眼圖測(cè)試DDR測(cè)試方案商

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-24

trombone線的時(shí)延是受到其并行走線之間的耦合而影響,一種在不需要提高其間距的情況下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然,sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是,依來(lái)看它需要更多的空間。由于各種可能造成時(shí)延不同的原因,所以,在實(shí)際的設(shè)計(jì)時(shí),要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計(jì)算,從而控制走線的時(shí)延匹配。考慮到在圖2中6層板上的過(guò)孔的因素,當(dāng)一個(gè)地過(guò)孔靠近信號(hào)過(guò)孔放置時(shí),則在時(shí)延方面的影響是必須要考慮的。先舉個(gè)例子,在TOP層的微帶線長(zhǎng)度是150mils,BOTTOM層的微帶線也是150mils,線寬都為4mils,且過(guò)孔的參數(shù)為:barreldiameter=”8mils”,paddiameter=”18mils”,anti-paddiameter=”26mils”。DDR總線利用率和讀寫吞吐率的統(tǒng)計(jì);眼圖測(cè)試DDR測(cè)試方案商

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DDR測(cè)試

要注意的是,由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片,所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求,因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來(lái)說(shuō),不同控制器芯片廠商有不同的要求,目前沒(méi)有統(tǒng)一的規(guī)范,因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn),并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來(lái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。 電氣性能測(cè)試DDR測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)試DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件報(bào)告;

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2.PCB的疊層(stackup)和阻抗對(duì)于一塊受PCB層數(shù)約束的基板(如4層板)來(lái)說(shuō),其所有的信號(hào)線只能走在TOP和BOTTOM層,中間的兩層,其中一層為GND平面層,而另一層為VDD平面層,Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當(dāng)使用6層來(lái)走線時(shí),設(shè)計(jì)一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加容易,同時(shí)由于Power層和GND層的間距變小了,從而提高了電源完整性。互聯(lián)通道的另一參數(shù)阻抗,在DDR2的設(shè)計(jì)時(shí)必須是恒定連續(xù)的,單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號(hào)上,且做到阻抗匹配,而對(duì)于差分信號(hào),100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號(hào)終端,比如CLOCK和DQS信號(hào)。另外,所有的匹配電阻必須上拉到VTT,且保持50Ohms,ODT的設(shè)置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設(shè)計(jì)時(shí),單端信號(hào)的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設(shè)計(jì)到ADDR/CMD/CNTRL信號(hào)線上,這已經(jīng)被證明有很多的優(yōu)點(diǎn)。而且,上拉到VTT的終端匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗,電阻值可能需要做出不同的選擇,通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號(hào)的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。

DDR5發(fā)送端測(cè)試隨著信號(hào)速率的提升,SerDes技術(shù)開始在DDR5中采用,如會(huì)采用DFE均衡器改善接收誤碼率,另外DDR總線在發(fā)展過(guò)程中引入訓(xùn)練機(jī)制,不再是簡(jiǎn)單的要求信號(hào)間的建立保持時(shí)間,在DDR4的時(shí)始使用眼圖的概念,在DDR5時(shí)代,引入抖動(dòng)成分概念,從成因上區(qū)分解Rj,Dj等,對(duì)芯片或系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更具體的依據(jù);在抖動(dòng)的參數(shù)分析上,也增加了一些新的抖動(dòng)定義參數(shù),并有嚴(yán)苛的測(cè)量指標(biāo)。針對(duì)這些要求,提供了完整的解決方案。UXR示波器,配合D9050DDRC發(fā)射機(jī)一致性軟件,及高阻RC探頭MX0023A,及Interposer,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR信號(hào)的精確表征。借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些;

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對(duì)于DDR2和DDR3,時(shí)鐘信號(hào)是以差分的形式傳輸?shù)?,而在DDR2里,DQS信號(hào)是以單端或差分方式通訊取決于其工作的速率,當(dāng)以高度速率工作時(shí)則采用差分的方式。顯然,在同樣的長(zhǎng)度下,差分線的切換時(shí)延是小于單端線的。根據(jù)時(shí)序仿真的結(jié)果,時(shí)鐘信號(hào)和DQS也許需要比相應(yīng)的ADDR/CMD/CNTRL和DATA線長(zhǎng)一點(diǎn)。另外,必須確保時(shí)鐘線和DQS布在其相關(guān)的ADDR/CMD/CNTRL和DQ線的當(dāng)中。由于DQ和DM在很高的速度下傳輸,所以,需要在每一個(gè)字節(jié)里,它們要有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配,而且不能有過(guò)孔。差分信號(hào)對(duì)阻抗不連續(xù)的敏感度比較低,所以換層走線是沒(méi)多大問(wèn)題的,在布線時(shí)優(yōu)先考慮布時(shí)鐘線和DQS。DDR工作原理與時(shí)序問(wèn)題;眼圖測(cè)試DDR測(cè)試方案商

DDR協(xié)議檢查后生成的測(cè)試報(bào)告;眼圖測(cè)試DDR測(cè)試方案商

DDR測(cè)試

DDRDIMM內(nèi)存條測(cè)試處理內(nèi)存條測(cè)試儀重要的部分是自動(dòng)處理機(jī)。處理機(jī)一般采用鍍金連接器以保證與內(nèi)存條良好的電接觸。在頻率為266MHz時(shí),2英寸長(zhǎng)的連接器將會(huì)造成測(cè)試信號(hào)極大衰減。為解決上述難題,一種新型處理機(jī)面市了。它采用普通手動(dòng)測(cè)試儀的插槽。測(cè)試儀可以模擬手動(dòng)插入,平穩(wěn)地插入待測(cè)內(nèi)存條的插槽;一旦測(cè)試完成,內(nèi)存條又可以平穩(wěn)地從插槽中拔出。


克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

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