甘肅igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

來源: 發(fā)布時間:2024-09-24

它由電源變壓器、電源穩(wěn)壓電路、三相同步電路及處理模塊、數(shù)字調(diào)節(jié)器、數(shù)字觸發(fā)器、六路相互隔離的脈沖輸出電路、開關(guān)量輸入、故障及報警輸出電路、模擬量處理及A/D轉(zhuǎn)換電路、按鍵參數(shù)設定及LED指示電路等部分組成。三相晶閘管觸發(fā)板技術(shù)參數(shù)⑴主電路閥側(cè)額定工作線電壓:≤1000V(50HZ)。⑵控制板工作電源:單相220V±10%;電流A≤。⑶控制板同步信號:三相同步,AC380V,50HZ,電流A≤10mA;其他需定制。⑷UF電壓反饋信號:DC0∽10V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號比較大共模電壓≤10V,其他需定制(5)IF電流反饋信號:DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號比較大共模電壓≤5V,其他需定制。⑹1F電流反饋信號:DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號比較大共模電壓≤5V,其他需定制。⑺2F電流反饋信號:DC0∽5V,內(nèi)阻抗≥20KΩ,反饋信號比較大共模電壓≤5V,其他需定制。⑻電位器給定接口:自帶電源,每個接口只能接一個R≥電位器。⑼儀表控制接口:常規(guī)0~10mA儀表控制信號輸入,內(nèi)阻抗≥500Ω。其他需定制。⑽開關(guān)量輸入節(jié)點:4路開關(guān)量輸入,自帶電源,禁止同其他電源混接。⑾故障及報警繼電板輸出接點:故障和及報警各一對常開接點輸出,容量:AC220V/1A。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等。甘肅igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

可控硅(晶閘管)

所以一旦可控硅導通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài),由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用,沒有關(guān)斷功能,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于他只有導通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以晶閘管具有開關(guān)特性,這也就是晶閘管的作用。晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件,它的工作條件如下:1.晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),這就是晶閘管的閘流特性,即可控特性。3.晶閘管在導通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導通,即晶閘管導通后,門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導通情況下,當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關(guān)斷。4全控型晶閘管的工作條件:1.晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,在門極承受正向電壓。陜西ABB可控硅(晶閘管)原裝進口晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。

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或電流)的情況下晶閘管才導通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導通,它就被鉗住在導通狀態(tài),而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷,像一個二極管一樣導通,直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時,它才會截止。當晶閘管再次進入正向阻斷狀態(tài)后,允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導通。晶閘管可用兩個不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來模擬,如圖G1所示。當晶閘管的柵極懸空時,BG1和BG2都處于截止狀態(tài),此時電路基本上沒有電流流過負載電阻RL,當柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通,使BG1的基極電位下降,BG1因此開始道通,BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升高,BG1的基極電位進一步下降,經(jīng)過這一個正反饋過程使BG1和BG2進入飽和道通狀態(tài)。電路很快從截止狀態(tài)進入道通狀態(tài),這時柵極就算沒有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓,由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止,另外如果加大負載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少,當減少到某一個值時由于電路的正反饋作用,電路將很快從道通狀態(tài)翻轉(zhuǎn)為截止狀態(tài),我們稱這個電流為維持電流。

5、其它要求(1)當模塊控制變壓器負載時,如果變壓器空載,輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流,導致回路中產(chǎn)生較大直流分量,嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,可在模塊輸出端接一固定電阻,一般每相輸出電流不小于500mA(具體數(shù)據(jù)可根據(jù)試驗情況確定)。(2)小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,極易掀起折斷,接線時應注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。(3)嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,以防止接觸不良產(chǎn)生附加發(fā)熱。(4)模塊不能當作隔離開關(guān)使用。為保證安全,模塊輸入端前面需加空氣開關(guān)。(5)測量模塊工作殼溫時,測試點選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面??蓪⑸崞鞅砻嬉韵聶M向打一深孔至散熱器中心,把熱電偶探頭插到孔底。要求該測試點的溫度應≤80℃。晶閘管智能模塊晶閘管智能模塊模塊參數(shù)編輯a)工作頻率f為50Hz;b)模塊輸入交流電壓VIN(RMS)范圍:額定電壓為220VAC時為170~250VAC、額定電壓為380VAC時為300~450VAC(輸入電壓低于或高于上述各規(guī)定值時,應專門定做);c)三相交流輸出電壓不對稱度<6%;d)控制電源電壓12VDC;e)控制信號:VCON為0~10VDC;f)控制信號電流ICON≤1mA;g)輸出電壓溫度系數(shù)<。可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍。

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晶閘管陽極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻,處于截止狀態(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài)),簡稱斷態(tài)。當陽極電壓上升到某一數(shù)值時,晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)化為導通狀態(tài),簡稱通態(tài)。陽極這時的電壓稱為斷態(tài)不重復峰值電壓(UDSM),或稱正向轉(zhuǎn)折電壓(UBO)。導通后,元件中流過較大的電流,其值主要由限流電阻(使用時由負載)決定。在減小陽極電源電壓或增加負載電阻時,陽極電流隨之減小,當陽極電流小于維持電流IH時,晶閘管便從導通狀態(tài)轉(zhuǎn)化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出,當晶閘管控制極流過正向電流Ig時,晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓降低,Ig越大,轉(zhuǎn)折電壓越小,當Ig足夠大時,晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓很小,一加上正向陽極電壓,晶閘管就導通。實際規(guī)定,當晶閘管元件陽極與陰極之間加上6V直流電壓時,能使元件導通的控制極**小電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓)。在晶閘管陽極與陰極間加上反向電壓時,開始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài),只有很小的反向漏電流流過。當反向電壓增大到某一數(shù)值時,反向漏電流急劇增大,這時,所對應的電壓稱為反向不重復峰值電壓(URSM),或稱反向轉(zhuǎn)折(擊穿)電壓(UBR)??梢?,晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類似。晶閘管晶閘管的開通和關(guān)斷的動態(tài)過程的物理過程較為復雜。大;**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。內(nèi)蒙古大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)SCR系列

TECHSEM臺基晶閘管KK1200A1600V中頻爐可控硅;甘肅igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨

可控硅又稱晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關(guān)斷晶可控硅閘管、快速晶閘管,等等??煽毓瑁强煽毓枵髟暮喎Q,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導體器件,亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對簡單、功能強等特點,是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用于各種電子設備和電子產(chǎn)品中,多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風扇、空調(diào)機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。甘肅igbt驅(qū)動芯片可控硅(晶閘管)Mitsubishi三菱全新原裝現(xiàn)貨