湖州進口數顯真空烘箱箱內高真空度

BPO膠/PI膠/BCB膠固化烘箱要求一、技術指標與基本配置：1、潔凈度：Class100級2、氧含量（配氧分析儀）：高溫狀態(tài)氧含量：≤10ppm+氣源氧含量;低溫狀態(tài)氧含量：≤20ppm+氣源氧含量3、使用溫度：RT～400℃，最高溫度：450℃4、控溫穩(wěn)定度：±1℃；5、溫度均勻度：150℃±1.5%，350℃±2%以內（空載測試）；6、腔體數量:2個,上下布置；單獨控溫7、爐膛材料：SUS304鏡面不銹鋼；加熱元件：不銹鋼加熱器；熱偶8、空爐升溫時間：1.5h；9、空爐降溫時間：375℃--80℃；降溫時間1.5-3.5小時(采用水冷及風冷)；10、智能控制系統(tǒng)：PCL+PC工控電腦工作室采用不銹鋼板(或拉絲板)制成，確保產品經久耐用。湖州進口數顯真空烘箱箱內高真空度

一般的電熱（鼓風）干燥箱均設有溫度均勻度參數：自然對流式的干燥箱為工作溫度上限乘3%，強制對流式的干燥箱為工作溫度上限乘2.5%。惟獨電熱真空干燥箱不設溫度均勻度參數，這是因為真空干燥箱內依靠氣體分子運動使工作室溫度達到均勻的可能性幾乎已經沒有了。因此，從概念上我們就不能再把通常電熱（鼓風）干燥箱所規(guī)定的溫度均勻度定義用到真空干燥箱上來。在真空狀態(tài)下設這個指標也是沒有意義的。熱輻射的量與距離的平方成反比。同一個物體，距離加熱壁20cm處所接受的輻射熱只是距離加熱壁10cm處的1/4。差異很大。這種現(xiàn)象與冬天曬太陽時，曬到太陽的一面很暖和，曬不到太陽的一面比較冷是一個道理。由于真空干燥箱在結構上很難做到使工作室三維空間內的各點輻射熱的均勻一致，同時也缺乏好的評估方法，這有可能是電熱真空干燥箱標準中不設溫度均勻度參數的原因。易維護真空烘箱安全警報經常調整填料壓蓋，保證填料室內的滴漏情況正常（以成滴漏出為宜）。

烘箱在電子行業(yè)的應用：制備半導體：可滿足在大規(guī)模半導體封裝和組裝生產中對潔凈工藝、低氧化、粘合劑和聚合物的高效固化等要求；組件：解決電容器、電阻器及其他用于手機、影碟機、電視機及其他設備的電子組件的技術難題，陶瓷電容器烘烤到預熱、干燥和固化，這些過程需要極為重要的溫度一致性和漸進式升降溫速率。；數據存儲：重要數據存儲元件（例如硬盤、錄音磁頭以及鋁制或玻璃磁盤介質）的熱處理，?烘烤潤滑油，使涂層長久性粘貼在磁盤介質上，從而提高耐久性?鋁基板磁盤的磁盤退火?玻璃基板磁盤驅動的基板固化?磁性退火

真空烘箱有以下特點：短加熱時間，與傳統(tǒng)干燥烘箱比加熱時間減少50%以上。真空烘箱因為是由電力提供熱能，而濕的物品是會導電的，故在使用上宜小心不要有漏電的現(xiàn)象發(fā)生，故一般烘箱都要接地使用，以保安全。若沒有地線也要確認烘箱沒有漏電的現(xiàn)象；若有輕微的漏電現(xiàn)象，可試著將插座拔起后將插腳以相反方向再插入，若沒有漏電現(xiàn)象可小心使用，若仍有漏電現(xiàn)象則應立即停用。廣泛應用于醫(yī)藥,冶金,電子五金,食品,化工,PCB烘烤等等行業(yè)。真空烘箱能在較低溫度下得到較高的干燥速率，熱量利用充分。

常用PI/BCB/BPO膠的固化方法如下：1、在半導體芯片表面涂覆一層粘附劑；2、通過旋轉方式在半導體芯片表面的粘附劑上涂覆一層液態(tài)PI/BCB/BPO膠，接著將涂覆好PI/BCB/BPO膠的半導體芯片放入固化爐中，并通入氮氣保護；3、加熱固化爐，使涂覆PI/BCB/BPO膠的半導體芯片達到一溫度，穩(wěn)定一段時間，使PI/BCB/BPO膠中的溶劑分布均勻4、再將加熱固化爐升高到第二溫度，穩(wěn)定一段時間，使PI/BCB/BPO膠中的溶劑充分揮發(fā)；5、再將加熱固化爐升高至第三溫度，穩(wěn)定一段時間，在半導體芯片表面形成低介電常數PI/BCB/BPO膠薄膜；6、將加熱固化爐的溫度降至一預定溫度，關氮氣，取出樣品，完成固化工藝。經常檢查油質情況，發(fā)現(xiàn)油變質應及時更換新油，確保真空泵工作正常。易維護真空烘箱安全警報

經常檢查油位位置，不符合規(guī)定時須調整使之符合要求。湖州進口數顯真空烘箱箱內高真空度

    為獲得平坦而均勻的光刻膠涂層并使光刻膠與晶片之間有良好的黏附性，通常在涂膠前對晶片進行預處理。預處理第一步常是脫水烘烤，在真空或干燥氮氣的機臺中，以150～200℃烘烤。工藝目的是除去晶片表面吸附的水分，在此溫度下，晶片表面大約保留了一個單分子層的水。涂膠后，晶片須經過一次烘烤，稱之軟烘或前烘。工藝作用是除去膠中大部分溶劑并使膠的曝光特性固定。通常，軟烘時間越短或溫度越低會使得膠在顯影劑中的溶解速率增加且感光度更高，但對比度會有降低。實際上軟烘工藝需要通過優(yōu)化對比度而保持可接受感光度的試湊法用實驗確定，典型的軟烘溫度是90～100℃，時間從用熱板的30秒到用烘箱的30分鐘。在晶片顯影后，為了后面的高能工藝，如離子注入和等離子體刻蝕，也須對晶片進行高溫烘烤，稱之后烘或硬烘。這一工藝目的在于：減少駐波效應；激發(fā)化學增強光刻膠PAG產生的酸與光刻膠上的保護基團發(fā)生反應并移除基團使之能溶解于顯影液。 湖州進口數顯真空烘箱箱內高真空度

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