機(jī)械DDR測試修理

DDR測試

DDR5的接收端容限測試

前面我們在介紹USB3.0、PCIe等高速串行總線的測試時(shí)提到過很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號下的表現(xiàn)。對于DDR來說，DDR4及之前的總線接收端還相對比較簡單，只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變增益調(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測試中不曾涉及的。 DDR3規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義；機(jī)械DDR測試修理

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DDRSDRAM即我們通常所說的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前DDR4已經(jīng)成為市場的主流，DDR5也開始進(jìn)入市場。對于DDR總線來說，我們通常說的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號的快跳變速率。比如3200MT/s,對應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會有讀寫間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值。

克勞德高速數(shù)字信號測試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 校準(zhǔn)DDR測試修理DDR4信號質(zhì)量自動測試軟件；

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主要的DDR相關(guān)規(guī)范，對發(fā)布時(shí)間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對比。可以看出DDR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn)，同時(shí)也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例，相 對于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn)，比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號時(shí)序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測等。

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要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號質(zhì)量測試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號質(zhì)量的要求，因此DDR的自動測試軟件也只對這一側(cè)的信號質(zhì)量進(jìn)行測試。對于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號質(zhì)量來說，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號質(zhì)量的測試還只能使用手動的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測試點(diǎn)，并借助合適的信號讀/寫分離手段來進(jìn)行手動測試。 DDR內(nèi)存條電路原理圖；

這里有三種方案進(jìn)行對比考慮：一種是，通過過孔互聯(lián)的這個(gè)過孔附近沒有任何地過孔，那么，其返回路徑只能通過離此過孔250mils的PCB邊緣來提供；第二種是，一根長達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個(gè)信號線的四周有四個(gè)地過孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個(gè)地過孔環(huán)繞的信號過孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號過孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號過孔會增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時(shí)延方面顯得尤為重要。 DDR3總線的解碼方法；信息化DDR測試信號完整性測試

DDR的信號測試和協(xié)議測試；機(jī)械DDR測試修理

如何測試DDR？

DDR測試有具有不同要求的兩個(gè)方面：芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進(jìn)行。采用的測試儀通常是內(nèi)存自動測試設(shè)備，其價(jià)值一般在數(shù)百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發(fā)生器。測試工程師通過編程來模擬實(shí)際工作環(huán)境；另外，他也可以對計(jì)時(shí)脈沖邊沿前后進(jìn)行微調(diào)來尋找平衡點(diǎn)。自動測試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產(chǎn)生的任意波形數(shù)量受制于其本身的后備映象隨機(jī)內(nèi)存和算法生成程序。由于映象隨機(jī)內(nèi)存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內(nèi)重復(fù)。因?yàn)镈DR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應(yīng)是其二倍。因此，測試儀的映象隨機(jī)內(nèi)存容量會很快被消耗殆盡。為此，要保證一定的測試分辨率，就必須增大測試儀的內(nèi)存。建立測試頭也是一個(gè)棘手的問題。因?yàn)镈DR內(nèi)存的數(shù)據(jù)讀取窗口有1—2ns，所以管腳驅(qū)動器的上升和下降時(shí)間非常關(guān)鍵。為保證在數(shù)據(jù)眼中心進(jìn)行信號轉(zhuǎn)換，需要較好的管腳驅(qū)動器轉(zhuǎn)向速度。在頻率為266MHz時(shí)，開始出現(xiàn)傳輸線反射。設(shè)計(jì)工程師發(fā)現(xiàn)在設(shè)計(jì)測試平臺時(shí)必須遵循直線律。為保證信號的統(tǒng)一性，必須對測試頭布局進(jìn)行傳輸線模擬。管腳驅(qū)動器強(qiáng)度必須能比較大限度降低高頻信號反射。 機(jī)械DDR測試修理

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