Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時，光控晶閘管的輸出電流也相應增大，同時Il的增大，使BGl、BG2的電流放大系數a1、a2也增大。當al與a2之和接近l時，光控晶閘管的Ia達到**大，即完全導通。能使光控晶閘管導通的**小光照度，稱其為導通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經觸發(fā)，即成通導狀態(tài)。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成為通導狀態(tài)，而后即使撤離光源也能維持導通，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關閉。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導通，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制，在目前的條件下，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外，其它特性基本與普通晶閘管是相同的，因此在使用時可按照普通晶閘管選擇，只要注意它是光控這個特點就行了。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求，即有選擇性。波長在——，都是光控晶閘管較為理想的光源。使用注意事項/晶閘管編輯選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。1、選用可控硅的額定電流時。上海寅涵智能科技銷售高功率閘流晶體管模塊；福建脈沖可控硅（晶閘管）富士IGBT
晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當U2處于正半周時，當觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時，晶閘管才接通。現在，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當觸發(fā)脈沖UG到達時，負載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當UG到達較早時，晶閘管導通時間較早；UG到達較晚時，晶閘管導通時間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達時間，可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術中，交流電的半周常被設定為180度，稱為電角。因此，在U2的每一個正半周期中，從零值到觸發(fā)脈沖到達時刻的電角稱為控制角α，每個正半周期中晶閘管導電的電角稱為導通角θ。顯然，α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內的通斷范圍。通過改變控制角度0或導通角theta，可通過改變負載上的脈沖直流電壓的平均ul來實現可控整流器。山西焊機igbt可控硅（晶閘管）Mitsubishi三菱全新原裝現貨額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
而單向可控硅經觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向導通，所以采用可控硅有單雙向關系之分。電子生產中常用的SCR，單向MCR-100，雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分：常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種?？煽毓璁a品由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨的學科?！熬чl管交流技術”。可控硅發(fā)展到，在工藝上已經非常成熟，質量更好，收率有了很大的提高，并向高壓大電流發(fā)展。可控硅在應用電路中的作用體現在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流→可變直流之轉變;無觸點功率靜態(tài)開關（固態(tài)開關）：作為功率開關元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣應用于各種電子設備和電子產品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等用途。
晶閘管和可控硅，有什么區(qū)別？
1、概念不一樣：可控硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR，是一種大功率電孝改器元件，也稱晶閘管。三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三顫慎猜極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。
2、用處不一樣：可控硅（1）小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。（2）功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調壓電路。像可調壓輸出直流電源等等。（3）大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中高頻熔煉爐等。三極管，晶體三極管具有電流放大作用，其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。
3、分類不一樣：可控硅：按關斷、導通及控制方式分類按引腳和極性分類按封裝形式分類按電流容量分類按關斷速度分類非過零觸發(fā)分類。三極管：按材質分按結構分按功能分按功率分按工作頻率分按結構工藝分按安裝方式。 小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng)。額定電流：IA小于2A。
人們在制造工藝和結構上采取了一些改進措施，做出了能適應于高頻應用的晶閘管，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點。一、關斷時間（toff）短導通的晶閘管，當切斷正向電流時。并不能馬上“關斷”，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導通。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時間，叫做關斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關斷過程，實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝，把金摻到硅中減少基區(qū)少數載流子的壽命。硅中摻金量越多，t0仟越小，但摻金量過多會影響元件的其它性能。二、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導通的晶閘管?？偸窃诳拷刂茦O的陰極區(qū)域首先導通，然后逐漸向外擴展，直到整個面積導通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能***積導通。初始導通面積小時，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時這種現象更為嚴重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管后，小晶閘管的初始導通電流將橫向經過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。遼寧分立半導體模塊可控硅（晶閘管）starpowereurope原廠庫存
在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件。福建脈沖可控硅（晶閘管）富士IGBT
為了實現這一點，作為示例，傳導層40覆蓋襯底20和溝槽22。層40例如由鋁、鋁-銅或鋁-硅-銅制成。層40可以布置在傳導界面層42上。區(qū)域302在溝槽中從層40或可能的界面層42延伸。層42例如旨在便于在層40和區(qū)域302、204、210以及可能的區(qū)域306之間形成電接觸件(下面的圖2a至圖2f的方法)。層42可以由硅化物制成或者可以是例如由鈦制成的金屬層。層42可以備選地包括硅化物層和金屬層，金屬層覆蓋硅化物層并且例如由鈦制成。硅化物因此形成電接觸件，而金屬層提供對層40的粘附。層42可以至少部分地通過自對準硅化工藝來獲得，并且硅化物然后是不連續(xù)的并且不覆蓋層304的上部部分。層42的厚度推薦地小于300nm，例如小于100nm。由于區(qū)域302和溝道區(qū)域202通過上述短距離d分離的事實，可以選擇溝道區(qū)域202的摻雜水平以及區(qū)域302的摻雜類型和水平來獲得二極管的飽和電流密度，其在25℃時例如在1na/mm2和1ma/mm2之間。推薦地，區(qū)域202的摻雜水平在2×1016和1018原子/cm3之間。為了獲得該飽和電流密度，區(qū)域302是重n型摻雜的(例如大于5×1018原子/cm3)，或者更一般地通過與溝道區(qū)域202的傳導類型相反的傳導類型來被重摻雜。電流密度飽和度在此由以下來確定：a)測量由大于。福建脈沖可控硅（晶閘管）富士IGBT