相關(guān)器件的應(yīng)用手冊,ApplicationNote:在這個(gè)文檔中,廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議,甚至參考設(shè)計(jì),有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中,要注意這些信息是否齊備。
參考設(shè)計(jì),ReferenceDesiqn:對于比較復(fù)雜的器件,廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì),以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D,用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。
IBIS 文件:這個(gè)對高速設(shè)計(jì)而言是必需的,獲得的方法前面已經(jīng)講過。 DDR3和 DDR4設(shè)計(jì)分成幾個(gè)方面:仿真、有源信號驗(yàn)證和功能測試。用于電氣物理層、協(xié)議層和功能測試解決方案。湖北機(jī)械DDR一致性測試
每個(gè)DDR芯片獨(dú)享DOS,DM信號;四片DDR芯片共享RAS#,CAS#,CS#,WE#控制信號。
DDR工作頻率為133MHz。
DDR 控制器選用Xilinx公司的 FPGA,型號為XC2VP30 6FF1152C
得到這個(gè)設(shè)計(jì)需求之后,我們首先要進(jìn)行器件選型,然后根據(jù)所選的器件,準(zhǔn)備相關(guān)的設(shè)計(jì)資料。一般來講,對于經(jīng)過選型的器件,為了使用這個(gè)器件進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì),需要有如下資料。
器件數(shù)據(jù)手冊Datasheet:這個(gè)是必須要有的。如果沒有器件手冊,是沒有辦法進(jìn)行設(shè)計(jì)的(一般經(jīng)過選型的器件,設(shè)計(jì)工程師一定會(huì)有數(shù)據(jù)手冊)。 湖北機(jī)械DDR一致性測試用于 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 調(diào)試和驗(yàn)證的總線解碼器。
大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫,即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同,又分為SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣,而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號的跳變速率是一樣的,因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號是一樣的。
D D R 5 的 接 收 端 容 限 評 估 需 要 通 過 接 收 容 限 的 一 致 性 測 試 來 進(jìn) 行 , 主 要 測 試 的 項(xiàng) 目 有 D Q 信 號 的 電 壓 靈 敏 度 、 D Q S 信 號 的 電 壓 靈 敏 度 、 D Q S 的 抖 動(dòng) 容 限 、 D Q 與 D Q S 的 時(shí) 序 容 限、DQ的壓力眼測試、DQ的均衡器特性等。
在DDR5的接收端容限測試中,也需要通過御用的測試夾具對被測件進(jìn)行測試以及測試前的校準(zhǔn)。展示了一套DDR5的DIMM條的測試夾具,包括了CTC2夾具(ChannelTestCard)和DIMM板(DIMMTestCard)等。CTC2夾具上有微控制器和RCD芯片等,可以通過SMBus/I2C總線配置電路板的RCD輸出CA信號以及讓被測件進(jìn)入環(huán)回模式。測試夾具還提供了CK/CA/DQS/DQ/LBD/LBS等信號的引出。 DDR地址、命令總線的一致性測試。
DDR時(shí)鐘總線的一致性測試
DDR總線參考時(shí)鐘或時(shí)鐘總線的測試變得越來越復(fù)雜,主要測試內(nèi)容可以分為兩方面:波形參數(shù)和抖動(dòng)。波形參數(shù)主要包括:Overshoot(過沖);Undershoot(下沖);SlewRate(斜率);RiseTime(上升時(shí)間)和FallTime(下降時(shí)間);高低時(shí)間;DutyCycle(占空比失真)等,測試較簡單,在此不再贅述。抖動(dòng)測試則越來越復(fù)雜,以前一般只是測試Cycle-CycleJitter(周期到周期抖動(dòng)),但是當(dāng)速率超過533MT/S的DDR2&3時(shí),測試內(nèi)容相當(dāng)多,不可忽略。表7-15是DDR2667的規(guī)范參數(shù)。對這些抖動(dòng)參數(shù)的測試需要用軟件實(shí)現(xiàn),比如Agilent的N5413ADDR2時(shí)鐘表征工具。測試建議用系統(tǒng)帶寬4GHz以上的差分探頭和示波器,測試點(diǎn)在DIMM上靠近DRAM芯片的位置,被測系統(tǒng)建議運(yùn)行MemoryTest類的總線加壓軟件。 DDR數(shù)據(jù)總線的一致性測試。湖北機(jī)械DDR一致性測試
DDR DDR2 DDR3 DDR4 和 DDR5 內(nèi)存帶寬;湖北機(jī)械DDR一致性測試
DDR總線概覽
從測試角度看,因?yàn)镈QS和DQ都是三態(tài)信 號,在PCB走線上雙向傳輸。在讀操作時(shí),DQS信號的邊沿在時(shí)序上與DQ的信號邊沿處對 齊,而在寫操作時(shí),DQS信號的邊沿在時(shí)序上與DQ信號的中心處對齊,參考圖7-132,這給 測試驗(yàn)證帶來了巨大的挑戰(zhàn):把讀信號與寫信號分開是非常困難的!
址/命令總線是時(shí)鐘的上升沿有效,其中,命令由/CS (片選)、/RAS、 /CAS、/WE (寫使能)決定,比如讀命令為LHLH,寫命令為LHLL等。操作命令有很多, 主要是 NOP (空操作)、Active ()、Write> Read^ Precharge (Bank 關(guān)閉)、Auto Refresh 或Self Refresh (自動(dòng)刷新或自刷新)等(詳細(xì)內(nèi)容請參考《Jedec規(guī)范JESD79)))。數(shù)據(jù)總 線由DQS的上升沿和下降沿判斷數(shù)據(jù)DQ的0與1。
DDR總線PCB走線多,速度快,時(shí)序和操作命令復(fù)雜,很容易出現(xiàn)失效問題,為此我 們經(jīng)常用示波器進(jìn)行DDR總線的信號完整性測試和分析。通常的測試內(nèi)容包括:時(shí)鐘總線的 信號完整性測試分析;地址、命令總線的信號完整性測試分析;數(shù)據(jù)總線的信號完整性測試 分析。下面從這三個(gè)方面分別討論DDR總線的信號完整性測試和分析技術(shù)。 湖北機(jī)械DDR一致性測試