常見的信號質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等,DDRx 信號質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號 端接使DDR信號質(zhì)量變差,通過仿真就可以找出合適端接,使信號質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例,通過一個(gè)實(shí)際案例說明DDR3信號質(zhì)量仿真。
在本案例中客戶反映實(shí)測CLK信號質(zhì)量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差,系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時(shí)鐘信號做了終端上拉匹配后,可以正常工作。 DDR3內(nèi)存的一致性測試是否需要長時(shí)間運(yùn)行?安徽DDR3測試DDR測試
DDR 規(guī)范的 DC 和 AC 特性
眾所周知,對于任何一種接口規(guī)范的設(shè)計(jì),首先要搞清楚系統(tǒng)中傳輸?shù)氖鞘裁礃拥男盘?,也就是?qū)動(dòng)器能發(fā)出什么樣的信號,接收器能接受和判別什么樣的信號,用術(shù)語講,就是信號的DC和AC特性要求。
在DDR規(guī)范文件JEDEC79R的TABLE6:ELECTRICALCHARACTERISTICSANDDOOPERATINGCONDITIONS」中對DDR的DC有明確要求:VCC=+2.5v+0.2V,Vref=+1.25V+0.05VVTT=Vref+0.04V.
在我們的實(shí)際設(shè)計(jì)中,除了要精確設(shè)計(jì)供電電源模塊之外,還需要對整個(gè)電源系統(tǒng)進(jìn)行PI仿真,而這是高速系統(tǒng)設(shè)計(jì)中另一個(gè)需要考慮的問題,在這里我們先不討論它,暫時(shí)認(rèn)為系統(tǒng)能夠提供穩(wěn)定的供電電源。 廣西DDR3測試聯(lián)系人是否可以在運(yùn)行操作系統(tǒng)時(shí)執(zhí)行DDR3一致性測試?
DDR信號的DC和AC特性要求之后,不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對于一般信號而言,DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中,我們可以注意一下,其Overshoot和Undershoot指向的位置,到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn),是沒有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)?,在DDR中,信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值,而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小,而申壓和時(shí)間的積分值,就是能量!因此,對于DDR信號而言,其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小,而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號體制的,而且能量信號這個(gè)特性,會(huì)延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中,我們會(huì)在DDR2和DDR3的信號體制中,更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然,除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外,比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限,否則,無需能量累積,足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。
雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡,在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號耦合,考慮非理想電源地的S參數(shù)模型;而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號的SPICE模型。前者模型提取時(shí)間長,但模型細(xì)節(jié)完整,適合終的仿真驗(yàn)證;后者模型提取快,SPICE模型仿真收斂性好,比較適合設(shè)計(jì)前期的快速仿真迭代。DDR3一致性測試是否適用于筆記本電腦上的內(nèi)存模塊?
單擊NetCouplingSummary,出現(xiàn)耦合總結(jié)表格,包括網(wǎng)絡(luò)序號、網(wǎng)絡(luò)名稱、比較大干擾源網(wǎng)絡(luò)、比較大耦合系數(shù)、比較大耦合系數(shù)所占走線長度百分比、耦合系數(shù)大于0.05的走線 長度百分比、耦合系數(shù)為0.01?0.05的走線長度百分比、總耦合參考值。
單擊Impedance Plot (Collapsed),查看所有網(wǎng)絡(luò)的走線阻抗彩圖。注意,在彩圖 上方有一排工具欄,通過下拉按鈕可以選擇查看不同的網(wǎng)絡(luò)組,選擇不同的接收端器件,選 擇查看單端線還是差分線。雙擊Plot±的任何線段,對應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色(白色) 在Layout窗口中高亮顯示。 是否可以使用多個(gè)軟件工具來執(zhí)行DDR3內(nèi)存的一致性測試?眼圖測試DDR3測試商家
是否可以使用多個(gè)軟件工具來執(zhí)行DDR3一致性測試?安徽DDR3測試DDR測試
單擊Impedance Plot (expanded),展開顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段,對應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。
單擊Impedance Table,可以詳細(xì)查看各個(gè)網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細(xì)的阻抗相關(guān)信息,內(nèi) 容包括走線名稱、走線長度百分比、走線阻抗、走線長度、走線距離發(fā)送端器件的距離、走 線延時(shí),
單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱,可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 安徽DDR3測試DDR測試
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