貴州DDR一致性測(cè)試銷售

前面介紹過，JEDEC規(guī)范定義的DDR信號(hào)的要求是針對(duì)DDR顆粒的引腳上的，但 是通常DDR芯片采用BGA封裝，引腳無法直接測(cè)試到。即使采用了BGA轉(zhuǎn)接板的方 式，其測(cè)試到的信號(hào)與芯片引腳處的信號(hào)也仍然有一些差異。為了更好地得到芯片引腳 處的信號(hào)質(zhì)量， 一種常用的方法是在示波器中對(duì)PCB走線和測(cè)試夾具的影響進(jìn)行軟件的 去嵌入(De-embedding)操作。去嵌入操作需要事先知道整個(gè)鏈路上各部分的S參數(shù)模型 文件(通常通過仿真或者實(shí)測(cè)得到),并根據(jù)實(shí)際測(cè)試點(diǎn)和期望觀察到的點(diǎn)之間的傳輸函數(shù)， 來計(jì)算期望位置處的信號(hào)波形，再對(duì)這個(gè)信號(hào)做進(jìn)一步的波形參數(shù)測(cè)量和統(tǒng)計(jì)。展示了典型的DDR4和DDR5信號(hào)質(zhì)量測(cè)試環(huán)境，以及在示波器中進(jìn)行去嵌入操作的 界面。82496 DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試方法、測(cè)試裝置與測(cè)試設(shè)備與流程；貴州DDR一致性測(cè)試銷售

DDR規(guī)范沒有定義模板，這給用眼圖方式分析信號(hào)時(shí)判斷信號(hào)是否滿足規(guī)范要求帶來挑戰(zhàn)。有基于JEDEC規(guī)范定義的，ds、，dh、-H(ac)min和rIL(ac)max參數(shù),得出的DDR2533寫眼圖的模板，中間的區(qū)域就是模板，中間的線是DQS的有效邊沿即有效的上升沿或下降沿。嚴(yán)格按規(guī)范來說的話，中間的模板應(yīng)該定義為橫著的梯形，因?yàn)楸３謺r(shí)間是相對(duì)于DC參數(shù)的，不過用長(zhǎng)方形可以定義一個(gè)更嚴(yán)格的參數(shù)要求。

DDR總線一致性測(cè)試對(duì)示波器帶寬的要求

因?yàn)镴edec規(guī)范沒有給岀DDR具體的快的上升、下降時(shí)間，通過預(yù)估的方式可以得岀 快的邊沿時(shí)間，但是往往比實(shí)際要快，是基于實(shí)際PCB板材的情況得出的結(jié)果，有 了這個(gè)結(jié)果可計(jì)算出需要的示波器帶寬。 湖北DDR一致性測(cè)試USB測(cè)試尋找能夠滿足您的 DDR 和存儲(chǔ)器需求的特定解決方案。

制定DDR 內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)化組織是JEDEC(Joint Electron Device Engineering  Council,)。按照J(rèn)EDEC組織的定義， DDR4 的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng) 達(dá)到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之 前，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn)。但是從LPDDR4開始，由于高性 能移動(dòng)終端的發(fā)展，LPDDR4的速率開始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在 2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，并于2020年在的移動(dòng)終端上開始使用。DDR5的規(guī)范 (JESD79-5)于2020年發(fā)布，并在2021年開始配合Intel等公司的新一代服務(wù)器平臺(tái)走向商 用。圖5.2展示了DRAM技術(shù)速率的發(fā)展。

按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。DDR4存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的信號(hào)完整性。

每個(gè)DDR芯片獨(dú)享DOS，DM信號(hào);四片DDR芯片共享RAS#，CAS#，CS#，WE#控制信號(hào)。

DDR工作頻率為133MHz。

DDR 控制器選用Xilinx公司的 FPGA，型號(hào)為XC2VP30 6FF1152C

得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后，我們首先要進(jìn)行器件選型，然后根據(jù)所選的器件，準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來講，對(duì)于經(jīng)過選型的器件，為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)，需要有如下資料。

器件數(shù)據(jù)手冊(cè)Datasheet:這個(gè)是必須要有的。如果沒有器件手冊(cè)，是沒有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的(一般經(jīng)過選型的器件，設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊(cè))。 DDR5 一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。吉林DDR一致性測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠

DDR4 和 LPDDR4 合規(guī)性測(cè)試軟件。貴州DDR一致性測(cè)試銷售

除了DDR以外，近些年隨著智能移動(dòng)終端的發(fā)展，由DDR技術(shù)演變過來的LPDDR (Low-Power DDR,低功耗DDR)也發(fā)展很快。LPDDR主要針對(duì)功耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景，相 對(duì)于同一代技術(shù)的DDR來說會(huì)采用更低的工作電壓，而更低的工作電壓可以直接減少器 件的功耗。比如LPDDR4的工作電壓為1. 1V,比標(biāo)準(zhǔn)的DDR4的1.2V工作電壓要低一 些，有些廠商還提出了更低功耗的內(nèi)存技術(shù)，比如三星公司推出的LPDDR4x技術(shù)，更是把 外部I/O的電壓降到了0.6V。但是要注意的是，更低的工作電壓對(duì)于電源紋波和串?dāng)_噪 聲會(huì)更敏感，其電路設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)性更大。除了降低工作電壓以外，LPDDR還會(huì)采用一些額 外的技術(shù)來節(jié)省功耗，比如根據(jù)外界溫度自動(dòng)調(diào)整刷新頻率(DRAM在低溫下需要較少刷 新)、部分陣列可以自刷新，以及一些對(duì)低功耗的支持。同時(shí)，LPDDR的芯片一般體積更 小，因此占用的PCB空間更小。貴州DDR一致性測(cè)試銷售

深圳市力恩科技有限公司正式組建于2014-04-03，將通過提供以實(shí)驗(yàn)室配套，誤碼儀/示波器，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，協(xié)議分析儀等服務(wù)于于一體的組合服務(wù)。是具有一定實(shí)力的儀器儀表企業(yè)之一，主要提供實(shí)驗(yàn)室配套，誤碼儀/示波器，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，協(xié)議分析儀等領(lǐng)域內(nèi)的產(chǎn)品或服務(wù)。同時(shí)，企業(yè)針對(duì)用戶，在實(shí)驗(yàn)室配套，誤碼儀/示波器，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀，協(xié)議分析儀等幾大領(lǐng)域，提供更多、更豐富的儀器儀表產(chǎn)品，進(jìn)一步為全國(guó)更多單位和企業(yè)提供更具針對(duì)性的儀器儀表服務(wù)。公司坐落于深圳市南山區(qū)南頭街道南聯(lián)社區(qū)中山園路9號(hào)君翔達(dá)大廈辦公樓A201，業(yè)務(wù)覆蓋于全國(guó)多個(gè)省市和地區(qū)。持續(xù)多年業(yè)務(wù)創(chuàng)收，進(jìn)一步為當(dāng)?shù)亟?jīng)濟(jì)、社會(huì)協(xié)調(diào)發(fā)展做出了貢獻(xiàn)。