/或與除了此處示出的和/或描述的一些的其它步驟或事件同時發(fā)生。此外，可能不是所有示出的步驟對于實(shí)施此處描述的一個或多個方面或?qū)嵤├际切枰?，并且此處描述的一個或多個步驟可以在一個或多個單獨(dú)的步驟和/或階段中實(shí)施。在步驟中，在襯底上方形成互連層。互連層可以形成在襯底上方的ild層內(nèi)。出了對應(yīng)于步驟的一些實(shí)施例的截面圖。在步驟中。極大規(guī)模集成電路：邏輯門10,001~1M個或 晶體管100,001~10M個。徐州超大規(guī)模集成電路技術(shù)

    mram單元)，各存儲單元具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。雖然關(guān)于方法描述了圖至圖，但是應(yīng)該理解，圖至圖中公開的結(jié)構(gòu)不限于這種方法，而且可以作為于該方法的結(jié)構(gòu)而單獨(dú)存在。的截面圖所示，在襯底上方形成互連層a。在一些實(shí)施例中，通過在襯底上方形成層間介電(ild)層來形成互連層a。在一些實(shí)施例中，ild層可以通過一個或多個附加介電層與襯底分隔開。圖案化ild層以限定溝槽。在一些實(shí)施例中，可以通過在ild層上方形成圖案化的掩模層(未示出)并且實(shí)施蝕刻工藝來去除ild層的未由圖案化的掩模層覆蓋的各部分來圖案化ild層。在溝槽內(nèi)形成導(dǎo)電材料，以及隨后是平坦化工藝(例如?；瘜W(xué)機(jī)械平坦化工藝)以形成互連層a。在各個實(shí)施例中，襯底可以是任何類型的半導(dǎo)體主體(例如，硅、sige、soi等)，諸如半導(dǎo)體晶圓和/或晶圓上的一個或多個管芯，以及任何與其相關(guān)的其它類型的半導(dǎo)體和/或外延層。在一些實(shí)施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電材料可以包括通過沉積工藝(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金屬(例如，鎢、鋁等)。廣東圓形集成電路哪家好集成電路具有規(guī)模生產(chǎn)能力，可靠性等特點(diǎn)。

    存取晶體管)的存儲單元(例如，mram單元)。而且，存儲單元包括調(diào)節(jié)訪問裝置，該調(diào)節(jié)訪問裝置具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中，涉及集成芯片。集成芯片包括連接至位線的工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，工作mtj器件被配置為存儲數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及連接在工作mtj器件和字線之間的調(diào)節(jié)訪問裝置，調(diào)節(jié)訪問裝置包括被配置為控制提供給工作mtj器件的電流的一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件。在一些實(shí)施例中，一個或多個調(diào)節(jié)mtj器件分別包括固定層、介電阻擋層和通過介電阻擋層與固定層分隔開的自由層。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置還包括連接在字線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，字線和字線連接至字線解碼器。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)mtj器件具有比調(diào)節(jié)mtj器件更大的尺寸。在一些實(shí)施例中，調(diào)節(jié)訪問裝置還包括連接在位線和工作mtj器件之間的調(diào)節(jié)mtj器件，字線連接至字線解碼器，并且位線和位線連接至位線解碼器。在一些實(shí)施例中，工作mtj器件不位于存取晶體管器件正上方。在一些實(shí)施例中，集成芯片還包括連接在調(diào)節(jié)mtj器件和工作mtj器件之間的偏置電壓線。在一些實(shí)施例中。工作mtj器件通過設(shè)置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)與調(diào)節(jié)mtj器件橫向分隔開。

    內(nèi)的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響，因?yàn)榉橇闫秒妷簐(例如。v)和第四非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。然而，電流i的兩倍小于切換電流isw，因此沒有將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入至存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。類似地，連接至字線wl和wl的工作mtj器件也不受寫入操作的步驟的影響。b的示意圖所示，通過將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件來實(shí)施寫入操作的步驟。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl并且將第三偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實(shí)施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，電流i(其流過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件)的兩倍大于切換電流isw，以將數(shù)據(jù)狀態(tài)寫入存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。存儲單元a,和第三存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件不受寫入操作的步驟的影響，因?yàn)榉橇闫秒妷簐(例如，v)和非零偏置電壓v。例如，v)之間的差異使得小于切換電流的電流i流過存儲單元a,和第三存儲單元a。國家將投入巨資支持集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

    字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件，偏置電路和字線解碼器可以將電壓施加至偏置電壓線bvly和字線wlx，以設(shè)置存儲器陣列的行內(nèi)的調(diào)節(jié)mtj器件的值。隨后，位線解碼器可以施加位線電壓，該位線電壓允許訪問多個存儲單元a,至c,中的選擇的存儲單元，而不訪問多個存儲單元a,至c,中的未選擇的存儲單元。例如，為了將數(shù)據(jù)寫入存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件，可以將組偏置電壓施加至字線wl和偏置電壓線bvl。組偏置電壓賦予行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置低電阻。可以將組偏置電壓施加至其它行中的偏置電壓線bvl和字線wl，以賦予其它行內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置高電阻。然后將位線電壓施加至位線bl。存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置的低電阻使得大電流(例如，大于切換電流)流過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件，同時存儲單元a,內(nèi)的調(diào)節(jié)訪問裝置的高電阻使得小電流(例如，小于切換電流)流過存儲單元a,內(nèi)的工作mtj器件。圖b示出了對應(yīng)于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實(shí)施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調(diào)節(jié)訪問裝置。集成電路產(chǎn)品是信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，直接關(guān)乎社會的穩(wěn)定與國家的安全。廣東圓形集成電路哪家好

集成電路是現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系的關(guān)鍵樞紐，關(guān)系中國式現(xiàn)代化進(jìn)程。徐州超大規(guī)模集成電路技術(shù)

    使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件上的熱接口材料層接觸，并且與所述熱接口材料層熱耦聯(lián)。圖5是移除了雙列直插式存儲模塊組件的印刷電路裝配件的圖。圖6是印刷電路裝配件的圖，包括已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲模塊組件200并且包括已附接的分流管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個實(shí)施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖8a和圖8b示出了根據(jù)一個實(shí)施例的、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖9示出了根據(jù)一個實(shí)施例的流程。附圖是非詳盡的，并且不限制本公開至所公開的精確形式。具體實(shí)施方式諸如雙列直插式存儲模塊(dimm)的集成電路產(chǎn)生大量的熱量，特別是在高密度配置中。現(xiàn)有許多技術(shù)對集成電路進(jìn)行冷卻，但是存在許多與這些現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的缺點(diǎn)?？諝饫鋮s是嘈雜的，并且因此當(dāng)靠近辦公室人員/在工作環(huán)境中布置時是不期望的。當(dāng)需要維護(hù)雙列直插式存儲模塊時，液體浸入式冷卻是雜亂的。另一種方法使用將雙列直插式存儲模塊封裝在散熱器中的雙列直插式存儲模塊組件，所述散熱器熱耦聯(lián)至循環(huán)制冷液體的冷卻管。所公開的實(shí)施例以兩個系統(tǒng)板為一對。徐州超大規(guī)模集成電路技術(shù)