江蘇高鹽霧陽極氧化廠

來源: 發(fā)布時間:2022-03-21

陽極氧化技術(shù)經(jīng)過多年發(fā)展,已由一般的防護、裝飾用途發(fā)展到具有特殊物理化學(xué)性質(zhì)的功能膜;由單鹽著色發(fā)展到混合鹽著色;由單一均勻色發(fā)展到多彩色、多感色等。當前氧化鋁膜朝著功能化方向發(fā)展。主要有兩個方面,一個是利用它的多孔結(jié)構(gòu),研制新型的超精密分離染色后的陽極氧化鋁膜;另一個是通過在其納米級微孔中沉積各種性質(zhì)不同的物質(zhì),如金屬半導(dǎo)體、高分子材料等,來制備新型的功能材料。隨著科技和工藝的不斷發(fā)展,未來應(yīng)用在IT產(chǎn)品中的金屬有朝一日將會成為真正的“絕世神器”。陽極氧化需要的時間很長。江蘇高鹽霧陽極氧化廠

江蘇高鹽霧陽極氧化廠,陽極氧化

硬質(zhì)陽極氧化是鋁及鋁合金表面生成厚而堅硬氧化膜的一種工藝方法。硬質(zhì)膜的較大厚度可達250μm,純鋁上形成的膜層微硬度為12000-15000MPa,合金的一般為4000-6000MPa,與硬鉻鍍層的相差無幾,它們在低符合時耐磨性好,硬質(zhì)膜的孔隙率約為20%左右,比常規(guī)硫酸膜低。瓷質(zhì)陽極氧化:瓷質(zhì)陽極氧化鋁及鋁合金在草酸、檸檬酸和硼酸的鈦鹽、鋯鹽或釷鹽溶液中陽極氧化,溶液中鹽類金屬的氫氧化物進入氧化膜孔隙中,從而使制品表面顯示出與不透明而致密的搪瓷或具有特殊光澤的類似塑料外觀的處理過程。瓷質(zhì)陽極氧化處理工藝流程與常規(guī)硫酸陽極氧化基本一致,不同的是瓷質(zhì)陽極氧化是在高的直流電壓(115-125V)和較高的溶液溫度(50-60度)、電解液經(jīng)常攪拌、經(jīng)常調(diào)節(jié)pH值使之處于1.6-2范圍內(nèi)的條件進行太倉噴砂陽極氧化品質(zhì)極氧化可以改善鋁合金表面硬度、耐磨損性等指標。

江蘇高鹽霧陽極氧化廠,陽極氧化

陽極氧化的氧化膜的孔徑在100nm~200nm之間,氧化膜厚度10微米左右,孔隙率20%左右,孔距300~500nm之間。氧化膜的截面圖表明氧化膜孔基本上是管狀結(jié)構(gòu),氧化膜發(fā)生溶膜反應(yīng)基本上是在孔的底部發(fā)生的。而一般的硫酸直流陽極氧化膜的孔徑是20nm左右,如果是12微米的氧化膜,那是多深的細管狀結(jié)構(gòu)??!假設(shè)這是一個直徑1m的井,那么它的井深將有600m深。氧化膜的絕大部分優(yōu)良特性,如抗蝕、耐磨、吸附、絕緣等性能都是由多孔外層的厚度及孔隙率所決定的,然而這兩者卻與陽極氧化條件密切相關(guān),因此可通過改變陽極化條件來獲得滿足不同使用要求的膜層。膜厚是陽極氧化制品一個很主要的性能指針,其值的大小直接影響著膜層耐蝕、耐磨、絕緣及化學(xué)著色能力。在常規(guī)的陽極氧化過程中,膜層隨著時間的增加而增厚。在逹到較大厚度之后,則隨著處理時間的延長而逐漸變薄,有些合金如AI-Mg、AI-Mg-Zn合金表現(xiàn)得特別明顯。因此,氧化的時間一般控制在逹較大膜厚時間之內(nèi)。

陽極氧化在一定限度內(nèi),電流密度升高,膜生長速度升高,氧化時間縮短,生成膜的孔隙多,易于著色,且硬度和耐磨性升高;電流密度過高,則會因焦耳熱的影響,使零件表面過熱和局部溶液溫度升高,膜的溶解速度升高,且有燒毀零件的可能;電流密度過低,則膜生長速度緩慢,但生成的膜較致密,硬度和耐磨性降低。氧化時間:氧化時間的選擇,取決于電解液濃度,溫度,陽極電流密度和所需要的膜厚。相同條件下,當電流密度恒定時,膜的生長速度與氧化時間成正比;但當膜生長到一定厚度時,由于膜電阻升高,影響導(dǎo)電能力,而且由于溫升,膜的溶解速度增大,所以膜的生長速度會逐漸降低,不再增加。所有鋁合金都可以做陽極氧化。

江蘇高鹽霧陽極氧化廠,陽極氧化

鋁型材陽極氧化的原理:鋁型材的陽極氧化是將鋁型材置入硫酸、鉻酸或草酸溶液中,在電流的作用下以鋁作為陽極進行電解而被氧化,使其表面氧化形成一層5-30μm的氧化膜,以提高鋁型材表面的抗腐蝕性、耐磨性、耐高溫以及裝飾性能,把生成陽極氧化設(shè)備的這一個過程稱為鋁型材的陽極氧化,如果沒有特別強調(diào),鋁型材陽極氧化通常指的是硫酸陽極氧化,這是應(yīng)用較多的一種方法。陽極氧化的流程:上件→機械拋光→除油→水洗→酸洗→水洗→堿洗→水洗→中和→除灰→水洗→化學(xué)拋光→水洗→陽極氧化→水洗→封孔→水洗→烘干→下件→檢查→包裝→入庫。極氧化生成的膜有幾個微米到幾十個微米。常熟啞光陽極氧化多少

對硫酸陽極氧化影響的大部分因素也適用于草酸陽極氧化。江蘇高鹽霧陽極氧化廠

氧化膜厚度計算:陽極氧化生成的氧化膜厚度從理論上可按法拉第第二定律推導(dǎo)的公式進行計算。σ=Kit。式中σ為陽極氧化膜厚度(μm),I為電流密度(A/dm2),t為氧化時間(min),K為系數(shù)(當氧化鋁密度γ=kg/立方米則K=0.309)。上述公式計算的前提是以認為通過的電量全用于氧化鋁析出,同時也把氧化鋁及膜的密度視為純凈的氧化鋁密集的值。但實際情況并非完全如此,為了使K值更切合實際,應(yīng)將電流效率和在這種工藝條件下所生成膜的密度或孔隙度考慮在內(nèi),即:K=1.57η/γ式中η為電流效率(電極上實際析出的物質(zhì)量與又總電量換算出的析出物質(zhì)量之比)。K實值各國取值大小各異。江蘇高鹽霧陽極氧化廠