海南DDR測(cè)試工廠直銷

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-29

一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)技術(shù)領(lǐng)域1.本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,尤其是指一種ddr4內(nèi)存信號(hào)測(cè)試方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù):2.為保證服務(wù)器的平穩(wěn)運(yùn)行以及服務(wù)器ddr4內(nèi)存的完好使用,測(cè)量服務(wù)器內(nèi)存的信號(hào)完整性是否符合標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)成了服務(wù)器研發(fā)過(guò)程中必不可少的重要流程。目前服務(wù)器主流都是適用ddr4內(nèi)存,為了保證數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,ddr4鏈路的測(cè)試對(duì)服務(wù)器存儲(chǔ)性能評(píng)估有著至關(guān)重要的影響。3.目前服務(wù)器ddr4信號(hào)的測(cè)試無(wú)法進(jìn)行正常工作狀態(tài)的讀寫(xiě)分離,只能利用主控芯片進(jìn)行讀寫(xiě)命令來(lái)進(jìn)行相應(yīng)讀或?qū)懙臏y(cè)試,效率較低且不能完全反映正常工作狀態(tài)下的波形,在信號(hào)完整性測(cè)試上有比較大的風(fēng)險(xiǎn)。DDR測(cè)試信號(hào)問(wèn)題排查;海南DDR測(cè)試工廠直銷

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實(shí)際的電源完整性是相當(dāng)復(fù)雜的,其中要考慮到IC的封裝、仿真信號(hào)的切換頻率和PCB耗電網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于PCB設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),目標(biāo)阻抗的去耦設(shè)計(jì)是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單的,也是比較實(shí)際的解決方案。在DDR的設(shè)計(jì)上有三類電源,它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%,而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同,詳細(xì)在JEDEC里有敘述。通過(guò)電源層的平面電容和用的一定數(shù)量的去耦電容,可以做到電源完整性,其中去耦電容從10nF到10uF大小不同,共有10個(gè)左右。另外,表貼電容合適,它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴(yán)格的容差性,但是它承載著比較小的電流。顯然,它只需要很窄的走線,且通過(guò)一兩個(gè)去耦電容就可以達(dá)到目標(biāo)阻抗的要求。由于Vref相當(dāng)重要,所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳。然而,對(duì)VTT的布線是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性,因?yàn)樗恢灰袊?yán)格的容差性,而且還有很大的瞬間電流,不過(guò)此電流的大小可以很容易的就計(jì)算出來(lái)。終,可以通過(guò)增加去耦電容來(lái)實(shí)現(xiàn)它的目標(biāo)阻抗匹配。在4層板的PCB里,層之間的間距比較大,從而失去其電源層間的電容優(yōu)勢(shì),所以,去耦電容的數(shù)量將增加,尤其是小于10nF的高頻電容。詳細(xì)的計(jì)算和仿真可以通過(guò)EDA工具來(lái)實(shí)現(xiàn)。遼寧DDR測(cè)試配件DDR存儲(chǔ)器信號(hào)和協(xié)議測(cè)試;

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DDR測(cè)試

要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求,因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來(lái)說(shuō),不同控制器芯片廠商有不同的要求,目前沒(méi)有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn),并借助合適的信號(hào)讀/寫(xiě)分離手段來(lái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。

DDR5具備如下幾個(gè)特點(diǎn):·更高的數(shù)據(jù)速率·DDR5比較大數(shù)據(jù)速率為6400MT/s(百萬(wàn)次/秒),而DDR4為3200MT/s,DDR5的有效帶寬約為DDR4的2倍?!じ偷哪芎摹DR5的工作電壓為1.1V,低于DDR4的1.2V,能降低單位頻寬的功耗達(dá)20%以上·更高的密度·DDR5將突發(fā)長(zhǎng)度增加到BL16,約為DDR4的兩倍,提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線效率。相同的讀取或?qū)懭胧聞?wù)現(xiàn)在提供數(shù)據(jù)總線上兩倍的數(shù)據(jù),同時(shí)限制同一存儲(chǔ)庫(kù)內(nèi)輸入輸出/陣列計(jì)時(shí)約束的風(fēng)險(xiǎn)。此外,DDR5使存儲(chǔ)組數(shù)量翻倍,這是通過(guò)在任意給定時(shí)間打開(kāi)更多頁(yè)面來(lái)提高整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵因素。所有這些因素都意味著更快、更高效的內(nèi)存以滿足下一代計(jì)算的需求。DDR測(cè)試系統(tǒng)和DDR測(cè)試方法與流程;

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對(duì)于DDR2和DDR3,時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)?,而在DDR2里,DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率,當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然,在同樣的長(zhǎng)度下,差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果,時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外,必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸,所以,需要在每一個(gè)字節(jié)里,它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配,而且不能有過(guò)孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低,所以換層走線是沒(méi)多大問(wèn)題的,在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR平均速率以及變化情況;機(jī)械DDR測(cè)試銷售廠

借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些;海南DDR測(cè)試工廠直銷

DDR測(cè)試信號(hào)和協(xié)議測(cè)試

DDR4一致性測(cè)試工作臺(tái)(用示波器中的一致性測(cè)試軟件分析DDR仿真波形)對(duì)DDR5來(lái)說(shuō),設(shè)計(jì)更為復(fù)雜,仿真軟件需要幫助用戶通過(guò)應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于DDR5顆?;駾IMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證,比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址:深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 海南DDR測(cè)試工廠直銷

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